111 年 國立成功大學光電科學與工程研究所乙組《電磁學》

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第 1 題16 分

A spherical distribution of charges ρ=ρ0[1−(R2/b2)]\rho = \rho_0 [1 - (R^2/b^2)] exists in the region 0≤R≤b0 \le R \le b. This charge distribution is concentrically surrounded by a dielectric shell (dielectric constant ϵr\epsilon_r) with inner radius RiR_i (>b>b) and outer radius RoR_o. Determine the electric field intensity EE and the electric potential VV as functions of the radial distance RR.

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核心觀念

本題具有球對稱性,因此電場與電位只與徑向距離 RR 有關:

E(R)=E(R) R^\mathbf{E}(R)=E(R)\,\hat{\mathbf{R}}

使用的主要定理與關係如下:

  1. 高斯定律

    ∮SD⋅da=Qfree, enc\oint_S \mathbf{D}\cdot d\mathbf{a}=Q_{\text{free, enc}}
  2. 線性介電質中的本構關係

    D=ϵE,ϵ=ϵ0ϵr\mathbf{D}=\epsilon\mathbf{E},\qquad \epsilon=\epsilon_0\epsilon_r
  3. 電位與電場的關係

    E=−∇V\mathbf{E}=-\nabla V
  4. 取無限遠處為電位零點:

    V(∞)=0V(\infty)=0

假設題目中的 ρ\rho 為自由電荷密度,且介電質外部為真空。


解題方法

由球對稱性,在半徑為 RR 的高斯球面上,D(R)D(R) 為常數,且方向為徑向。因此

D(R) 4πR2=Qfree, enc(R)D(R)\,4\pi R^2=Q_{\text{free, enc}}(R)

先求半徑 RR 內所包覆的自由電荷。

1. 電荷分布區域:0≤R≤b0\le R\le b

電荷密度為

ρ(R)=ρ0(1−R2b2)\rho(R)=\rho_0\left(1-\frac{R^2}{b^2}\right)

半徑 RR 內的總電荷為

Qenc(R)=4π∫0Rρ(r)r2 drQ_{\text{enc}}(R) =4\pi\int_0^R \rho(r)r^2\,dr =4πρ0∫0R(1−r2b2)r2 dr=4\pi\rho_0\int_0^R \left(1-\frac{r^2}{b^2}\right)r^2\,dr =4πρ0(R33−R55b2)=4\pi\rho_0 \left(\frac{R^3}{3}-\frac{R^5}{5b^2}\right)

因此

D(R)=Qenc(R)4πR2=ρ0(R3−R35b2)D(R) =\frac{Q_{\text{enc}}(R)}{4\pi R^2} =\rho_0\left(\frac{R}{3}-\frac{R^3}{5b^2}\right)

在此區域為真空,所以

E(R)=D(R)ϵ0\mathbf{E}(R)=\frac{\mathbf{D}(R)}{\epsilon_0}

2. 電荷分布的總電荷

令 R=bR=b,可得整個帶電球的總電荷:

Q=4πρ0(b33−b55b2)Q =4\pi\rho_0 \left(\frac{b^3}{3}-\frac{b^5}{5b^2}\right) Q=4πρ0b3(13−15)=8πρ0b315Q =4\pi\rho_0b^3\left(\frac13-\frac15\right) =\frac{8\pi\rho_0b^3}{15}

定義

k≡Q4πϵ0=2ρ0b315ϵ0k\equiv \frac{Q}{4\pi\epsilon_0} =\frac{2\rho_0b^3}{15\epsilon_0}

後續電位與電場可用 kk 表示。


電場強度 E\mathbf{E}

區域一:0≤R≤b0\le R\le b

由上面的結果,

E(R)=ρ0ϵ0(R3−R35b2)R^\boxed{ \mathbf{E}(R) = \frac{\rho_0}{\epsilon_0} \left(\frac{R}{3}-\frac{R^3}{5b^2}\right)\hat{\mathbf{R}} }

區域二:b<R<Rib<R<R_i

此時高斯球已包覆全部自由電荷 QQ,且所在區域為真空:

D(R)=Q4πR2D(R)=\frac{Q}{4\pi R^2}

因此

E(R)=Q4πϵ0R2R^=2ρ0b315ϵ0R2R^\boxed{ \mathbf{E}(R) = \frac{Q}{4\pi\epsilon_0R^2}\hat{\mathbf{R}} = \frac{2\rho_0b^3}{15\epsilon_0R^2}\hat{\mathbf{R}} }

區域三:Ri<R<RoR_i<R<R_o

此區域為介電質,介電常數為 ϵ=ϵ0ϵr\epsilon=\epsilon_0\epsilon_r。由於介電質內沒有額外的自由電荷,D\mathbf{D} 仍為

D(R)=Q4πR2R^\mathbf{D}(R)=\frac{Q}{4\pi R^2}\hat{\mathbf{R}}

故

E(R)=Q4πϵ0ϵrR2R^=2ρ0b315ϵ0ϵrR2R^\boxed{ \mathbf{E}(R) = \frac{Q}{4\pi\epsilon_0\epsilon_rR^2}\hat{\mathbf{R}} = \frac{2\rho_0b^3}{15\epsilon_0\epsilon_rR^2}\hat{\mathbf{R}} }

區域四:R>RoR>R_o

在介電質外部為真空,且高斯球仍包覆總自由電荷 QQ:

E(R)=Q4πϵ0R2R^=2ρ0b315ϵ0R2R^\boxed{ \mathbf{E}(R) = \frac{Q}{4\pi\epsilon_0R^2}\hat{\mathbf{R}} = \frac{2\rho_0b^3}{15\epsilon_0R^2}\hat{\mathbf{R}} }

電位 VV

電位由

V(R)=∫R∞E⋅dlV(R)=\int_R^\infty \mathbf{E}\cdot d\mathbf{l}

求得。介面處沒有理想偶極層,因此電位必須連續。

區域四:R≥RoR\ge R_o

由於外部為真空,

V(R)=∫R∞kr2 drV(R)=\int_R^\infty \frac{k}{r^2}\,dr

因此

V(R)=kR=Q4πϵ0R=2ρ0b315ϵ0R\boxed{ V(R)=\frac{k}{R} =\frac{Q}{4\pi\epsilon_0R} =\frac{2\rho_0b^3}{15\epsilon_0R} }

區域三:Ri≤R≤RoR_i\le R\le R_o

先由 RR 積分至 RoR_o:

V(R)=V(Ro)+∫RRokϵrr2 drV(R)=V(R_o)+\int_R^{R_o} \frac{k}{\epsilon_r r^2}\,dr

其中

V(Ro)=kRoV(R_o)=\frac{k}{R_o}

所以

V(R)=kRo+kϵr(1R−1Ro)V(R) = \frac{k}{R_o} +\frac{k}{\epsilon_r} \left(\frac1R-\frac1{R_o}\right)

整理得

V(R)=k[1ϵrR+(1−1ϵr)1Ro]\boxed{ V(R) = k\left[ \frac{1}{\epsilon_rR} +\left(1-\frac1{\epsilon_r}\right)\frac1{R_o} \right] }

區域二:b≤R≤Rib\le R\le R_i

先求 RiR_i 處的電位:

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第 2 題17 分

Consider the rectangular region shown below as the cross section of an enclosure formed by four conducting planes. All planes are assumed to be infinite in extent in the z-direction. Determine the electric potential distribution within this region if the top and bottom planes are grounded, and the left and right planes are kept at constant potentials V1V_1 and V2V_2, respectively.
2. (17%) Consider the rectangular region shown below as the cross section of an enclosure formed by four
conducting planes. All planes are assumed to be infinite in extent in the z-direction. Determine the electric
potential distribution within this region if the top and bottom planes are grounded, and the left and right
planes are kept at constant potentials V₁ and V2, respectively.

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核心觀念

本題利用以下三個觀念:

  1. 靜電場中的電位滿足拉普拉斯方程式

    矩形區域內沒有體電荷,因此由高斯定律可得

    ∇2V=0\nabla^2 V=0

    因為各導電平面沿 zz 方向無限延伸,且邊界條件與 zz 無關,所以電位與 zz 無關:

    ∂V∂z=0\frac{\partial V}{\partial z}=0

    故方程式化為二維形式

    ∂2V∂x2+∂2V∂y2=0\frac{\partial^2 V}{\partial x^2}+\frac{\partial^2 V}{\partial y^2}=0

  2. 分離變數法

    矩形邊界適合使用 V(x,y)=X(x)Y(y)V(x,y)=X(x)Y(y),將二維問題化為兩個一維微分方程式。

  3. 唯一性定理

    只要矩形邊界上的電位完全指定,滿足拉普拉斯方程式的解至多只有一個。因此只要所求解同時滿足微分方程式及四邊界條件,即為唯一答案。


建立座標與邊界條件

設矩形寬度為 aa、高度為 bb,取座標範圍

0<x<a,0<y<b0<x<a,\qquad 0<y<b

其中:

  • 左側導體:x=0x=0,電位為 V1V_1
  • 右側導體:x=ax=a,電位為 V2V_2
  • 下側導體:y=0y=0,接地
  • 上側導體:y=by=b,接地

因此邊界條件為

V(0,y)=V1,0<y<bV(0,y)=V_1,\qquad 0<y<b V(a,y)=V2,0<y<bV(a,y)=V_2,\qquad 0<y<b V(x,0)=0,0<x<aV(x,0)=0,\qquad 0<x<a V(x,b)=0,0<x<aV(x,b)=0,\qquad 0<x<a

解題方法:分離變數法

令

V(x,y)=X(x)Y(y)V(x,y)=X(x)Y(y)

代入拉普拉斯方程式:

X′′(x)Y(y)+X(x)Y′′(y)=0X''(x)Y(y)+X(x)Y''(y)=0

兩邊除以 X(x)Y(y)X(x)Y(y):

X′′(x)X(x)=−Y′′(y)Y(y)\frac{X''(x)}{X(x)}=-\frac{Y''(y)}{Y(y)}

令分離常數為 k2k^2,得到

Y′′+k2Y=0Y''+k^2Y=0

以及

X′′−k2X=0X''-k^2X=0

由於 y=0y=0 與 y=by=b 均接地,必須滿足

Y(0)=Y(b)=0Y(0)=Y(b)=0

因此 Y(y)Y(y) 的本徵解為

Yn(y)=sin⁡(nπyb),n=1,2,3,…Y_n(y)=\sin\left(\frac{n\pi y}{b}\right), \qquad n=1,2,3,\ldots

並且

kn=nπbk_n=\frac{n\pi}{b}

對應的 xx 方向解為雙曲函數:

Xn(x)=Ansinh⁡(knx)+Bncosh⁡(knx)X_n(x)=A_n\sinh(k_nx)+B_n\cosh(k_nx)

分別處理左右邊界

將總電位分解為左右兩部分:

V(x,y)=VL(x,y)+VR(x,y)V(x,y)=V_L(x,y)+V_R(x,y)

其中 VLV_L 負責左側電位 V1V_1,VRV_R 負責右側電位 V2V_2。

左側邊界的貢獻

要求 VLV_L 滿足

VL(0,y)=V1,VL(a,y)=0V_L(0,y)=V_1,\qquad V_L(a,y)=0

可寫成

VL(x,y)=∑n=1∞Cnsinh⁡[kn(a−x)]sinh⁡(kna)sin⁡(kny)V_L(x,y)=\sum_{n=1}^{\infty} C_n \frac{\sinh\left[k_n(a-x)\right]}{\sinh(k_na)} \sin(k_ny)

在 x=0x=0 時:

VL(0,y)=∑n=1∞Cnsin⁡(kny)=V1V_L(0,y)=\sum_{n=1}^{\infty}C_n\sin(k_ny)=V_1

將常數 V1V_1 展開成傅立葉正弦級數:

V1=∑n=1∞Cnsin⁡(nπyb)V_1=\sum_{n=1}^{\infty}C_n \sin\left(\frac{n\pi y}{b}\right)

係數為

Cn=2b∫0bV1sin⁡(nπyb) dyC_n=\frac{2}{b}\int_0^b V_1 \sin\left(\frac{n\pi y}{b}\right)\,dy

計算得

Cn=2V1nπ[1−(−1)n]C_n=\frac{2V_1}{n\pi}\left[1-(-1)^n\right]

因此偶數 nn 的係數為零,只有奇數項存在:

Cn={4V1nπ,n 為奇數0,n 為偶數C_n= \begin{cases} \dfrac{4V_1}{n\pi}, & n\text{ 為奇數}\\[6pt] 0, & n\text{ 為偶數} \end{cases}

所以

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第 3 題17 分

A very long, straight wire and a conducting circular loop of radius bb are arranged as shown below.
(a) Determine the mutual inductance between them.
(b) Find the force on the circular loop that is exerted by the magnetic field due to an upward current I1I_1 in the long straight wire. The circular loop carries a current I2I_2 in the counterclockwise direction.
(Sop+qcose
π αθ
π
)
√p2-q2
d
b

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核心觀念

本題考查:

  • 互感定義
    M=Φ21I1M=\frac{\Phi_{21}}{I_1}
  • 長直導線的磁場
    B=μ0I12πxB=\frac{\mu_0 I_1}{2\pi x}
  • 固定電流下,利用磁能求力
    Fx=I1I2dMdxF_x=I_1I_2\frac{dM}{dx}

依圖示,假設長直導線與圓形線圈位於同一平面,圓線圈半徑為 bb,其圓心到長直導線的距離為 dd,且 d>bd>b。


(a) 互感

1. 長直導線的磁場

取圓線圈內距離長直導線為 xx 的窄條面積。長直導線通以電流 I1I_1,其磁場大小為

B(x)=μ0I12πx.B(x)=\frac{\mu_0 I_1}{2\pi x}.

將圓形線圈沿著與導線垂直的方向切割。位於 xx 到 x+dxx+dx 之間的弦長為

2b2−(x−d)2,2\sqrt{b^2-(x-d)^2},

因此窄條面積為

dA=2b2−(x−d)2 dx.dA=2\sqrt{b^2-(x-d)^2}\,dx.

磁通量大小為

Φ21=∫d−bd+bB(x) dA.\Phi_{21} =\int_{d-b}^{d+b}B(x)\,dA.

代入磁場與面積:

Φ21=μ0I1π∫d−bd+bb2−(x−d)2x dx.\Phi_{21} = \frac{\mu_0 I_1}{\pi} \int_{d-b}^{d+b} \frac{\sqrt{b^2-(x-d)^2}}{x}\,dx.

令 u=x−du=x-d,則積分變為

Φ21=μ0I1π∫−bbb2−u2d+u du.\Phi_{21} = \frac{\mu_0 I_1}{\pi} \int_{-b}^{b} \frac{\sqrt{b^2-u^2}}{d+u}\,du.

使用標準積分結果

∫−bbb2−u2d+u du=π(d−d2−b2),d>b,\int_{-b}^{b} \frac{\sqrt{b^2-u^2}}{d+u}\,du = \pi\left(d-\sqrt{d^2-b^2}\right), \qquad d>b,

得到磁通量大小

Φ21=μ0I1(d−d2−b2).\Phi_{21} = \mu_0 I_1 \left(d-\sqrt{d^2-b^2}\right).

因此互感大小為

M=μ0(d−d2−b2).\boxed{ M=\mu_0\left(d-\sqrt{d^2-b^2}\right) }.

2. 方向與互感正負號

若以紙面外為圓線圈逆時針電流的正法向,則長直導線向上通電時,在導線右側的磁場指向紙面內。因此磁通量與線圈正法向相反,帶符號的互感為

Msigned=−μ0(d−d2−b2).\boxed{ M_{\text{signed}} = -\mu_0\left(d-\sqrt{d^2-b^2}\right) }.

一般題目所稱的互感通常取大小,故答案寫成正值的 MM 即可;求力時則必須考慮方向。


(b) 圓線圈所受的力

1. 利用磁能求力

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第 4 題5 分

Assume a wave E(x,y,z)=Ex(z)x^E(x, y, z) = E_x(z) \hat{x} propagating in a simple (homogeneous, isotropic, linear, lossless, source free), unbounded medium. Please use Helmholtz equation to obtain Ex(z)E_x(z). (5%) Then, please derive the corresponding HH.

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核心觀念

本題考查均勻、各向同性、線性、無耗損、無源介質中的平面電磁波,核心公式包括:

  • 電場 Helmholtz 方程式
  • 波數 k=ωμεk=\omega\sqrt{\mu\varepsilon}
  • 法拉第定律求磁場
  • 電場與磁場的方向、大小關係

採用時間因子 ejωte^{j\omega t},並假設波沿 +z+z 方向傳播。

介質參數為

ε=介電常數,μ=導磁率\varepsilon=\text{介電常數},\qquad \mu=\text{導磁率}

因為介質無耗損,ε\varepsilon 與 μ\mu 均為實數,波數為

k=ωμεk=\omega\sqrt{\mu\varepsilon}

一、利用 Helmholtz 方程式求 Ex(z)E_x(z)

無源且無耗損介質中的電場 Helmholtz 方程式為

∇2E+k2E=0\nabla^2\mathbf{E}+k^2\mathbf{E}=0

題目給定

E(x,y,z)=Ex(z)x^\mathbf{E}(x,y,z)=E_x(z)\hat{\mathbf{x}}

表示電場只有 xx 方向分量,且僅隨 zz 變化。因此

∇2E=d2Ex(z)dz2x^\nabla^2\mathbf{E} = \frac{d^2E_x(z)}{dz^2}\hat{\mathbf{x}}

代入 Helmholtz 方程式:

[d2Ex(z)dz2+k2Ex(z)]x^=0\left[ \frac{d^2E_x(z)}{dz^2}+k^2E_x(z) \right]\hat{\mathbf{x}}=0

故 Ex(z)E_x(z) 滿足常微分方程式

d2Ex(z)dz2+k2Ex(z)=0\frac{d^2E_x(z)}{dz^2}+k^2E_x(z)=0

其特徵方程式為

r2+k2=0r^2+k^2=0

因此

r=±jkr=\pm jk

一般解為

Ex(z)=Ae−jkz+BejkzE_x(z)=A e^{-jkz}+B e^{jkz}

其中:

  • Ae−jkzA e^{-jkz} 對應沿 +z+z 方向傳播的波;
  • BejkzB e^{jkz} 對應沿 −z-z 方向傳播的波。

題目指稱波沿 +z+z 方向傳播,因此取 B=0B=0,得到

E(z)=E0e−jkzx^\boxed{ \mathbf{E}(z)=E_0e^{-jkz}\hat{\mathbf{x}} }

其中 E0E_0 為電場相量振幅。

若寫成實際時域電場,則

E(z,t)=Re⁡{E0ejωt−jkz}x^\mathbf{E}(z,t) = \operatorname{Re} \left\{ E_0e^{j\omega t-jkz} \right\} \hat{\mathbf{x}}

若 E0E_0 為實數,則

E(z,t)=E0cos⁡(ωt−kz)x^\mathbf{E}(z,t) = E_0\cos(\omega t-kz)\hat{\mathbf{x}}

二、由法拉第定律求對應的 HH

在 ejωte^{j\omega t} 慣例下,法拉第定律的相量形式為

∇×E=−jωμH\nabla\times\mathbf{E}=-j\omega\mu\mathbf{H}

由

E=Ex(z)x^\mathbf{E}=E_x(z)\hat{\mathbf{x}}

可得旋度

∇×E=dExdzy^\nabla\times\mathbf{E} = \frac{dE_x}{dz}\hat{\mathbf{y}}

對沿 +z+z 方向傳播的電場

Ex(z)=E0e−jkzE_x(z)=E_0e^{-jkz}

其導數為

dExdz=−jkEx\frac{dE_x}{dz} = -jkE_x

因此

∇×E=−jkExy^\nabla\times\mathbf{E} = -jkE_x\hat{\mathbf{y}}

代入法拉第定律:

−jkExy^=−jωμH-jkE_x\hat{\mathbf{y}} = -j\omega\mu\mathbf{H}

整理得

H=kωμExy^\mathbf{H} = \frac{k}{\omega\mu}E_x\hat{\mathbf{y}}

利用

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第 5 題15 分

In a simple but lossy media (σ≠0\sigma \neq 0), the uniform plane wave will have a complex propagation constant γ=α+jβ\gamma = \alpha + j\beta, please derive α\alpha and β\beta in terms of permittivity ϵ\epsilon, permeability μ\mu, and conductivity σ\sigma.

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核心觀念

本題考查均勻平面波在有損介質中的傳播常數。介質具有:

  • 電導率 σ≠0\sigma\neq 0
  • 區域介電率 ϵ\epsilon
  • 區域磁導率 μ\mu

複數傳播常數定義為

γ=α+jβ\gamma=\alpha+j\beta

其中:

  • α\alpha:衰減常數,單位為 Np/m\mathrm{Np/m}
  • β\beta:相位常數,單位為 rad/m\mathrm{rad/m}

採用時間因子 ejωte^{j\omega t},且波沿 +z+z 方向傳播時,電場可寫成

E(z)=E0e−γz=E0e−αze−jβz\mathbf{E}(z)=\mathbf{E}_0e^{-\gamma z} =\mathbf{E}_0e^{-\alpha z}e^{-j\beta z}

因此 α\alpha 描述振幅隨距離的衰減,β\beta 描述相位隨距離的變化。


解題方法

由 Maxwell 方程式,在均勻、線性、等向性的有損介質中,電場滿足波動方程式

∇2E=μσ∂E∂t+μϵ∂2E∂t2\nabla^2\mathbf{E} = \mu\sigma\frac{\partial\mathbf{E}}{\partial t} + \mu\epsilon\frac{\partial^2\mathbf{E}}{\partial t^2}

對時間因子 ejωte^{j\omega t} 而言,

∂∂t→jω\frac{\partial}{\partial t}\rightarrow j\omega

因此一維平面波的波動方程式為

d2Edz2=(jωμσ−ω2μϵ)E\frac{d^2\mathbf{E}}{dz^2} = \left(j\omega\mu\sigma-\omega^2\mu\epsilon\right)\mathbf{E}

由 E(z)=E0e−γz\mathbf{E}(z)=\mathbf{E}_0e^{-\gamma z} 可得

d2Edz2=γ2E\frac{d^2\mathbf{E}}{dz^2} = \gamma^2\mathbf{E}

所以

γ2=jωμσ−ω2μϵ\gamma^2 = j\omega\mu\sigma-\omega^2\mu\epsilon

整理為

γ2=jωμ(σ+jωϵ)\gamma^2 = j\omega\mu(\sigma+j\omega\epsilon)

將 γ=α+jβ\gamma=\alpha+j\beta 代入:

(α+jβ)2=α2−β2+j2αβ(\alpha+j\beta)^2 = \alpha^2-\beta^2+j2\alpha\beta

另一方面,

jωμ(σ+jωϵ)=−ω2μϵ+jωμσj\omega\mu(\sigma+j\omega\epsilon) = -\omega^2\mu\epsilon+j\omega\mu\sigma

比較實部與虛部,得到

α2−β2=−ω2μϵ\alpha^2-\beta^2=-\omega^2\mu\epsilon

以及

2αβ=ωμσ2\alpha\beta=\omega\mu\sigma

再利用

(α2+β2)2=(α2−β2)2+(2αβ)2(\alpha^2+\beta^2)^2 = (\alpha^2-\beta^2)^2+(2\alpha\beta)^2

可得

(α2+β2)2=ω4μ2ϵ2+ω2μ2σ2(\alpha^2+\beta^2)^2 = \omega^4\mu^2\epsilon^2+\omega^2\mu^2\sigma^2

因此

α2+β2=ωμσ2+ω2ϵ2\alpha^2+\beta^2 = \omega\mu\sqrt{\sigma^2+\omega^2\epsilon^2}

聯立前述兩式:

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第 6 題20 分

In a rectangular waveguide with perfect conductor for the four sidewalls, the wave propagates in the +z direction. The width of the waveguide is bb in the y direction and aa in the x direction. Please solve the TM modes in the waveguide and show the following field components Ex,Ey,Ez,Hx,HyE_x, E_y, E_z, H_x, H_y. (5%) Please derive the cutoff angular frequency ωmn\omega_{mn} of this waveguide.

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這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查矩形波導中的 TM 模態與截止頻率。

矩形波導沿 +z+z 方向傳播,截面範圍為

0<x<a,0<y<b.0<x<a,\qquad 0<y<b.

TM 模態定義為

Hz=0,Ez≠0.H_z=0,\qquad E_z\neq 0.

採用時間相量慣例 ejωte^{j\omega t},並令波沿 +z+z 方向以 e−jβze^{-j\beta z} 傳播。定義

k=ωμε,k=\omega\sqrt{\mu\varepsilon},

其中 kk 是介質中的波數,β\beta 是縱向傳播常數,kck_c 是截止波數。


解題方法:先求縱向電場 EzE_z

在均勻波導中,TM 模態的縱向電場滿足橫向亥姆霍茲方程:

∇t2Ez+kc2Ez=0,\nabla_t^2 E_z+k_c^2E_z=0,

其中

∇t2=∂2∂x2+∂2∂y2.\nabla_t^2= \frac{\partial^2}{\partial x^2} + \frac{\partial^2}{\partial y^2}.

由於四面側壁為理想導體,導體表面的切向電場必須為零。

在 x=0x=0 與 x=ax=a 側壁上,EzE_z 是切向分量,因此

Ez=0.E_z=0.

在 y=0y=0 與 y=by=b 側壁上,同樣有

Ez=0.E_z=0.

因此縱向電場必須採用正弦形式:

Ez=E0sin⁡(mπxa)sin⁡(nπyb)e−jβz,E_z=E_0 \sin\left(\frac{m\pi x}{a}\right) \sin\left(\frac{n\pi y}{b}\right) e^{-j\beta z},

其中

m,n=1,2,3,…m,n=1,2,3,\ldots

TM 模態不能有 m=0m=0 或 n=0n=0,因為只要其中一個為零,EzE_z 將處處為零,便不再是 TM 模態。

將上述 EzE_z 代入橫向亥姆霍茲方程,可得截止波數:

kc2=(mπa)2+(nπb)2.k_c^2= \left(\frac{m\pi}{a}\right)^2 + \left(\frac{n\pi}{b}\right)^2.

橫向場與縱向場的關係

對於 TM 模態,Hz=0H_z=0,由 Maxwell 方程式可得

Et=−jβkc2∇tEz,\mathbf E_t = -\frac{j\beta}{k_c^2} \nabla_t E_z, Ht=jωεkc2z^×∇tEz.\mathbf H_t = \frac{j\omega\varepsilon}{k_c^2} \hat{\mathbf z}\times\nabla_t E_z.

因此各分量為

Ex=−jβkc2∂Ez∂x,Ey=−jβkc2∂Ez∂y,E_x=-\frac{j\beta}{k_c^2} \frac{\partial E_z}{\partial x}, \qquad E_y=-\frac{j\beta}{k_c^2} \frac{\partial E_z}{\partial y}, Hx=jωεkc2∂Ez∂y,Hy=−jωεkc2∂Ez∂x.H_x=\frac{j\omega\varepsilon}{k_c^2} \frac{\partial E_z}{\partial y}, \qquad H_y=-\frac{j\omega\varepsilon}{k_c^2} \frac{\partial E_z}{\partial x}.

各場分量

先計算 EzE_z 的偏微分:

∂Ez∂x=E0mπacos⁡(mπxa)sin⁡(nπyb)e−jβz,\frac{\partial E_z}{\partial x} = E_0\frac{m\pi}{a} \cos\left(\frac{m\pi x}{a}\right) \sin\left(\frac{n\pi y}{b}\right) e^{-j\beta z}, ∂Ez∂y=E0nπbsin⁡(mπxa)cos⁡(nπyb)e−jβz.\frac{\partial E_z}{\partial y} = E_0\frac{n\pi}{b} \sin\left(\frac{m\pi x}{a}\right) \cos\left(\frac{n\pi y}{b}\right) e^{-j\beta z}.

所以

電場分量

Ex=−jβE0kc2mπacos⁡(mπxa)sin⁡(nπyb)e−jβz,E_x= -\frac{j\beta E_0}{k_c^2} \frac{m\pi}{a} \cos\left(\frac{m\pi x}{a}\right) \sin\left(\frac{n\pi y}{b}\right) e^{-j\beta z}, Ey=−jβE0kc2nπbsin⁡(mπxa)cos⁡(nπyb)e−jβz,E_y= -\frac{j\beta E_0}{k_c^2} \frac{n\pi}{b} \sin\left(\frac{m\pi x}{a}\right) \cos\left(\frac{n\pi y}{b}\right) e^{-j\beta z},
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