114 年 國立臺灣大學生醫電子與資訊學研究所甲組《應用電子學》

📄 試題原卷 免費註冊後即可對照原始考卷 PDF免費註冊

第 1 題16 分

  1. (16%) In Fig. 1, please calculate the value of RoutR_{\text{out}} for maximum power, and determine the maximum power absorbed by RoutR_{\text{out}}.

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 1 頁

登入後即可作答並保存紀錄。

這一題的完整詳解

核心觀念

求負載 RoutR_{\text{out}} 最大功率時,使用戴維寧等效電路:

Rout=RthR_{\text{out}}=R_{\text{th}}

最大吸收功率為

Pmax⁡=Vth24RthP_{\max}=\frac{V_{\text{th}}^2}{4R_{\text{th}}}

其中 VthV_{\text{th}} 是移除 RoutR_{\text{out}} 後的開路電壓,RthR_{\text{th}} 是由負載端看入的等效電阻。


一、求戴維寧電阻 RthR_{\text{th}}

將獨立電壓源 3 V3\text{ V}、2 V2\text{ V} 短路,將獨立電流源 4 A4\text{ A} 開路。

此時由 RoutR_{\text{out}} 端看入,1 kΩ1\text{ k}\Omega 與 2 kΩ2\text{ k}\Omega 並聯:

Rth=1 kΩ∥2 kΩR_{\text{th}} =1\text{ k}\Omega\parallel 2\text{ k}\Omega Rth=(1)(2)1+2 kΩ=23 kΩ=666.7 ΩR_{\text{th}} =\frac{(1)(2)}{1+2}\text{ k}\Omega =\frac{2}{3}\text{ k}\Omega =666.7\ \Omega

因此最大功率傳輸時:

Rout=666.7 Ω\boxed{R_{\text{out}}=666.7\ \Omega}

二、求開路電壓 VthV_{\text{th}}

移除 RoutR_{\text{out}} 後,右側端點為開路。設左側上方節點電壓為 VAV_A。

由圖中 2 V2\text{ V} 電壓源的極性,通往 2 kΩ2\text{ k}\Omega 電阻的節點電壓為:

VA−2V_A-2

對上方節點列 KCL,取流出節點的電流總和為零:

🔒

後續完整解題步驟與【答案】

免費註冊,享三天全站完整詳解閱覽。

免費註冊

第 2 題14 分

  1. (14%) In Fig. 2, please find voutv_{\text{out}} if viv_i equals -5 V.

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 1 頁

登入後即可作答並保存紀錄。

這一題的完整詳解

核心觀念

本題由兩級理想運算放大器組成,使用:

  • 理想運算放大器虛接地:反相端與非反相端電壓相等。
  • 輸入端電流為零。
  • 反相放大器公式:
    vo=−RfRinvinv_o=-\frac{R_f}{R_{in}}v_{in}
  • 第二級為差動/加法放大器。

解題方法

第一級運算放大器的非反相端接地,因此反相端為虛地。其輸入電阻為 500 kΩ500\,\text{k}\Omega,回授電阻為 1.5 kΩ1.5\,\text{k}\Omega,故第一級輸出為

v1=−1.5 kΩ500 kΩ(1.5 V)=−4.5 mVv_1=-\frac{1.5\,\text{k}\Omega}{500\,\text{k}\Omega}(1.5\,\text{V}) =-4.5\,\text{mV}

第二級的非反相端由 viv_i 經 5 kΩ5\,\text{k}\Omega 與接地的 5 kΩ5\,\text{k}\Omega 分壓,因此

v+=5 kΩ5 kΩ+5 kΩvi=vi2v_+=\frac{5\,\text{k}\Omega}{5\,\text{k}\Omega+5\,\text{k}\Omega}v_i =\frac{v_i}{2}

給定 vi=−5 Vv_i=-5\,\text{V}:

v+=−2.5 Vv_+=-2.5\,\text{V}

由虛短路,

v−=v+=−2.5 Vv_-=v_+=-2.5\,\text{V}
🔒

後續完整解題步驟與【答案】

免費註冊,享三天全站完整詳解閱覽。

免費註冊

第 3 題24 分

  1. (24%) In Fig. 3, let is=60e−200t mAi_s = 60e^{-200t} \text{ mA} with is(0)=20 mAi_s(0) = 20 \text{ mA}. (a) Find v(t)v(t) for all tt. (b) Find i1(t)i_1(t) for t≥0t \ge 0. (c) Find i2(t)i_2(t) for t≥0t \ge 0.

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 1 頁

登入後即可作答並保存紀錄。

這一題的完整詳解

核心觀念

圖 3 中,6 H6\,\text{H} 與 4 H4\,\text{H} 電感並聯,因此兩者端電壓相同,且

v(t)=6di1dt=4di2dt.v(t)=6\frac{di_1}{dt}=4\frac{di_2}{dt}.

由 KCL,電流源電流分流為

is(t)=i1(t)+i2(t).i_s(t)=i_1(t)+i_2(t).

並聯電感的等效值為

Leq=6×46+4=2.4 H.L_{\text{eq}}=\frac{6\times4}{6+4}=2.4\,\text{H}.

依原圖,初始條件為 i1(0)=20 mAi_1(0)=20\,\text{mA}。


(a) 求 v(t)v(t)

並聯電感兩端的等效電壓為

v(t)=Leqdisdt.v(t)=L_{\text{eq}}\frac{di_s}{dt}.

已知

is(t)=60e−200t mA=0.06e−200t A,i_s(t)=60e^{-200t}\,\text{mA} =0.06e^{-200t}\,\text{A},

因此

disdt=−12e−200t A/s.\frac{di_s}{dt} =-12e^{-200t}\,\text{A/s}.

所以

v(t)=2.4(−12e−200t)\boxed{v(t)=2.4\left(-12e^{-200t}\right)} v(t)=−28.8e−200t V\boxed{v(t)=-28.8e^{-200t}\,\text{V}}

其中電壓極性為圖中上正下負。此結果對所有 tt 成立。


(b) 求 i1(t)i_1(t)

由

v(t)=6di1dt,v(t)=6\frac{di_1}{dt},

可得

di1dt=−28.8e−200t6=−4.8e−200t A/s.\frac{di_1}{dt} =\frac{-28.8e^{-200t}}{6} =-4.8e^{-200t}\,\text{A/s}.

由初始條件 i1(0)=20 mAi_1(0)=20\,\text{mA},

i1(t)=i1(0)+∫0tv(τ)6 dτ.i_1(t)=i_1(0)+\int_0^t\frac{v(\tau)}{6}\,d\tau.

因此

🔒

後續完整解題步驟與【答案】

免費註冊,享三天全站完整詳解閱覽。

免費註冊

第 4 題12 分

  1. (12%) Please plot the input/output characteristics of the circuits depicted in Figs. 4(a) and 4(b) using an ideal model for the diodes. Assume VB=2 VV_B = 2 \text{ V}.

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 1 頁

登入後即可作答並保存紀錄。

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查理想二極體的導通判斷與限幅電路分析:

  • 理想二極體導通時,視為短路,且正向壓降 VD=0V_D=0。
  • 理想二極體截止時,視為開路。
  • 分析時先假設二極體截止,再檢查其偏壓是否符合;若不符合,改以導通狀態分析。
  • VB=2 VV_B=2\text{ V}。

Fig. 4(a)

圖中二極體的陽極接於電池正端,陰極接於輸出端,因此二極體在

VB>voV_B>v_o

時導通。

1. 二極體截止

截止時支路無電流,R1R_1 中也沒有電流,因此

vo=vinv_o=v_{in}

截止條件為

vin≥VB=2 Vv_{in}\geq V_B=2\text{ V}

2. 二極體導通

導通時二極體為短路,輸出端被箝位至電池電壓:

vo=VB=2 Vv_o=V_B=2\text{ V}

此時若 vin<2 Vv_{in}<2\text{ V},電流經由電池與二極體流向輸入端,二極體確實保持導通。

因此 Fig. 4(a) 的輸入輸出特性為

vo={2 V,vin<2 Vvin,vin≥2 V\boxed{ v_o= \begin{cases} 2\text{ V}, & v_{in}<2\text{ V}\\[4pt] v_{in}, & v_{in}\geq 2\text{ V} \end{cases} }

亦可寫成

vo=max⁡(vin,2 V)\boxed{v_o=\max(v_{in},2\text{ V})}

這是一個下限限幅器,輸出最低被限制在 2 V2\text{ V}。


Fig. 4(b)

此電路的輸出端經由 R1R_1 接地,因此二極體截止時輸出為零。電池正端接近二極體陽極,電池負端接至輸出端,所以二極體導通時有

vanode=vo+VB=vo+2v_{\text{anode}}=v_o+V_B=v_o+2

而陰極電壓為 vinv_{in}。

1. 二極體截止

截止時輸出端只經由 R1R_1 接地,因此

vo=0v_o=0

此時二極體陽極電壓為

🔒

後續完整解題步驟與【答案】

免費註冊,享三天全站完整詳解閱覽。

免費註冊

第 5 題16 分

  1. (16%) The transistor in Fig. 5 is biased with a constant current source I=1 mAI = 1 \text{ mA} and has β=100\beta = 100 and VA=100 VV_A = 100 \text{ V}. Please calculate the overall voltage gain vo/vsigv_o / v_{sig}.

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 1 頁

登入後即可作答並保存紀錄。

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查含有限電流增益 β\beta 與 Early effect 的 BJT 小訊號分析。

中頻時,輸入與輸出耦合電容視為短路;理想定電流源的小訊號等效為開路。因此:

  • 集極接 RC=8 kΩR_C=8\,\text{k}\Omega 至交流接地。
  • 基極由理想訊號源驅動,故 vb=vsigv_b=v_{sig}。
  • 射極僅透過晶體管內部小訊號參數與集極、基極相連。
  • VAV_A 用來求 ror_o。

由直流偏壓:

IC=ββ+1IE=100101(1 mA)=0.9901 mAI_C=\frac{\beta}{\beta+1}I_E =\frac{100}{101}(1\,\text{mA}) =0.9901\,\text{mA}

取 VT=25 mVV_T=25\,\text{mV},則

gm=ICVT=0.9901 mA25 mV=39.60 mSg_m=\frac{I_C}{V_T} =\frac{0.9901\,\text{mA}}{25\,\text{mV}} =39.60\,\text{mS} gπ=gmβ=0.3960 mSg_\pi=\frac{g_m}{\beta}=0.3960\,\text{mS} ro=VAIC=100 V0.9901 mA=101 kΩr_o=\frac{V_A}{I_C} =\frac{100\,\text{V}}{0.9901\,\text{mA}} =101\,\text{k}\Omega

因此

go=1ro=9.901 μSg_o=\frac{1}{r_o}=9.901\,\mu\text{S}

解題方法

圖中集極輸出端標示為 YY,射極輸出端標示為 ZZ;以下將題目所稱 vov_o 按通常慣例解讀為集極端 YY 的輸出電壓。

令 vb=vsigv_b=v_{sig},以 vc,vev_c,v_e 分別表示集極與射極小訊號電壓。

射極節點套用 KCL:

(gm+gπ+go)ve−govc=(gm+gπ)vb(g_m+g_\pi+g_o)v_e-g_o v_c =(g_m+g_\pi)v_b

集極節點套用 KCL:

(RC−1+go)vc−(gm+go)ve=−gmvb(R_C^{-1}+g_o)v_c-(g_m+g_o)v_e =-g_m v_b

代入

RC−1=18 kΩ=125 μSR_C^{-1}=\frac{1}{8\,\text{k}\Omega}=125\,\mu\text{S}

可得

🔒

後續完整解題步驟與【答案】

免費註冊,享三天全站完整詳解閱覽。

免費註冊

第 6 題18 分

  1. (18%) The NMOS and PMOS transistors in the circuit of Fig. 6 are matched with kn′(Wn/Ln)=kp′(Wp/Lp)=1 mA/V2k'_n(W_n/L_n)=k'_p(W_p/L_p) = 1 \text{ mA/V}^2 and −Vtp=Vtn=1 V-V_{tp} = V_{tn} = 1 \text{ V}. Assuming λ=0\lambda = 0 for both devices, find the drain currents iDNi_{DN} and iDPi_{DP} and the voltage vov_o for vi=0 Vv_i = 0 \text{ V}, +2.5 V+2.5 \text{ V}, and −2.5 V-2.5 \text{ V}.

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】

🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 1 頁

登入後即可作答並保存紀錄。

這一題的完整詳解

核心觀念

圖 6 為互補式 MOS 反相器,輸出端接 10 kΩ10\,\text{k}\Omega 電阻至地。已知

βn=βp=k′(W/L)=1 mA/V2\beta_n=\beta_p=k'(W/L)=1\,\text{mA/V}^2 Vtn=1 V,Vtp=−1 V,λ=0V_{tn}=1\,\text{V},\qquad V_{tp}=-1\,\text{V},\qquad \lambda=0

MOS 飽和區電流:

ID=12βVOV2I_D=\frac{1}{2}\beta V_{OV}^2

其中

VOV,n=VGS−Vtn,VOV,p=VSG−∣Vtp∣V_{OV,n}=V_{GS}-V_{tn},\qquad V_{OV,p}=V_{SG}-|V_{tp}|

MOS 三極區電流:

ID=β(VOVVDS−VDS22)I_D=\beta\left(V_{OV}V_{DS}-\frac{V_{DS}^2}{2}\right)

電源為 +2.5 V+2.5\,\text{V} 與 −2.5 V-2.5\,\text{V}。


解題方法

先依照輸入電壓判斷 NMOS、PMOS 的導通狀態,再利用輸出端 KCL 求 vov_o。當輸出接近某一電源端時,導通的 MOS 會落在三極區,必須使用三極區公式。

一、vi=0 Vv_i=0\,\text{V}

NMOS:

VGS,n=0−(−2.5)=2.5 VV_{GS,n}=0-(-2.5)=2.5\,\text{V} VOV,n=2.5−1=1.5 VV_{OV,n}=2.5-1=1.5\,\text{V}

PMOS:

VSG,p=2.5−0=2.5 VV_{SG,p}=2.5-0=2.5\,\text{V} VOV,p=2.5−1=1.5 VV_{OV,p}=2.5-1=1.5\,\text{V}

由於兩顆元件匹配,且電路上下對稱,輸出電壓為

vo=0 Vv_o=0\,\text{V}

此時兩顆 MOS 的汲極電壓差皆為 2.5 V2.5\,\text{V},且滿足飽和條件:

VDS,n=2.5 V>VOV,nV_{DS,n}=2.5\,\text{V}>V_{OV,n} VSD,p=2.5 V>VOV,pV_{SD,p}=2.5\,\text{V}>V_{OV,p}

因此

iDN=12(1)(1.5)2=1.125 mAi_{DN} =\frac{1}{2}(1)(1.5)^2 =1.125\,\text{mA} iDP=12(1)(1.5)2=1.125 mAi_{DP} =\frac{1}{2}(1)(1.5)^2 =1.125\,\text{mA}

二、vi=+2.5 Vv_i=+2.5\,\text{V}

NMOS:

VGS,n=2.5−(−2.5)=5 VV_{GS,n}=2.5-(-2.5)=5\,\text{V}

因此 NMOS 導通,且

VOV,n=5−1=4 VV_{OV,n}=5-1=4\,\text{V}

PMOS:

VSG,p=2.5−2.5=0 VV_{SG,p}=2.5-2.5=0\,\text{V}

所以 PMOS 截止:

iDP=0i_{DP}=0

令

x=VDS,n=vo−(−2.5)=vo+2.5x=V_{DS,n}=v_o-(-2.5)=v_o+2.5

由於輸出電壓接近 −2.5 V-2.5\,\text{V},NMOS 工作於三極區。NMOS 電流為

iDN=1(4x−x22) mAi_{DN} =1\left(4x-\frac{x^2}{2}\right)\,\text{mA}

電阻電流為

🔒

後續完整解題步驟與【答案】

免費註冊,享三天全站完整詳解閱覽。

免費註冊

其他考古題