108 年 國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班甲組《輸送現象》

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第 1 題20 分

Consider a laminar-flow Newtonian fluid with constant density (ρ\rho) and viscosity (μ\mu) is flowing through a circular pipe with a radius of R. Derive the velocity profile in this pipe. (Using shell-balance method)

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核心觀念

本題考查圓管內穩態層流的速度分布,核心定律包括:

  • 動量殼層平衡:壓力作用力與黏滯剪應力達到平衡。
  • 牛頓流體本構關係:
τrz=μdudr\tau_{rz}=\mu\frac{du}{dr}
  • 無滑移邊界條件:管壁處流體速度等於管壁速度,因此 u(R)=0u(R)=0。
  • 對稱性條件:管中心速度梯度為零,因此 du/dr∣r=0=0\left.du/dr\right|_{r=0}=0。

假設流體為穩態、不可壓縮、軸向對稱,且為充分發展流,因此軸向速度僅隨半徑 rr 變化:

uz=u(r)u_z=u(r)

令管長為 LL,入口與出口壓力差為

ΔP=Pin−Pout>0\Delta P=P_{\mathrm{in}}-P_{\mathrm{out}}>0

並定義沿流動方向的壓力降梯度:

G=ΔPL=−dpdz>0G=\frac{\Delta P}{L}=-\frac{dp}{dz}>0

解題方法:動量殼層平衡

取半徑為 rr、厚度為 drdr、長度為 LL 的圓柱形流體殼層。

1. 軸向壓力推動力

殼層兩端的壓力作用力合併後,沿流動方向的淨推動力為

FP=ΔPr(2πr dr)F_P=\Delta P_r(2\pi r\,dr)

以微分形式表示,單位長度上的壓力推動力為

G(2πr dr)LG(2\pi r\,dr)L

2. 剪應力阻力

半徑 rr 處的剪應力作用於圓柱表面,表面積為

A=2πrLA=2\pi rL

因此黏滯剪力為

Fτ=τ(r)(2πrL)F_\tau=\tau(r)(2\pi rL)

3. 進行殼層平衡

穩態下殼層沒有軸向加速度,壓力推動力等於剪應力阻力:

G(2πr dr)L=τ(r)(2πrL)G(2\pi r\,dr)L = \tau(r)(2\pi rL)

更嚴謹地,對半徑小於 rr 的流體柱進行平衡,可得

Gπr2L=τ(r)2πrLG\pi r^2L=\tau(r)2\pi rL

整理得剪應力分布:

τ(r)=Gr2\boxed{\tau(r)=\frac{Gr}{2}}

因此剪應力與半徑成正比,在管中心為零,在管壁達到最大值。


由牛頓流體定律求速度梯度

管中心速度最大,越靠近管壁速度越小,因此 du/dr<0du/dr<0。以剪應力大小表示牛頓流體定律:

τ(r)=−μdudr\tau(r)=-\mu\frac{du}{dr}

代入 τ(r)=Gr/2\tau(r)=Gr/2:

−μdudr=Gr2-\mu\frac{du}{dr}=\frac{Gr}{2}

因此

dudr=−G2μr\frac{du}{dr}=-\frac{G}{2\mu}r

積分一次:

u(r)=−G4μr2+C1u(r)=-\frac{G}{4\mu}r^2+C_1

套用無滑移邊界條件

管壁處 r=Rr=R,流體速度為零:

u(R)=0u(R)=0

代入速度分布式:

0=−G4μR2+C10=-\frac{G}{4\mu}R^2+C_1

所以

C1=GR24μC_1=\frac{GR^2}{4\mu}

因此圓管內的速度分布為

u(r)=G4μ(R2−r2)\boxed{ u(r)=\frac{G}{4\mu}\left(R^2-r^2\right) }

由 G=ΔP/LG=\Delta P/L,可寫成

u(r)=ΔP4μL(R2−r2)\boxed{ u(r)=\frac{\Delta P}{4\mu L}\left(R^2-r^2\right) }
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第 2 題20 分

Heat transfer from a wall to a falling fluid film in short contact time as shown in the Figure. vzv_z: the velocity profile of this falling fluid film; a laminar-flow Newtonian fluid with constant density (ρ\rho) and viscosity (μ\mu) is falling.

(a) Show that: vz=(ρgδ2/2μ)[2(y/δ)−(y/δ)2]v_z = (\rho g \delta^2 / 2\mu)[2(y/\delta) - (y/\delta)^2] assume vz≈(ρgδ/μ)yv_z \approx (\rho g \delta / \mu)y
(b) Show that: ρCpvz(∂T/∂z)=k(∂2T/∂y2)\rho C_p v_z (\partial T / \partial z) = k (\partial^2 T / \partial y^2) where CpC_p and kk are specific heat and heat conductivity of this fluid, respectively.
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核心觀念

本題考查:

  1. 以微元素進行 zz 方向的動量平衡,求垂直壁面上液膜的速度分布。
  2. 以微元素進行穩態能量平衡,建立液膜內的溫度控制方程。
  3. 薄膜為層流、牛頓流體,且 ρ\rho、μ\mu、CpC_p、kk 均為常數。

取座標如下:

  • zz 軸沿液膜下落方向,向下為正。
  • y=0y=0 位於壁面。
  • y=δy=\delta 位於液膜自由表面。
  • 壁面速度為零,故 vz(0)=0v_z(0)=0。
  • 自由表面無剪應力,故 dvzdy∣y=δ=0\left.\dfrac{dv_z}{dy}\right|_{y=\delta}=0。

(a)速度分布推導

對穩態、充分發展的一維流動,速度僅隨 yy 變化:

vz=vz(y)v_z=v_z(y)

在 zz 方向作微小流體元素的動量平衡。由於壓力梯度可忽略,重力為主要驅動力,因此:

0=ρg+μd2vzdy20=\rho g+\mu\frac{d^2v_z}{dy^2}

整理得:

d2vzdy2=−ρgμ\frac{d^2v_z}{dy^2}=-\frac{\rho g}{\mu}

第一次積分:

dvzdy=−ρgμy+C1\frac{dv_z}{dy} =-\frac{\rho g}{\mu}y+C_1

利用自由表面無剪應力條件:

dvzdy∣y=δ=0\left.\frac{dv_z}{dy}\right|_{y=\delta}=0

因此:

0=−ρgμδ+C10=-\frac{\rho g}{\mu}\delta+C_1 C1=ρgδμC_1=\frac{\rho g\delta}{\mu}

所以:

dvzdy=ρgμ(δ−y)\frac{dv_z}{dy} =\frac{\rho g}{\mu}(\delta-y)

再積分一次:

vz=ρgμ(δy−y22)+C2v_z=\frac{\rho g}{\mu} \left(\delta y-\frac{y^2}{2}\right)+C_2

壁面無滑移條件為:

vz(0)=0v_z(0)=0

故 C2=0C_2=0,得到:

vz=ρgμ(δy−y22)v_z=\frac{\rho g}{\mu} \left(\delta y-\frac{y^2}{2}\right)

將 δ2/2\delta^2/2 提出,並改寫成無因次形式:

vz=ρgδ22μ[2(yδ)−(yδ)2]v_z =\frac{\rho g\delta^2}{2\mu} \left[ 2\left(\frac{y}{\delta}\right) -\left(\frac{y}{\delta}\right)^2 \right]

因此證得題目所給速度分布:

vz=ρgδ22μ[2(yδ)−(yδ)2]\boxed{ v_z =\frac{\rho g\delta^2}{2\mu} \left[ 2\left(\frac{y}{\delta}\right) -\left(\frac{y}{\delta}\right)^2 \right] }

近壁面近似

當液膜內靠近壁面,滿足:

y≪δy\ll\delta

此時二次項可忽略:

(yδ)2≪2(yδ)\left(\frac{y}{\delta}\right)^2 \ll 2\left(\frac{y}{\delta}\right)

因此:

vz≈ρgδ22μ[2(yδ)]v_z \approx \frac{\rho g\delta^2}{2\mu} \left[ 2\left(\frac{y}{\delta}\right) \right]

整理得:

vz≈ρgδμy\boxed{ v_z\approx\frac{\rho g\delta}{\mu}y }

這表示靠近壁面時,速度分布近似為線性分布。


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第 3 題20 分

Gas A diffuses, dissolves, and reacts with liquid B. The concentration of A is CAoC_{Ao} at the free surface. The reaction rate per unit volume RA=−k1CAR_A = -k_1 C_A. Find the steady-state concentration distribution of A in the liquid. Assume constant physical properties in the liquid. k1k_1 is rate constant.

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本題考查化學反應與擴散耦合的問題,屬於反應擴散問題。要求在穩態下,找出液體中反應物 A 的濃度分佈。

核心觀念:

  • 質量傳輸: 反應物 A 從氣相界面擴散到液相中。
  • 化學反應: 在液相中,A 與 B 發生反應,反應速率與 A 的濃度有關(一級反應)。
  • 穩態質量平衡: 在穩態下,液體中任一點的組分 A 的淨流入率(擴散)等於其反應速率。

解題步驟:

  1. 建立質量平衡方程式:
    考慮一個垂直於界面的薄液層,厚度為 Δy\Delta y,面積為 SS。
    假設 yy 軸垂直於液體自由表面,向上為正。
    液體中的 A 的質量平衡方程式為:
    (A 的淨擴散進入量) + (A 在此薄層中產生的量) = (A 在此薄層中累積的量)

    在穩態下,累積項為零。
    淨擴散進入量 = (擴散進入的通量) ×\times (面積) - (擴散出去的通量) ×\times (面積)
    A 的通量由擴散和反應決定。
    擴散通量(Fick's Law):JA=−DABdCAdyJ_A = -D_{AB} \frac{dC_A}{dy},其中 DABD_{AB} 是 A 在 B 中的擴散係數。
    反應速率(單位體積):RA=−k1CAR_A = -k_1 C_A。

    考慮一個厚度為 Δy\Delta y 的薄層,其在 yy 位置的質量流入率為:
    JA(y)⋅S=(−DABdCAdy∣y)SJ_A(y) \cdot S = (-D_{AB} \frac{dC_A}{dy}|_y) S
    在 y+Δyy+\Delta y 位置的質量流出率為:
    JA(y+Δy)⋅S=(−DABdCAdy∣y+Δy)SJ_A(y+\Delta y) \cdot S = (-D_{AB} \frac{dC_A}{dy}|_{y+\Delta y}) S

    在此薄層中反應消耗的 A 的速率為:
    RA⋅(體積)=(−k1CA)⋅(SΔy)R_A \cdot (\text{體積}) = (-k_1 C_A) \cdot (S \Delta y)

    穩態質量平衡:
    JA(y)⋅S−JA(y+Δy)⋅S+RA⋅(SΔy)=0J_A(y) \cdot S - J_A(y+\Delta y) \cdot S + R_A \cdot (S \Delta y) = 0
    (−DABdCAdy∣y)S−(−DABdCAdy∣y+Δy)S+(−k1CA)SΔy=0(-D_{AB} \frac{dC_A}{dy}|_y) S - (-D_{AB} \frac{dC_A}{dy}|_{y+\Delta y}) S + (-k_1 C_A) S \Delta y = 0

    除以 SΔyS \Delta y 並令 Δy→0\Delta y \to 0:
    −DABddy(dCAdy)−k1CA=0-D_{AB} \frac{d}{dy} (\frac{dC_A}{dy}) - k_1 C_A = 0
    DABd2CAdy2−k1CA=0D_{AB} \frac{d^2 C_A}{dy^2} - k_1 C_A = 0
    d2CAdy2−k1DABCA=0\frac{d^2 C_A}{dy^2} - \frac{k_1}{D_{AB}} C_A = 0

    令 λ2=k1DAB\lambda^2 = \frac{k_1}{D_{AB}},則方程式變為:
    d2CAdy2−λ2CA=0\frac{d^2 C_A}{dy^2} - \lambda^2 C_A = 0

  2. 求解微分方程式:
    這是一個二階齊次線性微分方程式。其通解為:
    CA(y)=Aeλy+Be−λyC_A(y) = A e^{\lambda y} + B e^{-\lambda y}
    其中 AA 和 BB 是待定常數。

  3. 確定積分常數 AA 和 BB:
    需要兩個邊界條件。

    • 邊界條件 1: 在自由表面 (y=0y=0),A 的濃度為 CAoC_{Ao}。
      CA(0)=CAoC_A(0) = C_{Ao}
      Ae0+Be0=CAoA e^0 + B e^0 = C_{Ao}
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第 4 題10 分

(a) Derive the feed-line equation in the fractional distillation. (Please specify the symbols in the equation.)
(b) Explain the meaning corresponding to different cases of q values and specify the orientation of feed lines in the x-y plots for the following cases: (i) q>1q>1, (ii) q=1q=1, (iii) 0<q<10<q<1, (iv) q=0q=0, and (v) q<0q<0, where qq is the moles of liquid flow in the stripping section for each mole of feed.

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核心觀念

進料線(qq 線)描述精餾段與提餾段操作線的交點所滿足的關係。它由進料的物料衡算與進料熱狀態決定,並通過對角線上的進料組成點 (zF,zF)(z_F,z_F)。

qq 表示每莫耳進料所增加的液相流率,亦可視為進料在塔內條件下轉變成液體的等效莫耳分率。當進料為過冷液體時,q>1q>1;當進料為過熱蒸氣時,q<0q<0。因此,qq 超出 00 到 11 的範圍時,表示液體或蒸氣還伴隨顯熱變化,並非實際液相莫耳分率超出物理範圍。

解題方法與推導

令:

  • FF:進料莫耳流率。
  • zFz_F:進料中較易揮發成分的莫耳分率。
  • LL、VV:進料板上方精餾段的液相、氣相莫耳流率。
  • Lˉ\bar L、Vˉ\bar V:進料板下方提餾段的液相、氣相莫耳流率。
  • xx:液相中較易揮發成分的莫耳分率。
  • yy:氣相中較易揮發成分的莫耳分率。
  • DD、BB:塔頂餾出液與塔底產品的莫耳流率;其較易揮發成分莫耳分率分別為 xDx_D、xBx_B。

由 qq 的定義,進料使液相流率增加 qFqF,所以

Lˉ−L=qF\bar L-L=qF

對進料板作總莫耳衡算:

L+Vˉ+F=Lˉ+VL+\bar V+F=\bar L+V

代入 Lˉ−L=qF\bar L-L=qF,得到

Vˉ−V=(q−1)F\bar V-V=(q-1)F

在精餾段操作線與提餾段操作線的交點,兩操作線所對應的液相組成與氣相組成同為 x,yx,y。兩段操作線的組分衡算分別為

Vy=Lx+DxDVy=Lx+Dx_D Vˉy=Lˉx−BxB\bar V y=\bar Lx-Bx_B

以提餾段式減去精餾段式:

(Vˉ−V)y=(Lˉ−L)x−(DxD+BxB)(\bar V-V)y=(\bar L-L)x-(Dx_D+Bx_B)

全塔較易揮發成分衡算為

DxD+BxB=FzFDx_D+Bx_B=Fz_F

再代入液相與氣相流率差,可得

(q−1)Fy=qFx−FzF(q-1)Fy=qFx-Fz_F

除以 FF 並整理,即為進料線方程式:

y=qq−1x−zFq−1y=\frac{q}{q-1}x-\frac{z_F}{q-1}

等價形式為

qx+(1−q)y=zFqx+(1-q)y=z_F
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第 5 題20 分

Fenke equation: Minimum ideal plate in fractional distillation: Nmin=ln⁡{[xD(1−xB)]/[xB(1−xD)]}/ln⁡αABN_{min} = \ln \{[x_D(1 - x_B)]/[x_B(1 - x_D)]\}/\ln \alpha_{AB}
xDx_D and xBx_B are the concentrations of light component in the upper and the bottom of tower, αAB\alpha_{AB} is the relative volatility of liquids A and B. Derive this equation.

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核心觀念

本題考查精餾塔在**全回流(total reflux)**條件下,利用氣液平衡關係推導最少理論板數的 Fenske equation。

所需定義如下:

  • xx:液相中輕組分 A 的莫耳分率。
  • yy:氣相中輕組分 A 的莫耳分率。
  • xDx_D:塔頂產品中輕組分 A 的莫耳分率。
  • xBx_B:塔底產品中輕組分 A 的莫耳分率。
  • αAB\alpha_{AB}:A 相對於 B 的相對揮發度。

假設:

  1. A、B 為二元混合物。
  2. 每一理論板均達到氣液平衡。
  3. 相對揮發度 αAB\alpha_{AB} 為定值。
  4. 塔在全回流下操作。
  5. 全凝器不計為理論板,再沸器是否計入須依題目板數定義而定。

解題方法

全回流時,沒有淨產品取出,因此精餾段與提餾段的操作線均退化為:

y=xy=x

這表示在全回流下,從某一理論板離開的氣相,經冷凝後所形成的液相,其組成等於該氣相組成。因此,每一板都可視為利用平衡關係使輕組分逐板濃縮。


第一步:建立單一理論板的氣液平衡式

對理想二元系統,氣液平衡關係可由相對揮發度表示:

αAB=yA/xAyB/xB\alpha_{AB} = \frac{y_A/x_A}{y_B/x_B}

因為二元系統中:

xB=1−xAx_B=1-x_A

且:

yB=1−yAy_B=1-y_A

將 xA=xx_A=x、yA=yy_A=y 代入,可得:

αAB=y/(1−y)x/(1−x)\alpha_{AB} = \frac{y/(1-y)}{x/(1-x)}

因此:

y1−y=αABx1−x\frac{y}{1-y} = \alpha_{AB}\frac{x}{1-x}

此式顯示,氣相中 A 對 B 的莫耳比,是液相中 A 對 B 莫耳比的 αAB\alpha_{AB} 倍。


第二步:套用全回流條件

由於全回流時操作線為 y=xy=x,上方理論板的液相組成可視為下方理論板產生的氣相組成。

令第 ii 板液相中 A 的莫耳分率為 xix_i,而第 i+1i+1 板液相中 A 的莫耳分率為 xi+1x_{i+1}。在全回流下:

xi+1=yix_{i+1}=y_i

將 yi=xi+1y_i=x_{i+1} 代入氣液平衡式:

xi+11−xi+1=αABxi1−xi\frac{x_{i+1}}{1-x_{i+1}} = \alpha_{AB} \frac{x_i}{1-x_i}

這表示每通過一個理論板,A 對 B 的濃度比增加 αAB\alpha_{AB} 倍。


第三步:逐板累乘

從塔底開始,令:

x0=xBx_0=x_B

經過第一個理論板後:

x11−x1=αABxB1−xB\frac{x_1}{1-x_1} = \alpha_{AB} \frac{x_B}{1-x_B}

經過第二個理論板後:

x21−x2=αABx11−x1=αAB2xB1−xB\frac{x_2}{1-x_2} = \alpha_{AB} \frac{x_1}{1-x_1} = \alpha_{AB}^2 \frac{x_B}{1-x_B}
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