113 年 國立中正大學化學工程學系碩士班《單元操作與輸送現象》

📄 試題原卷 免費註冊後即可對照原始考卷 PDF免費註冊

第 1 題

There is a vertical falling liquid film along an immovable solid surface, with the following information: The film length and width are L and W, respectively, the fluid density and viscosity are ρ\rho and μ\mu, respectively, and the flow and shear directions are along the z- and x-axis, respectively.

(a) Use shell balance to set up the steady-state momentum equation. 【10分】
(b) If the fluid is Newtonian, solve the velocity profile vz(x)v_z(x). 【10分】
(c) If the mass flow rate ww is known, find an expression that can be used to determine the film thickness δ\delta. 【10分】

登入後即可作答並保存紀錄。

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查垂直平板上的穩態降膜流(falling liquid film),核心包括:

  • 以微小流體殼層進行動量衡算。

  • 牛頓流體的本構關係:

    τxz=μdvzdx\tau_{xz}=\mu\frac{dv_z}{dx}

  • 固體壁面無滑移條件。

  • 液膜自由表面無剪應力條件。

  • 由速度分布積分求質量流率。

以下假設:

  1. 固體壁面位於 x=0x=0,液膜自由表面位於 x=δx=\delta。
  2. zz 軸鉛直向下,與重力方向相同。
  3. 流動為穩態、層流、不可壓縮且充分發展。
  4. 沿 zz 方向沒有壓力梯度,即 dpdz=0\dfrac{dp}{dz}=0。
  5. 壁面固定不動,液膜寬度為 WW。

解題方法

取厚度為 dxdx、寬度為 WW、長度為 dzdz 的微小流體殼層。由於流動沿 zz 軸,速度只有 vz(x)v_z(x),且速度梯度存在於 xx 方向。

沿 zz 方向的作用力包括:

  • 上、下表面的剪應力。
  • 流體本身的重力。
  • 壓力力。

穩態充分發展流動下,慣性項為零,因此採用微分形式的動量衡算。


(a)以殼層衡算建立穩態動量方程

取 zz 方向為正方向。

在殼層兩側的剪應力合力為

[τxz(x+dx)−τxz(x)]W dz\left[\tau_{xz}(x+dx)-\tau_{xz}(x)\right]W\,dz

殼層所受重力為

ρg W dx dz\rho g\,W\,dx\,dz

若考慮壓力梯度,壓力力合力為

−dpdzW dx dz-\frac{dp}{dz}W\,dx\,dz

穩態下沿 zz 方向合力為零:

[τxz(x+dx)−τxz(x)]W dz+ρgW dx dz−dpdzW dx dz=0\left[\tau_{xz}(x+dx)-\tau_{xz}(x)\right]W\,dz +\rho gW\,dx\,dz -\frac{dp}{dz}W\,dx\,dz=0

除以 W dx dzW\,dx\,dz,並令 dx→0dx\to 0:

dτxzdx+ρg−dpdz=0\boxed{ \frac{d\tau_{xz}}{dx} +\rho g -\frac{dp}{dz}=0 }

亦可寫成一般形式:

0=−dpdz+dτxzdx+ρg\boxed{ 0=-\frac{dp}{dz}+\frac{d\tau_{xz}}{dx}+\rho g }

本題假設沿膜面沒有壓力梯度,因此:

dτxzdx=−ρg\boxed{ \frac{d\tau_{xz}}{dx}=-\rho g }

邊界條件為:

  • 壁面剪應力為未知,壁面速度滿足無滑移條件。

  • 自由表面與氣體接觸,若氣體剪應力可忽略,則

    τxz(δ)=0\tau_{xz}(\delta)=0


(b)牛頓流體的速度分布 vz(x)v_z(x)

牛頓流體遵守:

τxz=μdvzdx\tau_{xz}=\mu\frac{dv_z}{dx}

代入動量方程:

ddx(μdvzdx)=−ρg\frac{d}{dx} \left( \mu\frac{dv_z}{dx} \right) =-\rho g

因為 μ\mu 為常數:

μd2vzdx2=−ρg\mu\frac{d^2v_z}{dx^2}=-\rho g

因此:

d2vzdx2=−ρgμ\frac{d^2v_z}{dx^2} =-\frac{\rho g}{\mu}

第一次積分得:

dvzdx=−ρgμx+C1\frac{dv_z}{dx} =-\frac{\rho g}{\mu}x+C_1

由自由表面無剪應力條件:

τxz(δ)=μdvzdx∣x=δ=0\tau_{xz}(\delta) =\mu\left.\frac{dv_z}{dx}\right|_{x=\delta}=0

所以:

0=−ρgδ+μC10=-\rho g\delta+\mu C_1 C1=ρgδμC_1=\frac{\rho g\delta}{\mu}

故:

dvzdx=ρgμ(δ−x)\frac{dv_z}{dx} =\frac{\rho g}{\mu}(\delta-x)

再次積分:

vz(x)=ρgμ(δx−x22)+C2v_z(x) =\frac{\rho g}{\mu} \left( \delta x-\frac{x^2}{2} \right)+C_2

壁面固定且無滑移:

vz(0)=0v_z(0)=0

因此 C2=0C_2=0,速度分布為:

vz(x)=ρgμ(δx−x22)\boxed{ v_z(x)=\frac{\rho g}{\mu} \left( \delta x-\frac{x^2}{2} \right) }

也可寫成:

🔒

後續完整解題步驟與【答案】

免費註冊,享三天全站完整詳解閱覽。

免費註冊

第 2 題

For the following macroscopic mechanical energy balance equation, provide the physical meaning of each term, where 1 and 2 denote the entrance and exit locations, respectively. 【20分】
12(v22−v12)+g(h2−h1)+∫p1p2dpρ=W˙m−∑i(12ve,i2)i−∑i(12vs,i2)i\frac{1}{2} (v_2^2 - v_1^2) + g(h_2 - h_1) + \int_{p_1}^{p_2} \frac{dp}{\rho} = \dot{W}_m - \sum_i \left( \frac{1}{2} v_{e,i}^2 \right)_i - \sum_i \left( \frac{1}{2} v_{s,i}^2 \right)_i

登入後即可作答並保存紀錄。

這一題的完整詳解

本題考查宏觀機械能平衡方程的物理意義。此方程是能量守恆在特定條件下的應用,其中將流體系統的總能量變化分解為動能、位能、壓力能、機械功、出口動能損失和出口靜壓能損失。

方程左側代表單位質量流體在系統中從入口 (1) 到出口 (2) 的總能量變化。
方程右側代表系統對流體做的機械功(正功,例如泵)或流體對系統做的機械功(負功,例如渦輪),以及由於流體離開系統(出口)而損失的能量。

以下是各項的物理意義:

  1. 12(v22−v12)\frac{1}{2} (v_2^2 - v_1^2): 單位質量流體動能的變化。

    • 12v22\frac{1}{2} v_2^2: 在出口 (2) 位置的單位質量流體動能。
    • 12v12\frac{1}{2} v_1^2: 在入口 (1) 位置的單位質量流體動能。
    • 此項表示由於流體速度的變化,單位質量流體所獲得或損失的動能。
  2. g(h2−h1)g(h_2 - h_1): 單位質量流體位能的變化。

    • gh2gh_2: 在出口 (2) 位置的單位質量流體位能。
    • gh1gh_1: 在入口 (1) 位置的單位質量流體位能。
    • 此項表示由於流體高度的變化(相對於某參考平面),單位質量流體所獲得或損失的位能。
  3. ∫p1p2dpρ\int_{p_1}^{p_2} \frac{dp}{\rho}: 單位質量流體壓力能的變化(或稱流體功)。

    • ∫p1p2dpρ\int_{p_1}^{p_2} \frac{dp}{\rho}: 在入口壓力 p1p_1 和出口壓力 p2p_2 之間,單位質量流體在壓力變化下所做的功或所承受的功。
    • 如果密度 ρ\rho 是常數,則此項為 p2−p1ρ\frac{p_2 - p_1}{\rho}。
    • 此項代表流體由於壓力差而獲得或失去的能量。
  4. W˙m\dot{W}_m: 淨機械功。

    • W˙m\dot{W}_m 是系統對流體所做的淨機械功(單位質量)。
    • 如果系統中有泵(提供能量),則 W˙m\dot{W}_m 為正。
    • 如果系統中有渦輪(從流體獲取能量),則 W˙m\dot{W}_m 為負。
    • 此項代表外部機械裝置(如泵、渦輪)對流體所做的功。
  5. −∑i(12ve,i2)i- \sum_i \left( \frac{1}{2} v_{e,i}^2 \right)_i: 來自出口 ii 的動能損失。

    • 12ve,i2\frac{1}{2} v_{e,i}^2: 在出口 ii 位置的單位質量流體動能。
    • 此項通常表示流體通過出口離開系統時,其動能被視為損失(例如,排入大氣或另一個大容器中,其動能不再被考慮)。
🔒

後續完整解題步驟與【答案】

免費註冊,享三天全站完整詳解閱覽。

免費註冊

第 3 題

A single pass heat exchanger is used for the heating of oil from 25 to 35°C; the oil flow rate is 12 kg/s (Cpo=2.5C_{po}=2.5 KJ/kg·K). Hot water (Cpw=4.5C_{pw}=4.5 KJ/kg·K) enters the shell at 80°C and leaves the shell at 55°C. The overall heat transfer coefficient based on the outside surface of the tube is estimated to be 1280 W/m²·K. If it is in a counter-flow type, please determine (a) the corrected logarithmic-mean temperature difference (LMTD) 【15分】; (b) the required surface area in the exchanger.【10分】

登入後即可作答並保存紀錄。

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查熱交換器的三項基本關係:

  1. 熱量衡算

    穩態、無熱損失下,熱流體放出的熱量等於冷流體吸收的熱量:

    Q=m˙CpΔTQ=\dot m C_p\Delta T

  2. 對數平均溫差(LMTD)

    逆流熱交換器兩端的溫差分別為:

    ΔT1=Th,in−Tc,out\Delta T_1=T_{h,in}-T_{c,out}

    ΔT2=Th,out−Tc,in\Delta T_2=T_{h,out}-T_{c,in}

    對數平均溫差為:

ΔTlm=ΔT1−ΔT2ln⁡(ΔT1ΔT2)\Delta T_{\mathrm{lm}}= \frac{\Delta T_1-\Delta T_2} {\ln\left(\dfrac{\Delta T_1}{\Delta T_2}\right)}
  1. 總傳熱速率方程式

    Q=UAΔTlm,corrQ=UA\Delta T_{\mathrm{lm,corr}}

    其中 ΔTlm,corr\Delta T_{\mathrm{lm,corr}} 為修正後的對數平均溫差。對真正的逆流熱交換器,修正因子 F=1F=1。


解題方法

先由油側資料計算熱負荷 QQ,再依逆流配置求兩端溫差與 LMTD,最後利用總傳熱方程式求所需傳熱面積。

1. 計算熱負荷

油的入口、出口溫度為 25∘C25^\circ\mathrm{C} 與 35∘C35^\circ\mathrm{C},因此:

ΔTo=35−25=10 K\Delta T_o=35-25=10\ \mathrm{K}

油側熱容量流率為:

m˙oCpo=(12)(2.5)=30 kW/K\dot m_o C_{po} =(12)(2.5) =30\ \mathrm{kW/K}

所以油吸收的熱量為:

Q=m˙oCpoΔToQ=\dot m_o C_{po}\Delta T_o

Q=(12)(2.5)(10)=300 kWQ=(12)(2.5)(10) =300\ \mathrm{kW}

即:

Q=3.00×105 WQ=3.00\times10^5\ \mathrm{W}

熱水側可用熱量衡算驗證:

m˙wCpw(80−55)=300\dot m_w C_{pw}(80-55)=300

m˙w(4.5)(25)=300\dot m_w(4.5)(25)=300

m˙w=2.667 kg/s\dot m_w=2.667\ \mathrm{kg/s}

此數值與油側熱負荷相符。


(a)修正後的對數平均溫差

1. 逆流兩端溫差

逆流配置如下:

  • 熱水入口 80∘C80^\circ\mathrm{C} 對應油出口 35∘C35^\circ\mathrm{C}
  • 熱水出口 55∘C55^\circ\mathrm{C} 對應油入口 25∘C25^\circ\mathrm{C}

因此:

ΔT1=80−35=45 K\Delta T_1=80-35=45\ \mathrm{K}

ΔT2=55−25=30 K\Delta T_2=55-25=30\ \mathrm{K}

2. 計算 LMTD

🔒

後續完整解題步驟與【答案】

免費註冊,享三天全站完整詳解閱覽。

免費註冊

第 4 題

Consider the low-pressure chemical vapor deposition (LPVCD) diffusion reactor as show blew. It is desired to lay a thin film of the semiconductor A, onto a silicon wafer surface. A metal is not volatile, but its precursor (B, 114.72 g/gmol) is volatile. In the presence of an H₂ gas, at high temperature, B will decompose to solid A on a surface by the following reacting:
🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
B(g) + H₂ gas →627∘C,0.4 atm\xrightarrow{627^\circ C, 0.4 \text{ atm}} A(s) + 3 C(g)
The figure shows a diffusion reactor with a heated plate at z=0z=0 and the silicon wafer surface at z=δz=\delta. The precursor B diffuses from the bulk gas phase (uniform concentration) towards the wafer surface, where it reacts. The reaction is at 627∘C627^\circ C and 0.40.4 atm. The figure indicates that B is diffusing, H₂ and C are quiescent gas, and A is a thin film.

At 627∘C627^\circ C, this surface reaction is diffusion limited.

a. Develop an integral model to predict the flux of B to the wafer surface. Keep your final model in algebraic form. Provide appropriate assumptions and boundary condition. At this point, you may not assume that the process is dilute. 【15分】

For the part (b), consider a process where the feed gas consists of 99.98 mol% H₂ and 0.02 mol% B. The temperature and total system pressure are 627°C and 0.4 atm, respectively. The binary diffusion coefficient of B in H₂ at 727°C and 1 atm is known to be 2.0 cm²/s.

b. What is the simplified form of the model previously developed in part (a)? 【10分】
Hint: DAB,T2,P2=DAB,T1,P1(T2T1)3/2P1P2D_{AB, T_2, P_2} = D_{AB, T_1, P_1} \left( \frac{T_2}{T_1} \right)^{3/2} \frac{P_1}{P_2}

🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 3 頁

登入後即可作答並保存紀錄。

這一題的完整詳解

核心觀念

本題考查:

  1. 穩態一維擴散。
  2. 氣相總莫耳通量與物種莫耳通量的關係。
  3. 非稀薄氣體中的 Stefan–Maxwell/修正 Fick 擴散式。
  4. 由表面反應化學計量關係建立各物種通量。
  5. 擴散係數的溫度、壓力修正。

取 z=0z=0 為晶圓表面,z=δz=\delta 為主體氣相;+z+z 方向由晶圓表面指向主體氣相。令 JBJ_B 表示 B 朝向晶圓表面的正通量,因此

NB=−JBN_B=-J_B

其中 JB>0J_B>0。


解題方法

1. 基本假設

採用下列合理假設:

  • 穩態、等溫、等壓。
  • 氣相為理想氣體,總莫耳濃度 c=P/(RT)c=P/(RT) 為常數。
  • 只考慮 zz 方向擴散。
  • 擴散層厚度為 δ\delta。
  • 擴散係數 DB,mD_{B,m} 為常數,其中 mm 表示氣相中其餘氣體的等效混合物。
  • 表面反應為擴散控制,因此晶圓表面上的 B 幾乎立即被消耗:
yB,s=0y_{B,s}=0
  • 「quiescent gas」表示沒有整體對流,並不代表各物種的擴散通量皆為零。

2. 由反應式建立通量關係

表面反應為

B+H2→A(s)+3CB+\mathrm{H_2}\rightarrow A(s)+3C

因此各物種通量滿足

NH2=NBN_{\mathrm{H_2}}=N_B NC=−3NBN_C=-3N_B

代入 NB=−JBN_B=-J_B:

NH2=−JBN_{\mathrm{H_2}}=-J_B NC=3JBN_C=3J_B

所以總莫耳通量為

Nt=NB+NH2+NCN_t=N_B+N_{\mathrm{H_2}}+N_C Nt=(−JB)+(−JB)+(3JB)=JBN_t=(-J_B)+(-J_B)+(3J_B)=J_B

這是因為每消耗 22 mol 氣相反應物,生成 33 mol 氣相產物,氣相總莫耳數增加。


3. 建立 B 的非稀薄擴散方程

對 B 使用含總莫耳通量的擴散式:

NB=−cDB,mdyBdz+yBNtN_B=-cD_{B,m}\frac{dy_B}{dz}+y_BN_t

代入 NB=−JBN_B=-J_B 與 Nt=JBN_t=J_B:

−JB=−cDB,mdyBdz+yBJB-J_B=-cD_{B,m}\frac{dy_B}{dz}+y_BJ_B

整理得

cDB,mdyBdz=JB(1+yB)cD_{B,m}\frac{dy_B}{dz}=J_B(1+y_B)

因此

dyB1+yB=JBcDB,m dz\frac{dy_B}{1+y_B} = \frac{J_B}{cD_{B,m}}\,dz

4. 積分求 B 的通量

邊界條件為

yB(0)=yB,sy_B(0)=y_{B,s} yB(δ)=yB,by_B(\delta)=y_{B,b}

對上式積分:

∫yB,syB,bdyB1+yB=JBcDB,m∫0δdz\int_{y_{B,s}}^{y_{B,b}}\frac{dy_B}{1+y_B} = \frac{J_B}{cD_{B,m}}\int_0^\delta dz

得到

ln⁡(1+yB,b1+yB,s)=JBδcDB,m\ln\left(\frac{1+y_{B,b}}{1+y_{B,s}}\right) = \frac{J_B\delta}{cD_{B,m}}

故 B 朝向晶圓表面的莫耳通量為

JB=cDB,mδln⁡(1+yB,b1+yB,s)\boxed{ J_B= \frac{cD_{B,m}}{\delta} \ln\left( \frac{1+y_{B,b}}{1+y_{B,s}} \right) }

由於表面反應為擴散控制,yB,s=0y_{B,s}=0,所以

JB=cDB,mδln⁡(1+yB,b)\boxed{ J_B= \frac{cD_{B,m}}{\delta} \ln(1+y_{B,b}) }

又因為

c=PRTc=\frac{P}{RT}

故亦可寫成

JB=PDB,mRTδln⁡(1+yB,b)\boxed{ J_B= \frac{PD_{B,m}}{RT\delta} \ln(1+y_{B,b}) }

第(b)題:稀薄形式

1. 判斷稀薄近似

進料中

yB,b=0.02%=0.0002y_{B,b}=0.02\%=0.0002

因為 yB≪1y_B\ll 1,可使用

ln⁡(1+yB)≈yB\ln(1+y_B)\approx y_B

因此第(a)題模型簡化為

🔒

後續完整解題步驟與【答案】

免費註冊,享三天全站完整詳解閱覽。

免費註冊

其他考古題

113 年中正大學的其他科目

中正大學《單元操作與輸送現象》其他年度

其他學校的化工與材料考古題