108 年 國立成功大學系統及船舶機電工程研究所乙組《電子學》
第 1 題
Consider the voltage reference circuit shown in Figure 1. Determine , , and .
(a) When Zener diode is in breakdown, Why?
(b) When Zener diode is not in breakdown, Why?
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核心觀念
本題考查:
- 齊納二極體是否進入崩潰區的判斷。
- 理想運算放大器的虛短路與虛接地:
- 反相放大器關係式:
- 利用 KCL 判斷齊納二極體電流方向是否符合崩潰條件。
由圖得:
其中 定義為由齊納節點流向接地的電流, 為流經回授電阻 、由左向右的電流。
(a) 假設齊納二極體處於崩潰區
若齊納二極體崩潰,齊納節點電壓固定為:
由於運算放大器反相端為虛接地:
因此經過 的電流為:
理想運算放大器輸入端不取電流,所以:
輸出電壓為反相放大器輸出:
由 V 電源經過 流入齊納節點的電流為:
對齊納節點套用 KCL:
所以:
第 2 題
For the PMOS common-source circuit shown in Figure 2, the transistor parameters are: , , , , and .
(a) What is the equivalent Miller capacitance?
(b) Determine the upper 3dB frequency.
(c) Draw the hybrid-π model of a small-signal circuit and find the midband voltage gain.
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核心觀念
本題考查 PMOS 共源極放大器的:
- 直流工作點與
- Miller 定理
- 高頻等效電路與上截止頻率
- 中頻電壓增益
- 混合 小訊號模型
由圖可得:
一、直流工作點與跨導
閘極由 分壓:
令 以 mA 為單位,則
因此
PMOS 的過驅電壓為
採用
且 :
解得
所以
因為 ,故
(a) 等效 Miller 電容
中頻時源極旁路電容 視為短路,因此源極為交流接地。由閘極至汲極的電壓增益為
Miller 定理將 分成輸入端與輸出端兩部分。
輸入端的 Miller 等效電容為
因此輸入端總等效電容為
輸出端的等效電容為
(b) 上截止頻率
輸入端看到的電阻為
輸入端極點:
第 3 題
For the circuit in Figure 3,
(a) derive the expression for in terms of and , and
(b) find if mV and .
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核心觀念
本題考查兩級理想運算放大器:
- 第一級為反相放大器:
- 第二級為反相加法器:
理想運算放大器工作在線性區時,具備虛短與虛斷特性,因此反相端電壓近似為 ,且輸入端電流為 。
解題方法
第一級中,輸入電阻為 ,回授電阻為 ,故第一級輸出 為
第二級為反相加法器,兩個輸入電阻皆為 ,回授電阻為 。因此
代入 :
因此,
第 4 題
The CS amplifier of Figure 4. Assume the MOSFET is specified to have , , .
(a) Design for , , and . Specify the values of and . If a current of is used in the voltage divider, specify the values of and . Give the values of the MOSFET parameter and at the bias point ().
(b) Draw the hybrid-π model of a small-signal circuit.
(c) Determine , , and the overall voltage gain when and .
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核心觀念
本題考查電阻分壓偏壓之共源極放大器(CS amplifier),以及中頻小訊號 hybrid- 模型。主要公式如下:
中頻時,耦合電容 、 與旁路電容 視為短路, 為交流接地。
解題方法
(a)直流偏壓設計
已知
1. 決定
2. 決定
電阻 上的電壓為
因此
3. 決定閘極電壓與分壓電阻
先求過驅電壓:
因此
閘極直流電壓為
分壓電流為 ,故
4. 決定 與
由 :
(b)中頻 hybrid- 小訊號模型
中頻時:
- 、 視為短路。
- 將 source 端交流接地。
- 視為交流接地。
- MOSFET 以受控電流源 與 表示。
模型可表示為:
交流接地
│
RD
│──── vo
│
ro
│
gm·vgs 電流源
│
GND
vi ─── gate
│
RG1 || RG2
│
GND
vo ─── RL ─── GND
其中 與受控電流源皆接在 drain 與 source 之間,且 source 因 旁路而為交流接地。
第 5 題
Consider the circuit shown in Figure 5. First, note diodes D₁ and D₂ are included to make design (and analysis) easier and to provide temperature compensation for the emitter-base voltages of Q₁ and Q₂. Second, note resistor R, whose purpose is to provide negative feedback. Using and independent of current, and , find
(a) the voltages , , , , , and , initially with R open- circuited and
(b) then with R connected. Repeat for , with R open-circuited initially, then connected.
(20%)
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核心觀念
本題考查:
- 二極體與 BJT 的定電壓模型:
- 與 電晶體的電壓關係
- 與 時的基極電流差異
- 負回授電阻 對工作點的影響
- 各節點的 KCL 與歐姆定律
由圖可知,所有上方電源端皆為 。 為 NPN, 為 PNP,且
設 ,。
(a) ,先將 開路
因為 ,所以
1. 求 與
左側偏壓電路中的電流為
因此
2. 求
因 開路, 的射極電流為
故
上方 電阻與二極體 所提供的電流即為 ,所以
3. 求 、 與
因 為 PNP:
的射極電流為
因 ,,故
因此, 開路時:
(b) ,接上
此時 連接 與 。
由左側偏壓與 的關係,仍有
在 射極節點套用 KCL:
而在 集極節點:
在 集極節點:
由於 ,聯立可得
此時
所以 中沒有電流流過,負回授電阻並未改變原本工作點。
因此:
(c) ,先將 開路
此時
1. 求 與
令 ,則
左側節點套用 KCL:
又因 開路,
因此
解得
所以
2. 求
令
第 5 題
Consider the circuit shown in Figure 5. First, note diodes D₁ and D₂ are included to make design (and analysis) easier and to provide temperature compensation for the emitter-base voltages of Q₁ and Q₂. Second, note resistor R, whose purpose is to provide negative feedback. Using and independent of current, and , find
(a) the voltages , , , , , and , initially with R open- circuited and
(b) then with R connected. Repeat for , with R open-circuited initially, then connected.
(20%)
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核心觀念
本題考查:
- 二極體與 BJT 的定電壓模型:
- 與 電晶體的電壓關係
- 與 時的基極電流差異
- 負回授電阻 對工作點的影響
- 各節點的 KCL 與歐姆定律
由圖可知,所有上方電源端皆為 。 為 NPN, 為 PNP,且
設 ,。
(a) ,先將 開路
因為 ,所以
1. 求 與
左側偏壓電路中的電流為
因此
2. 求
因 開路, 的射極電流為
故
上方 電阻與二極體 所提供的電流即為 ,所以
3. 求 、 與
因 為 PNP:
的射極電流為
因 ,,故
因此, 開路時:
(b) ,接上
此時 連接 與 。
由左側偏壓與 的關係,仍有
在 射極節點套用 KCL:
而在 集極節點:
在 集極節點:
由於 ,聯立可得
此時
所以 中沒有電流流過,負回授電阻並未改變原本工作點。
因此:
(c) ,先將 開路
此時
1. 求 與
令 ,則
左側節點套用 KCL:
又因 開路,
因此
解得
所以
2. 求
令