114 年 國立成功大學系統及船舶機電工程研究所丁組《電子學》

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第 1 題

The atomic number is the number of
(A) protons in the nucleus
(B) neutrons in the nucleus
(C) protons plus neutrons in the nucleus
(D) electrons in the outer shell

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核心觀念

原子序(atomic number)以 ZZ 表示,定義為:

Z=原子核內的質子數Z=\text{原子核內的質子數}

原子序決定元素的種類。例如:

  • 氫的原子序為 11,表示有 11 個質子。
  • 碳的原子序為 66,表示有 66 個質子。
  • 矽的原子序為 1414,表示有 1414 個質子。

元素即使具有不同的中子數,只要質子數相同,仍屬於同一元素,稱為同位素。

解題方法

直接依據原子序的定義判斷:

原子序=原子核內的質子數\boxed{\text{原子序}=\text{原子核內的質子數}}

因此正確選項為「protons in the nucleus」。

選項分析

(A) protons in the nucleus

正確。原子序就是原子核內的質子數:

Z=NpZ=N_p

其中 NpN_p 表示質子數。

(B) neutrons in the nucleus

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第 2 題

Valence electrons are
(A) in the outer shell
(B) involved in chemical reactions
(C) relatively loosely bound
(D) all of the above

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核心觀念

價電子(valence electrons)是位於原子最外層能階的電子,主要特徵如下:

  • 位於原子的最外層電子殼層。
  • 與原子的化學反應、化學鍵形成密切相關。
  • 相較於內層電子,受到原子核的束縛較弱,較容易參與鍵結或轉移。

在電子學與半導體中,價電子能否脫離原子束縛,會影響共價鍵、自由電子與電洞的形成,進而決定材料的導電特性。

解題方法

本題逐一對照「價電子」的定義即可判斷。只要選項所描述的內容皆符合價電子特徵,就應選擇「以上皆是」。

選項分析

(A) in the outer shell

正確。價電子位於原子的最外層電子殼層,因此稱為價電子。

(B) involved in chemical reactions

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第 3 題

The atomic particle responsible for electrical current in solid metallic conductors is the
(A) proton
(B) electron
(C) neutron
(D) all of the above

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核心觀念

金屬導體中的電流,是由具有自由移動能力的電子所形成。金屬原子的價電子容易脫離原子束縛,成為導體中的自由電子;施加電場後,這些電子產生定向漂移,形成電流。

電流定義為單位時間內通過截面的電荷量:

I=dQdtI=\frac{dQ}{dt}

其中金屬導體中的可移動電荷主要來自電子。電子帶負電,故其漂移方向與傳統電流方向相反。

解題方法

題目問的是:「固態金屬導體中,負責形成電流的原子粒子為何?」

判斷關鍵在於辨認金屬導體內真正能自由移動的帶電粒子:

  • 電子可在金屬晶格中自由移動,受到電場作用後形成定向漂移。
  • 質子被束縛在原子核內,不能在一般金屬導體中自由移動。
  • 中子不帶電,且位於原子核內,不會形成電流。

因此,正確粒子是電子。

選項分析

(A) proton(質子)錯誤

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第 4 題

For constant voltage in a circuit, doubling the resistance means
(A) halving the current
(B) doubling the current
(C) there is no change in the current
(D) depends on the amount of voltage

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核心觀念

本題考查歐姆定律:

V=IRV=IR

其中:

  • VV:電壓
  • II:電流
  • RR:電阻

在電壓 VV 固定時,電流為:

I=VRI=\frac{V}{R}

因此,電流 II 與電阻 RR 成反比。

解題方法

設原本電阻為 RR,電流為:

I=VRI=\frac{V}{R}

當電阻加倍後:

R′=2RR'=2R

由於電壓維持不變,新電流為:

I′=VR′=V2R=12VR=I2I'=\frac{V}{R'}=\frac{V}{2R} =\frac{1}{2}\frac{V}{R} =\frac{I}{2}

所以電阻加倍時,電流變為原來的一半。

選項分析

  • (A) halving the current:正確

    由 I=V/RI=V/R 可知,在固定電壓下,電阻加倍會使電流減半。

  • (B) doubling the current:錯誤

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第 5 題

Holding the voltage constant, and plotting the current against the resistance as resistance is varied will form a
(A) straight line with a positive slope
(B) straight line with a negative slope
(C) hyperbola
(D) parabola

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核心觀念

本題考查歐姆定律:

V=IRV=IR

其中 VV 為電壓、II 為電流、RR 為電阻。題目指定電壓保持不變,因此電流與電阻的關係為

I=VRI=\frac{V}{R}

可見電流 II 與電阻 RR 成反比。

解題方法

以電阻 RR 為水平軸、電流 II 為垂直軸,作圖關係為

I=VRI=\frac{V}{R}

這不是一次函數,因此不會形成直線;其圖形為反比例函數的曲線,形狀是雙曲線。

例如固定 V=10 VV=10\text{ V}:

R(Ω)I(A)1102552101\begin{array}{c|c} R(\Omega) & I(\text{A})\\ \hline 1 & 10\\ 2 & 5\\ 5 & 2\\ 10 & 1 \end{array}

當 RR 增加時,II 會遞減,但遞減幅度並不固定,因此圖形不是直線,而是雙曲線。

選項分析

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第 6 題

A battery stores
(A) electrons
(B) protons
(C) ions
(D) chemical energy

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核心觀念

電池的主要功能是將內部的化學能轉換成電能。電池內部透過氧化還原反應,使電子經由外部電路移動,形成電流。

因此,電池儲存的能量形式是化學能,可表示為:

化學能→電能+熱能\text{化學能} \rightarrow \text{電能}+\text{熱能}

其中,電子與離子是參與電化學反應及電荷傳遞的粒子,並非電池主要儲存的能量本身。

解題方法

判斷題目中的「stores」所指的是電池儲存的主要物理量。

電池內部的正、負極材料與電解質具有不同的化學特性,透過化學反應產生電位差。當外部電路接通時:

  1. 電池內部發生氧化還原反應。
  2. 電子經由外部電路由負極流向正極。
  3. 電解質中的離子移動,以維持內部電荷平衡。
  4. 儲存的化學能逐漸轉換為外部電路可使用的電能。

所以,電池真正儲存的是由化學反應物所具有的化學能。

選項分析

(A) electrons

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第 7 題

The unit of conductance is the
(A) ohm
(B) coulomb
(C) siemen
(D) ampere

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核心觀念

本題考查「電導」(conductance)的定義與單位。

電阻 RR 的倒數稱為電導 GG:

G=1RG=\frac{1}{R}

由歐姆定律 V=IRV=IR 可得:

I=VR=GVI=\frac{V}{R}=GV

因此:

G=IVG=\frac{I}{V}

電導的 SI 單位為西門子(siemens),符號為 S\mathrm{S}:

1 S=1 AV=1 Ω−11\ \mathrm{S}=1\ \frac{\mathrm{A}}{\mathrm{V}} =1\ \Omega^{-1}

解題方法

直接由電導與電阻的倒數關係判斷:

G=1RG=\frac{1}{R}

由於電阻的單位為歐姆(ohm,Ω\Omega),電導的單位即為 Ω−1\Omega^{-1},其專用名稱為西門子(siemens,S\mathrm{S})。

因此正確選項為(C)。

選項分析

  • (A)ohm:錯誤。
    歐姆(ohm,Ω\Omega)是電阻的單位,不是電導的單位。
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第 8 題

A four-color resistor with the color bands gray-red-black-gold is
(A) 73 Ω\Omega
(B) 82 Ω\Omega
(C) 680 Ω\Omega
(D) 820 Ω\Omega

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核心觀念

四環電阻色碼依序代表:

  1. 第一環:第一位有效數字
  2. 第二環:第二位有效數字
  3. 第三環:倍率
  4. 第四環:誤差值

常用數字色碼如下:

顏色數字
灰8
紅2
黑0,倍率為 10010^0
金誤差 ±5%\pm 5\%

因此,灰—紅—黑—金的前三環為:

  • 灰:88
  • 紅:22
  • 黑:倍率 10010^0

電阻值為

R=(82)×100 Ω=82 ΩR=(82)\times 10^0\ \Omega =82\ \Omega

金色第四環表示誤差為 ±5%\pm 5\%,不影響標稱電阻值的判讀。

解題方法

四環電阻的計算公式為

R=(10a+b)×10c ΩR=(10a+b)\times 10^c\ \Omega

其中:

  • aa 為第一環數字
  • bb 為第二環數字
  • cc 為第三環所代表的倍率次方

本題中:

a=8,b=2,c=0a=8,\qquad b=2,\qquad c=0

代入公式:

R=(10×8+2)×100=82×1=82 ΩR=(10\times 8+2)\times 10^0 =82\times 1 =82\ \Omega

所以電阻的標稱值為 82 Ω82\ \Omega,容許範圍為

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第 9 題

A 330 kW ± 5% resistor has the color bands
(A) red-red-brown-gold
(B) orange-orange-yellow-gold
(C) yellow-yellow-red-gold
(D) yellow-yellow-green-gold

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四色環電阻依序表示「第一位數、第二位數、倍率、誤差」。

橙色 =3=3,黃色倍率 =104=10^4,金色誤差 =±5%=\pm5\%,故

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第 10 題

The circular mil is a unit of
(A) length
(B) resistance
(C) volume
(D) area

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核心觀念

Circular mil(圓密耳)是面積的單位,常用於表示導線的截面積。

其中:

  • 1 mil=0.001 inch1\ \text{mil}=0.001\ \text{inch}
  • 1 circular mil1\ \text{circular mil} 定義為「直徑為 1 mil1\ \text{mil} 的圓,其截面積」

若導線直徑為 dd mil,則其面積以 circular mil 表示時為:

Acmil=d2A_{\text{cmil}}=d^2

這是因為圓面積

A=π4d2A=\frac{\pi}{4}d^2

而 circular mil 是以直徑平方作為方便的表示方式,實際上仍然代表圓的面積。

解題方法

題目詢問 circular mil 是哪一種物理量的單位。根據定義,circular mil 用來表示圓形導線的橫截面積,特別常見於電機與電子學中的導線規格及電阻計算。

例如,直徑為 1010 mil 的導線,其截面積為:

Acmil=102=100 circular milsA_{\text{cmil}}=10^2=100\ \text{circular mils}

因此,circular mil 的量綱屬於面積。

選項分析

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第 1. 題25 分

The figure shows a Zener diode regulator circuit. It is given that VB=45V_B = 45 V, VZ=24V_Z = 24 V, IZ=5I_Z = 5 mA, rZ=20 Ωr_Z = 20\ \Omega, RL=12 kΩR_L = 12\ \text{k}\Omega. (25分,每小題5分)

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
(電路:電源 VBV_B 經電阻 R1R_1(電流 I1I_1)後,稽納二極體(逆向偏壓,電流 IZI_Z,兩端電壓 VZV_Z)與負載電阻 RLR_L(電流 ILI_L)並聯,再接回電源負端。)

(a) In the large signal model of the Zener diode, what is the voltage VZ0V_{Z0}?
(b) What is the values of ILI_L and I1I_1?
(c) What is the required value of R1R_1?
(d) Calculate the power dissipated in R1R_1, in the Zener diode, and in RLR_L.
(e) If the load current doubles, calculate the decrease in the voltage across the Zener diode.

🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 3 頁

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核心觀念

稽納二極體在崩潰區可用線性模型表示:

VZ=VZ0+rZIZV_Z=V_{Z0}+r_Z I_Z

其中 VZ0V_{Z0} 是模型的截距,rZr_Z 是稽納電阻。並聯支路的負載電流為 IL=VZ/RLI_L=V_Z/R_L;串聯電阻電流則由 KCL 得 I1=IZ+ILI_1=I_Z+I_L。

解題方法

(a) 題目給定 IZ=5 mAI_Z=5\text{ mA} 時,VZ=24 VV_Z=24\text{ V}。代入稽納模型:

VZ0=VZ−rZIZ=24−(20)(5×10−3)=23.9 VV_{Z0}=V_Z-r_ZI_Z =24-(20)(5\times10^{-3}) =23.9\text{ V}

因此在工作點的稽納電壓仍為 VZ=23.9+20(5 mA)=24 VV_Z=23.9+20(5\text{ mA})=24\text{ V}。

(b) 負載電阻與稽納二極體並聯,所以負載兩端電壓為 24 V24\text{ V}:

IL=VZRL=2412 000=2 mAI_L=\frac{V_Z}{R_L} =\frac{24}{12\,000} =2\text{ mA}

由 KCL:

I1=IZ+IL=5+2=7 mAI_1=I_Z+I_L=5+2=7\text{ mA}

(c) 串聯電阻承受的電壓為 VB−VZV_B-V_Z,因此:

R1=VB−VZI1=45−247 mA=3 kΩR_1=\frac{V_B-V_Z}{I_1} =\frac{45-24}{7\text{ mA}} =3\text{ k}\Omega

(d) 各元件耗散功率如下:

PR1=(VB−VZ)I1=(45−24)(7 mA)=147 mWP_{R_1}=(V_B-V_Z)I_1 =(45-24)(7\text{ mA}) =147\text{ mW} PZ=VZIZ=(24)(5 mA)=120 mWP_Z=V_ZI_Z=(24)(5\text{ mA})=120\text{ mW}
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第 2. 題25 分

The figure shows a MOSFET circuit. It is given that V+=18V^+ = 18 V, R1=7.5 kΩR_1 = 7.5\ \text{k}\Omega, R2=500 ΩR_2 = 500\ \Omega, K=0.001 A/V2K = 0.001\ \text{A/V}^2, and VTH=1.5V_{TH} = 1.5 V. (25分)
(a) Find the value of V1V_1 required to obtain a drain-to-source voltage of 10 V. (20分)
(b) Calculate the power dissipation in the MOSFET. (5分)

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
(n 通道 MOSFET 電路:汲極經 R1R_1 接到 V+V^+,源極經 R2R_2 接地,閘極接電壓 V1V_1。)

🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 3 頁

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核心觀念

此題利用電阻上的電壓降求出 MOSFET 的汲極電流,再以飽和區平方律反推閘極電壓。採用本題常見的參數定義:

ID=K(VGS−VTH)2I_D=K(V_{GS}-V_{TH})^2

其中 VGS−VTHV_{GS}-V_{TH} 為過驅電壓,飽和區條件為 VDS≥VGS−VTHV_{DS}\ge V_{GS}-V_{TH}。

解題方法

已知 VDS=10 VV_{DS}=10\text{ V}。從電源 V+V^+ 經過 R1R_1、MOSFET、R2R_2 至地,套用迴路電壓關係:

V+=IDR1+VDS+IDR2V^+=I_D R_1+V_{DS}+I_D R_2

因此

ID=V+−VDSR1+R2=18−107.5 kΩ+500 Ω=1 mAI_D=\frac{V^+-V_{DS}}{R_1+R_2} =\frac{18-10}{7.5\,\text{k}\Omega+500\,\Omega} =1\,\text{mA}

源極電壓為

VS=IDR2=(1 mA)(500 Ω)=0.5 VV_S=I_D R_2=(1\,\text{mA})(500\,\Omega)=0.5\,\text{V}

由平方律求過驅電壓:

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第 3. 題30 分

A half-wave rectifier is shown. It is given that vs(t)v_s(t) is a 60 Hz sinusoidal voltage with an rms value of 24 V. When the diode is forward biased, its voltage drop is VD0=0.6V_{D0} = 0.6 V. The circuit values are RL=200 ΩR_L = 200 \, \Omega and C=1000 μFC = 1000 \, \mu F. (30分, 每小題10分)
🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
The circuit diagram shows a half-wave rectifier. The input sinusoidal voltage vs(t)v_s(t) is applied to a diode and a load resistor RLR_L in series. A capacitor CC is connected in parallel with the load resistor RLR_L, forming a filtered half-wave rectifier. The current through the load and capacitor is iL(t)i_L(t), and the voltage across the load and capacitor is vL(t)v_L(t).

(a) Calculate the peak load voltage.
(b) Calculate the maximum reverse bias voltage across the diode.
(c) The percent ripple is given by % ripple = [1−exp⁡(−T/RLC)]×100%[1 - \exp(-T / R_L C)] \times 100\%. When the diode is off, what is the lowest value that the load voltage can "droop" to before the diode conducts again?

🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 4 頁

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核心觀念

本題考查電容濾波半波整流器:

  • 輸入正弦波的峰值:
    Vs,pk=2Vs,rmsV_{s,\text{pk}}=\sqrt{2}V_{s,\text{rms}}
  • 二極體導通時,電容充電至輸入峰值扣除二極體壓降:
    VL,pk=Vs,pk−VD0V_{L,\text{pk}}=V_{s,\text{pk}}-V_{D0}
  • 二極體反向偏壓最大值發生在輸入電壓負半週峰值時。
  • 二極體截止期間,電容經由 RLR_L 放電:
    vL(t)=VL,pke−t/(RLC)v_L(t)=V_{L,\text{pk}}e^{-t/(R_LC)}

題目文字所述電路可直接判讀;附圖影像內容與第 3 題不一致,以下依題目文字中的半波整流電路計算。

已知條件

Vs,rms=24 VV_{s,\text{rms}}=24\text{ V}

VD0=0.6 V,RL=200 Ω,C=1000 μFV_{D0}=0.6\text{ V},\qquad R_L=200\,\Omega,\qquad C=1000\,\mu\text{F}

輸入頻率為:

f=60 Hzf=60\text{ Hz}

因此週期為:

T=1f=160=16.67 msT=\frac{1}{f}=\frac{1}{60}=16.67\text{ ms}


(a) 計算負載電壓峰值

輸入電壓峰值為:

Vs,pk=2(24)=33.94 VV_{s,\text{pk}}=\sqrt{2}(24)=33.94\text{ V}

二極體導通時,負載與電容兩端的最高電壓為輸入峰值扣除二極體壓降:

VL,pk=Vs,pk−VD0V_{L,\text{pk}}=V_{s,\text{pk}}-V_{D0}

VL,pk=33.94−0.6=33.34 VV_{L,\text{pk}}=33.94-0.6=33.34\text{ V}

因此:

VL,pk≈33.3 V\boxed{V_{L,\text{pk}}\approx 33.3\text{ V}}


(b) 計算二極體最大反向偏壓

二極體截止時,電容大致維持在最高負載電壓:

VC≈33.34 VV_C\approx 33.34\text{ V}

當輸入電壓到達負半週峰值時:

vs=−33.94 Vv_s=-33.94\text{ V}

二極體兩端的反向偏壓大小為:

VR,max⁡=VC+Vs,pkV_{R,\max}=V_C+V_{s,\text{pk}}

代入數值:

VR,max⁡=33.34+33.94V_{R,\max}=33.34+33.94

VR,max⁡=67.28 VV_{R,\max}=67.28\text{ V}

也可寫成:

🔒

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其他考古題