108 年 國立成功大學系統及船舶機電工程研究所丙組《電子學》

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第 1 題

Consider the voltage reference circuit shown in Figure 1. Determine vOv_O, iZi_Z, and iZi_Z.
(a) When Zener diode is in breakdown, Why?
(b) When Zener diode is not in breakdown, Why?
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核心觀念

本題考查:

  1. 齊納二極體是否進入崩潰區的判斷。
  2. 理想運算放大器的虛短路與虛接地:
    v−≈v+=0v_- \approx v_+ = 0
  3. 反相放大器關係式:
    vO=−R2R1vZv_O=-\frac{R_2}{R_1}v_Z
  4. 利用 KCL 判斷齊納二極體電流方向是否符合崩潰條件。

由圖得:

RS=5.6 kΩ,R1=1 kΩ,R2=1 kΩ,VZ=6.8 VR_S=5.6\,\text{k}\Omega,\quad R_1=1\,\text{k}\Omega,\quad R_2=1\,\text{k}\Omega,\quad V_Z=6.8\,\text{V}

其中 iZi_Z 定義為由齊納節點流向接地的電流,i2i_2 為流經回授電阻 R2R_2、由左向右的電流。


(a) 假設齊納二極體處於崩潰區

若齊納二極體崩潰,齊納節點電壓固定為:

vZ=VZ=6.8 Vv_Z=V_Z=6.8\,\text{V}

由於運算放大器反相端為虛接地:

v−=0v_-=0

因此經過 R1R_1 的電流為:

iR1=6.8−01 kΩ=6.8 mAi_{R_1}=\frac{6.8-0}{1\,\text{k}\Omega} =6.8\,\text{mA}

理想運算放大器輸入端不取電流,所以:

i2=iR1=6.8 mAi_2=i_{R_1}=6.8\,\text{mA}

輸出電壓為反相放大器輸出:

vO=−i2R2=−(6.8 mA)(1 kΩ)=−6.8 Vv_O=-i_2R_2 =-(6.8\,\text{mA})(1\,\text{k}\Omega) =-6.8\,\text{V}

由 +10+10 V 電源經過 RSR_S 流入齊納節點的電流為:

iS=10−6.85.6 kΩ=0.3929 mAi_S=\frac{10-6.8}{5.6\,\text{k}\Omega} =0.3929\,\text{mA}

對齊納節點套用 KCL:

iS=iR1+iZi_S=i_{R_1}+i_Z

所以:

iZ=iS−iR1=0.3929−6.8=−6.4071 mAi_Z=i_S-i_{R_1} =0.3929-6.8 =-6.4071\,\text{mA}
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第 2 題

For the PMOS common-source circuit shown in Figure 2, the transistor parameters are: VTP=−2VV_{TP}=-2V, Kp=1mA/V2K_p=1mA/V^2, λ=0\lambda=0, Cgs=15pFC_{gs}=15pF, and Cgd=3pFC_{gd}=3pF.
(a) What is the equivalent Miller capacitance?
(b) Determine the upper 3dB frequency.
(c) Draw the hybrid-π model of a small-signal circuit and find the midband voltage gain.
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核心觀念

本題考查 PMOS 共源極放大器的:

  • 直流工作點與 gmg_m
  • Miller 定理
  • 高頻等效電路與上截止頻率
  • 中頻電壓增益
  • 混合 π\pi 小訊號模型

由圖可得:

RG=R1∥R2=8 kΩ∥22 kΩ=5.867 kΩR_G=R_1\parallel R_2=8\,\text{k}\Omega\parallel22\,\text{k}\Omega =5.867\,\text{k}\Omega RD′=RD∥RL=2 kΩ∥5 kΩ=1.429 kΩR_D'=R_D\parallel R_L =2\,\text{k}\Omega\parallel5\,\text{k}\Omega =1.429\,\text{k}\Omega

一、直流工作點與跨導

閘極由 R1、R2R_1、R_2 分壓:

VG=22(10)+8(−10)8+22=4.667 VV_G=\frac{22(10)+8(-10)}{8+22} =4.667\,\text{V}

令 IDI_D 以 mA 為單位,則

VS=10−0.5IDV_S=10-0.5I_D

因此

VSG=VS−VG=5.333−0.5IDV_{SG}=V_S-V_G =5.333-0.5I_D

PMOS 的過驅電壓為

VOV=VSG−∣VTP∣=3.333−0.5IDV_{OV}=V_{SG}-|V_{TP}| =3.333-0.5I_D

採用

ID=Kp2VOV2I_D=\frac{K_p}{2}V_{OV}^2

且 Kp=1 mA/V2K_p=1\,\text{mA/V}^2:

ID=12(3.333−0.5ID)2I_D=\frac{1}{2}(3.333-0.5I_D)^2

解得

ID≈2.34 mAI_D\approx2.34\,\text{mA}

所以

VOV=3.333−0.5(2.34)≈2.16 VV_{OV}=3.333-0.5(2.34) \approx2.16\,\text{V} gm=KpVOV=1(2.16)≈2.16 mSg_m=K_pV_{OV} =1(2.16) \approx2.16\,\text{mS}

因為 λ=0\lambda=0,故

ro=∞r_o=\infty

(a) 等效 Miller 電容

中頻時源極旁路電容 CSC_S 視為短路,因此源極為交流接地。由閘極至汲極的電壓增益為

Av(g)=−gm(RD∥RL)A_v^{(g)}=-g_m(R_D\parallel R_L) Av(g)=−(2.16 mS)(1.429 kΩ)≈−3.09A_v^{(g)} =-(2.16\,\text{mS})(1.429\,\text{k}\Omega) \approx-3.09

Miller 定理將 CgdC_{gd} 分成輸入端與輸出端兩部分。

輸入端的 Miller 等效電容為

CM,in=Cgd(1−Av(g))C_{M,\text{in}} =C_{gd}(1-A_v^{(g)}) CM,in=3(1−(−3.09))≈12.27 pFC_{M,\text{in}} =3(1-(-3.09)) \approx12.27\,\text{pF}

因此輸入端總等效電容為

Cin=Cgs+CM,in=15+12.27≈27.27 pFC_{\text{in}} =C_{gs}+C_{M,\text{in}} =15+12.27 \approx27.27\,\text{pF}

輸出端的等效電容為

Cout=Cgd(1−1Av(g))C_{\text{out}} =C_{gd}\left(1-\frac{1}{A_v^{(g)}}\right) Cout=3(1−1−3.09)≈3.97 pFC_{\text{out}} =3\left(1-\frac{1}{-3.09}\right) \approx3.97\,\text{pF}

(b) 上截止頻率

輸入端看到的電阻為

Rin=Ri∥RG=0.5 kΩ∥5.867 kΩ≈0.461 kΩR_{\text{in}} =R_i\parallel R_G =0.5\,\text{k}\Omega\parallel5.867\,\text{k}\Omega \approx0.461\,\text{k}\Omega

輸入端極點:

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第 3 題

For the circuit in Figure 3,
(a) derive the expression for VOV_O in terms of V11V_{11} and V12V_{12}, and
(b) find VOV_O if V11=1+2sin⁡(ωt)V_{11}=1+2\sin(\omega t) mV and V12=−10mVV_{12}= -10mV.
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核心觀念

本題考查兩級理想運算放大器:

  • 第一級為反相放大器:
    va=−RfRinv11v_a=-\frac{R_f}{R_{in}}v_{11}
  • 第二級為反相加法器:
    vo=−Rf(vaR1+v12R2)v_o=-R_f\left(\frac{v_a}{R_1}+\frac{v_{12}}{R_2}\right)

理想運算放大器工作在線性區時,具備虛短與虛斷特性,因此反相端電壓近似為 00,且輸入端電流為 00。

解題方法

第一級中,輸入電阻為 1 kΩ1\,\text{k}\Omega,回授電阻為 10 kΩ10\,\text{k}\Omega,故第一級輸出 vav_a 為

va=−10 kΩ1 kΩv11=−10v11v_a=-\frac{10\,\text{k}\Omega}{1\,\text{k}\Omega}v_{11} =-10v_{11}

第二級為反相加法器,兩個輸入電阻皆為 1 kΩ1\,\text{k}\Omega,回授電阻為 20 kΩ20\,\text{k}\Omega。因此

vo=−20 kΩ1 kΩva−20 kΩ1 kΩv12v_o =-\frac{20\,\text{k}\Omega}{1\,\text{k}\Omega}v_a -\frac{20\,\text{k}\Omega}{1\,\text{k}\Omega}v_{12}

代入 va=−10v11v_a=-10v_{11}:

vo=−20(−10v11)−20v12=200v11−20v12\begin{aligned} v_o &=-20(-10v_{11})-20v_{12}\\ &=200v_{11}-20v_{12} \end{aligned}

因此,

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第 4 題

The CS amplifier of Figure 4. Assume the MOSFET is specified to have VT=1VV_T=1V, kn=4mA/V2k_n=4mA/V^2, λ=0\lambda=0.
(a) Design for ID=0.5mAI_D=0.5mA, VS=3.5VV_S=3.5V, VD=6VV_D=6V and VDD=15VV_{DD}=15V. Specify the values of RSR_S and RDR_D. If a current of 2μA2\mu A is used in the voltage divider, specify the values of RG1R_{G1} and RG2R_{G2}. Give the values of the MOSFET parameter gmg_m and ror_o at the bias point (VA=100VV_A=100V).
(b) Draw the hybrid-π model of a small-signal circuit.
(c) Determine RinR_{in}, RoutR_{out}, and the overall voltage gain AvA_v when Rsig=100kΩR_{sig}=100k\Omega and RL=20kΩR_L=20k\Omega.
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核心觀念

本題考查電阻分壓偏壓之共源極放大器(CS amplifier),以及中頻小訊號 hybrid-π\pi 模型。主要公式如下:

ID=12knVOV2I_D=\frac{1}{2}k_nV_{OV}^2 VOV=VGS−VT,gm=knVOVV_{OV}=V_{GS}-V_T,\qquad g_m=k_nV_{OV} ro=VAIDr_o=\frac{V_A}{I_D}

中頻時,耦合電容 CC1C_{C1}、CC2C_{C2} 與旁路電容 CSC_S 視為短路,VDDV_{DD} 為交流接地。

解題方法

(a)直流偏壓設計

已知

ID=0.5 mA,VS=3.5 V,VD=6 VI_D=0.5\text{ mA},\qquad V_S=3.5\text{ V},\qquad V_D=6\text{ V}

1. 決定 RSR_S

RS=VSID=3.50.5 mA=7 kΩR_S=\frac{V_S}{I_D} =\frac{3.5}{0.5\text{ mA}} =7\text{ k}\Omega

2. 決定 RDR_D

電阻 RDR_D 上的電壓為

VRD=VDD−VD=15−6=9 VV_{RD}=V_{DD}-V_D=15-6=9\text{ V}

因此

RD=VRDID=90.5 mA=18 kΩR_D=\frac{V_{RD}}{I_D} =\frac{9}{0.5\text{ mA}} =18\text{ k}\Omega

3. 決定閘極電壓與分壓電阻

先求過驅電壓:

VOV=2IDkn=2(0.5 mA)4 mA/V2=0.5 VV_{OV}=\sqrt{\frac{2I_D}{k_n}} =\sqrt{\frac{2(0.5\text{ mA})}{4\text{ mA/V}^2}} =0.5\text{ V}

因此

VGS=VT+VOV=1+0.5=1.5 VV_{GS}=V_T+V_{OV}=1+0.5=1.5\text{ V}

閘極直流電壓為

VG=VS+VGS=3.5+1.5=5 VV_G=V_S+V_{GS}=3.5+1.5=5\text{ V}

分壓電流為 2μA2\mu\text{A},故

RG1=VDD−VG2μA=15−52μA=5 MΩR_{G1}=\frac{V_{DD}-V_G}{2\mu\text{A}} =\frac{15-5}{2\mu\text{A}} =5\text{ M}\Omega RG2=VG2μA=52μA=2.5 MΩR_{G2}=\frac{V_G}{2\mu\text{A}} =\frac{5}{2\mu\text{A}} =2.5\text{ M}\Omega

4. 決定 gmg_m 與 ror_o

gm=knVOV=(4 mA/V2)(0.5 V)=2 mSg_m=k_nV_{OV} =(4\text{ mA/V}^2)(0.5\text{ V}) =2\text{ mS}

由 VA=100 VV_A=100\text{ V}:

ro=VAID=1000.5 mA=200 kΩr_o=\frac{V_A}{I_D} =\frac{100}{0.5\text{ mA}} =200\text{ k}\Omega

(b)中頻 hybrid-π\pi 小訊號模型

中頻時:

  • CC1C_{C1}、CC2C_{C2} 視為短路。
  • CSC_S 將 source 端交流接地。
  • VDDV_{DD} 視為交流接地。
  • MOSFET 以受控電流源 gmvgsg_mv_{gs} 與 ror_o 表示。

模型可表示為:

        交流接地
           │
          RD
           │──── vo
           │
          ro
           │
      gm·vgs 電流源
           │
          GND
           
vi ─── gate
      │
   RG1 || RG2
      │
     GND

vo ─── RL ─── GND

其中 ror_o 與受控電流源皆接在 drain 與 source 之間,且 source 因 CSC_S 旁路而為交流接地。

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第 5 題

Consider the circuit shown in Figure 5. First, note diodes D₁ and D₂ are included to make design (and analysis) easier and to provide temperature compensation for the emitter-base voltages of Q₁ and Q₂. Second, note resistor R, whose purpose is to provide negative feedback. Using IVBEIV_{BE} and Vp=0.7VV_p=0.7V independent of current, and β=∞\beta=\infty, find
(a) the voltages VB1V_{B1}, VE1V_{E1}, VC1V_{C1}, VB2V_{B2}, VE2V_{E2}, and VC2V_{C2}, initially with R open- circuited and
(b) then with R connected. Repeat for β=100\beta=100, with R open-circuited initially, then connected.
(20%)
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核心觀念

本題考查:

  • 二極體與 BJT 的定電壓模型:VD=∣VBE∣=0.7 VV_D=|V_{BE}|=0.7\text{ V}
  • NPNNPN 與 PNPPNP 電晶體的電壓關係
  • β=∞\beta=\infty 與 β=100\beta=100 時的基極電流差異
  • 負回授電阻 R=2 kΩR=2\text{ k}\Omega 對工作點的影響
  • 各節點的 KCL 與歐姆定律

由圖可知,所有上方電源端皆為 +9 V+9\text{ V}。Q1Q_1 為 NPN,Q2Q_2 為 PNP,且

VB1=VE1+0.7V_{B1}=V_{E1}+0.7 VE2=VB2+0.7=VC1+0.7V_{E2}=V_{B2}+0.7=V_{C1}+0.7

設 VC1=VB2=VXV_{C1}=V_{B2}=V_X,VC2=VYV_{C2}=V_Y。


(a) β=∞\beta=\infty,先將 RR 開路

因為 β=∞\beta=\infty,所以

IB1=IB2=0,IC=IEI_{B1}=I_{B2}=0,\qquad I_C=I_E

1. 求 VB1V_{B1} 與 VE1V_{E1}

左側偏壓電路中的電流為

I=9−0.780 kΩ+40 kΩ=8.3120 kΩ=69.17 μAI=\frac{9-0.7}{80\text{ k}\Omega+40\text{ k}\Omega} =\frac{8.3}{120\text{ k}\Omega} =69.17\ \mu\text{A}

因此

VE1=I(40 kΩ)=2.767 VV_{E1}=I(40\text{ k}\Omega) =2.767\text{ V} VB1=VE1+0.7=3.467 VV_{B1}=V_{E1}+0.7 =3.467\text{ V}

2. 求 VC1V_{C1}

因 RR 開路,Q1Q_1 的射極電流為

IE1=VE12 kΩ=2.7672 kΩ=1.383 mAI_{E1}=\frac{V_{E1}}{2\text{ k}\Omega} =\frac{2.767}{2\text{ k}\Omega} =1.383\text{ mA}

故

IC1=1.383 mAI_{C1}=1.383\text{ mA}

上方 2 kΩ2\text{ k}\Omega 電阻與二極體 D2D_2 所提供的電流即為 IC1I_{C1},所以

VC1=9−0.7−IC1(2 kΩ)V_{C1}=9-0.7-I_{C1}(2\text{ k}\Omega) VC1=8.3−(1.383)(2)=5.533 VV_{C1}=8.3-(1.383)(2) =5.533\text{ V}

3. 求 VB2V_{B2}、VE2V_{E2} 與 VC2V_{C2}

VB2=VC1=5.533 VV_{B2}=V_{C1}=5.533\text{ V}

因 Q2Q_2 為 PNP:

VE2=VB2+0.7=6.233 VV_{E2}=V_{B2}+0.7 =6.233\text{ V}

Q2Q_2 的射極電流為

IE2=9−VE2100Ω=9−6.233100=27.67 mAI_{E2}=\frac{9-V_{E2}}{100\Omega} =\frac{9-6.233}{100} =27.67\text{ mA}

因 β=∞\beta=\infty,IC2=IE2I_{C2}=I_{E2},故

VC2=IC2(100Ω)=2.767 VV_{C2}=I_{C2}(100\Omega) =2.767\text{ V}

因此,RR 開路時:

VB1=3.467 VVE1=2.767 VVC1=5.533 VVB2=5.533 VVE2=6.233 VVC2=2.767 V\boxed{ \begin{aligned} V_{B1}&=3.467\text{ V}\\ V_{E1}&=2.767\text{ V}\\ V_{C1}&=5.533\text{ V}\\ V_{B2}&=5.533\text{ V}\\ V_{E2}&=6.233\text{ V}\\ V_{C2}&=2.767\text{ V} \end{aligned}}

(b) β=∞\beta=\infty,接上 RR

此時 R=2 kΩR=2\text{ k}\Omega 連接 VE1V_{E1} 與 VC2V_{C2}。

由左側偏壓與 Q1Q_1 的關係,仍有

VE1=2.767 V,VB1=3.467 VV_{E1}=2.767\text{ V},\qquad V_{B1}=3.467\text{ V}

在 Q1Q_1 射極節點套用 KCL:

IC1=VE12 kΩ+VE1−VC22 kΩI_{C1} =\frac{V_{E1}}{2\text{ k}\Omega} +\frac{V_{E1}-V_{C2}}{2\text{ k}\Omega}

而在 Q1Q_1 集極節點:

IC1=8.3−VC12 kΩI_{C1}=\frac{8.3-V_{C1}}{2\text{ k}\Omega}

在 Q2Q_2 集極節點:

IC2=VC2100Ω+VC2−VE12 kΩI_{C2} =\frac{V_{C2}}{100\Omega} +\frac{V_{C2}-V_{E1}}{2\text{ k}\Omega}

由於 IC2=(8.3−VC1)/100ΩI_{C2}=(8.3-V_{C1})/100\Omega,聯立可得

VC1=5.533 V,VC2=2.767 VV_{C1}=5.533\text{ V},\qquad V_{C2}=2.767\text{ V}

此時

VE1=VC2V_{E1}=V_{C2}

所以 RR 中沒有電流流過,負回授電阻並未改變原本工作點。

因此:

VB1=3.467 VVE1=2.767 VVC1=5.533 VVB2=5.533 VVE2=6.233 VVC2=2.767 V\boxed{ \begin{aligned} V_{B1}&=3.467\text{ V}\\ V_{E1}&=2.767\text{ V}\\ V_{C1}&=5.533\text{ V}\\ V_{B2}&=5.533\text{ V}\\ V_{E2}&=6.233\text{ V}\\ V_{C2}&=2.767\text{ V} \end{aligned}}

(c) β=100\beta=100,先將 RR 開路

此時

IB=IEβ+1=IE101I_B=\frac{I_E}{\beta+1} =\frac{I_E}{101}

1. 求 VB1V_{B1} 與 VE1V_{E1}

令 VE1=VEV_{E1}=V_E,則

VB1=VE+0.7V_{B1}=V_E+0.7

左側節點套用 KCL:

9−VB180 kΩ=VE40 kΩ+IE1101\frac{9-V_{B1}}{80\text{ k}\Omega} = \frac{V_E}{40\text{ k}\Omega} + \frac{I_{E1}}{101}

又因 RR 開路,

IE1=VE2 kΩI_{E1}=\frac{V_E}{2\text{ k}\Omega}

因此

8.3−VE80=VE40+VE202\frac{8.3-V_E}{80} = \frac{V_E}{40} + \frac{V_E}{202}

解得

VE1=3.464 VV_{E1}=3.464\text{ V} VB1=4.164 VV_{B1}=4.164\text{ V}

所以

IE1=3.4642 kΩ=1.732 mAI_{E1}=\frac{3.464}{2\text{ k}\Omega} =1.732\text{ mA} IC1=100101IE1=1.715 mAI_{C1}=\frac{100}{101}I_{E1} =1.715\text{ mA}

2. 求 VC1V_{C1}

令

u=8.3−VC1u=8.3-V_{C1}
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第 5 題

Consider the circuit shown in Figure 5. First, note diodes D₁ and D₂ are included to make design (and analysis) easier and to provide temperature compensation for the emitter-base voltages of Q₁ and Q₂. Second, note resistor R, whose purpose is to provide negative feedback. Using IVBEIV_{BE} and Vp=0.7VV_p=0.7V independent of current, and β=∞\beta=\infty, find
(a) the voltages VB1V_{B1}, VE1V_{E1}, VC1V_{C1}, VB2V_{B2}, VE2V_{E2}, and VC2V_{C2}, initially with R open- circuited and
(b) then with R connected. Repeat for β=100\beta=100, with R open-circuited initially, then connected.
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核心觀念

本題考查:

  • 二極體與 BJT 的定電壓模型:VD=∣VBE∣=0.7 VV_D=|V_{BE}|=0.7\text{ V}
  • NPNNPN 與 PNPPNP 電晶體的電壓關係
  • β=∞\beta=\infty 與 β=100\beta=100 時的基極電流差異
  • 負回授電阻 R=2 kΩR=2\text{ k}\Omega 對工作點的影響
  • 各節點的 KCL 與歐姆定律

由圖可知,所有上方電源端皆為 +9 V+9\text{ V}。Q1Q_1 為 NPN,Q2Q_2 為 PNP,且

VB1=VE1+0.7V_{B1}=V_{E1}+0.7 VE2=VB2+0.7=VC1+0.7V_{E2}=V_{B2}+0.7=V_{C1}+0.7

設 VC1=VB2=VXV_{C1}=V_{B2}=V_X,VC2=VYV_{C2}=V_Y。


(a) β=∞\beta=\infty,先將 RR 開路

因為 β=∞\beta=\infty,所以

IB1=IB2=0,IC=IEI_{B1}=I_{B2}=0,\qquad I_C=I_E

1. 求 VB1V_{B1} 與 VE1V_{E1}

左側偏壓電路中的電流為

I=9−0.780 kΩ+40 kΩ=8.3120 kΩ=69.17 μAI=\frac{9-0.7}{80\text{ k}\Omega+40\text{ k}\Omega} =\frac{8.3}{120\text{ k}\Omega} =69.17\ \mu\text{A}

因此

VE1=I(40 kΩ)=2.767 VV_{E1}=I(40\text{ k}\Omega) =2.767\text{ V} VB1=VE1+0.7=3.467 VV_{B1}=V_{E1}+0.7 =3.467\text{ V}

2. 求 VC1V_{C1}

因 RR 開路,Q1Q_1 的射極電流為

IE1=VE12 kΩ=2.7672 kΩ=1.383 mAI_{E1}=\frac{V_{E1}}{2\text{ k}\Omega} =\frac{2.767}{2\text{ k}\Omega} =1.383\text{ mA}

故

IC1=1.383 mAI_{C1}=1.383\text{ mA}

上方 2 kΩ2\text{ k}\Omega 電阻與二極體 D2D_2 所提供的電流即為 IC1I_{C1},所以

VC1=9−0.7−IC1(2 kΩ)V_{C1}=9-0.7-I_{C1}(2\text{ k}\Omega) VC1=8.3−(1.383)(2)=5.533 VV_{C1}=8.3-(1.383)(2) =5.533\text{ V}

3. 求 VB2V_{B2}、VE2V_{E2} 與 VC2V_{C2}

VB2=VC1=5.533 VV_{B2}=V_{C1}=5.533\text{ V}

因 Q2Q_2 為 PNP:

VE2=VB2+0.7=6.233 VV_{E2}=V_{B2}+0.7 =6.233\text{ V}

Q2Q_2 的射極電流為

IE2=9−VE2100Ω=9−6.233100=27.67 mAI_{E2}=\frac{9-V_{E2}}{100\Omega} =\frac{9-6.233}{100} =27.67\text{ mA}

因 β=∞\beta=\infty,IC2=IE2I_{C2}=I_{E2},故

VC2=IC2(100Ω)=2.767 VV_{C2}=I_{C2}(100\Omega) =2.767\text{ V}

因此,RR 開路時:

VB1=3.467 VVE1=2.767 VVC1=5.533 VVB2=5.533 VVE2=6.233 VVC2=2.767 V\boxed{ \begin{aligned} V_{B1}&=3.467\text{ V}\\ V_{E1}&=2.767\text{ V}\\ V_{C1}&=5.533\text{ V}\\ V_{B2}&=5.533\text{ V}\\ V_{E2}&=6.233\text{ V}\\ V_{C2}&=2.767\text{ V} \end{aligned}}

(b) β=∞\beta=\infty,接上 RR

此時 R=2 kΩR=2\text{ k}\Omega 連接 VE1V_{E1} 與 VC2V_{C2}。

由左側偏壓與 Q1Q_1 的關係,仍有

VE1=2.767 V,VB1=3.467 VV_{E1}=2.767\text{ V},\qquad V_{B1}=3.467\text{ V}

在 Q1Q_1 射極節點套用 KCL:

IC1=VE12 kΩ+VE1−VC22 kΩI_{C1} =\frac{V_{E1}}{2\text{ k}\Omega} +\frac{V_{E1}-V_{C2}}{2\text{ k}\Omega}

而在 Q1Q_1 集極節點:

IC1=8.3−VC12 kΩI_{C1}=\frac{8.3-V_{C1}}{2\text{ k}\Omega}

在 Q2Q_2 集極節點:

IC2=VC2100Ω+VC2−VE12 kΩI_{C2} =\frac{V_{C2}}{100\Omega} +\frac{V_{C2}-V_{E1}}{2\text{ k}\Omega}

由於 IC2=(8.3−VC1)/100ΩI_{C2}=(8.3-V_{C1})/100\Omega,聯立可得

VC1=5.533 V,VC2=2.767 VV_{C1}=5.533\text{ V},\qquad V_{C2}=2.767\text{ V}

此時

VE1=VC2V_{E1}=V_{C2}

所以 RR 中沒有電流流過,負回授電阻並未改變原本工作點。

因此:

VB1=3.467 VVE1=2.767 VVC1=5.533 VVB2=5.533 VVE2=6.233 VVC2=2.767 V\boxed{ \begin{aligned} V_{B1}&=3.467\text{ V}\\ V_{E1}&=2.767\text{ V}\\ V_{C1}&=5.533\text{ V}\\ V_{B2}&=5.533\text{ V}\\ V_{E2}&=6.233\text{ V}\\ V_{C2}&=2.767\text{ V} \end{aligned}}

(c) β=100\beta=100,先將 RR 開路

此時

IB=IEβ+1=IE101I_B=\frac{I_E}{\beta+1} =\frac{I_E}{101}

1. 求 VB1V_{B1} 與 VE1V_{E1}

令 VE1=VEV_{E1}=V_E,則

VB1=VE+0.7V_{B1}=V_E+0.7

左側節點套用 KCL:

9−VB180 kΩ=VE40 kΩ+IE1101\frac{9-V_{B1}}{80\text{ k}\Omega} = \frac{V_E}{40\text{ k}\Omega} + \frac{I_{E1}}{101}

又因 RR 開路,

IE1=VE2 kΩI_{E1}=\frac{V_E}{2\text{ k}\Omega}

因此

8.3−VE80=VE40+VE202\frac{8.3-V_E}{80} = \frac{V_E}{40} + \frac{V_E}{202}

解得

VE1=3.464 VV_{E1}=3.464\text{ V} VB1=4.164 VV_{B1}=4.164\text{ V}

所以

IE1=3.4642 kΩ=1.732 mAI_{E1}=\frac{3.464}{2\text{ k}\Omega} =1.732\text{ mA} IC1=100101IE1=1.715 mAI_{C1}=\frac{100}{101}I_{E1} =1.715\text{ mA}

2. 求 VC1V_{C1}

令

u=8.3−VC1u=8.3-V_{C1}
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