114 年 國立中山大學電機工程學系碩士班戊組《電磁學》

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第 1 題25 分

  1. (25%) Find the electric field intensity between two large parallel conducting plates as shown in the Fig. 1. The volume density of charge between these two plates is ρv=−ρ0yh\rho_v = -\frac{\rho_0 y}{h}. A voltage V0V_0 is applied to two plates which are separated by a distance hh. Assume that the fringing effect at the edges is negligible.
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核心觀念

兩大平行導體板間忽略邊緣效應,因此電場只隨垂直板面的 yy 座標改變,可寫成 E(y)=Ey(y)y^\mathbf{E}(y)=E_y(y)\hat{\mathbf y}。利用微分形式的高斯定律:

∇⋅E=ρvϵ\nabla\cdot\mathbf{E}=\frac{\rho_v}{\epsilon}

在此一維情況下即為 dEydy=ρvϵ\frac{dE_y}{dy}=\frac{\rho_v}{\epsilon}。題目未指定板間介質,以下依一般考題假設為空氣或真空,取 ϵ=ϵ0\epsilon=\epsilon_0。

解題方法

依圖取下板為 y=0y=0、上板為 y=hy=h。上板接電源正端、下板接負端,因此兩板電位差為 V(h)−V(0)=V0V(h)-V(0)=V_0。代入電荷密度 ρv=−ρ0yh\rho_v=-\frac{\rho_0 y}{h}:

dEydy=−ρ0yϵ0h\frac{dE_y}{dy}=-\frac{\rho_0 y}{\epsilon_0 h}

對 yy 積分,並以 CC 表示積分常數:

Ey(y)=C−ρ0y22ϵ0hE_y(y)=C-\frac{\rho_0 y^2}{2\epsilon_0 h}

電場與電位的關係為 E=−∇V\mathbf{E}=-\nabla V,故由下板到上板:

V(h)−V(0)=−∫0hEy(y) dy=V0V(h)-V(0)=-\int_0^h E_y(y)\,dy=V_0
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第 2 題25 分

  1. (25%) Two long parallel conducting wires of radius b carry currents in opposite directions. The axes of the wires are separated by a distance L. Determine the internal and external inductances per unit length of this two-wire transmission line. Assume that L >> b.

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題目

Two long parallel conducting wires of radius bb carry currents in opposite directions. The axes of the wires are separated by a distance LL. Determine the internal and external inductances per unit length of this two-wire transmission line. Assume that L≫bL \gg b.


解題觀念

單位長度總電感 Ltotal=Lint+LextL_{\text{total}} = L_{\text{int}} + L_{\text{ext}},包含:

  1. 內部電感 (LintL_{\text{int}}):由導線內部磁場儲存的磁能決定,利用磁場能公式 Wm=12LintI2=∫B22μ0dVW_m = \frac{1}{2} L_{\text{int}} I^2 = \int \frac{B^2}{2\mu_0} dV 求得。
  2. 外部電感 (LextL_{\text{ext}}):由兩導線之間的外部穿鏈磁通量 Φ\Phi 決定,定義為 Lext=ΦIL_{\text{ext}} = \frac{\Phi}{I}。

1. 單位長度內部電感 (LintL_{\text{int}})

假設電流 II 在導線截面內均勻分佈。對單一導線內部距離軸心 rr 處(r≤br \le b):
由安培環路定律可得內部磁場:
Bint(r)⋅2πr=μ0I(πr2πb2)  ⟹  Bint(r)=μ0Ir2πb2B_{\text{int}}(r) \cdot 2\pi r = \mu_0 I \left(\frac{\pi r^2}{\pi b^2}\right) \implies B_{\text{int}}(r) = \frac{\mu_0 I r}{2\pi b^2}

單一導線單位長度的內部儲存磁能為:
Wm1,int=∫0bBint22μ0(2πrdr)=μ0I28π2b4∫0b2πr3dr=μ0I216πW_{m1,\text{int}} = \int_0^b \frac{B_{\text{int}}^2}{2\mu_0} (2\pi r dr) = \frac{\mu_0 I^2}{8\pi^2 b^4} \int_0^b 2\pi r^3 dr = \frac{\mu_0 I^2}{16\pi}

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第 3 題5 分

  1. (5%) For a TEM wave propagating in the +x direction, write the traveling-wave factor in frequency domain and time domain, respectively.

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核心觀念
本題考查沿 +x+x 方向傳播之橫電磁波(TEM wave)在**頻域(Frequency Domain / Phasor Domain)與時域(Time Domain)**下的行波因子(Traveling-wave Factor)。

  1. 頻域表示法(相量形式):電磁波在空間中的傳播特性由複數傳播常數(Complex Propagation Constant)γ=α+jβ\gamma = \alpha + j\beta 決定。沿 +x+x 正方向傳播的波,其頻域空間行波因子為 e−γxe^{-\gamma x}(若在無耗損介質中,衰減常數 α=0\alpha = 0,可簡化為 e−jβxe^{-j\beta x})。
  2. 時域表示法(瞬時形式):將頻域相量乘上時間相位因子 ejωte^{j\omega t} 並取實部 Re{⋅}\text{Re}\{\cdot\},可得到時域行波因子 e−αxcos⁡(ωt−βx)e^{-\alpha x} \cos(\omega t - \beta x)(無耗損介質下為 cos⁡(ωt−βx)\cos(\omega t - \beta x))。

解題方法
推導沿 +x+x 方向傳播之 TEM 波在頻域與時域的行波因子步驟如下:

  1. 頻域(Frequency Domain)行波因子推導:
    由馬克斯威爾方程式導出之純量波動方程式(Helmholtz Equation):
    d2Eydx2−γ2Ey=0\frac{d^2 E_y}{dx^2} - \gamma^2 E_y = 0
    其通解形式為:
    Ey(x)=E0+e−γx+E0−e+γxE_y(x) = E_0^+ e^{-\gamma x} + E_0^- e^{+\gamma x}
    其中,E0+e−γxE_0^+ e^{-\gamma x} 項代表沿 +x+x 方向傳播的波。因此頻域行波因子為:

    • 有耗損介質(General Lossy Medium):傳播常數 γ=α+jβ\gamma = \alpha + j\beta,頻域行波因子為:
      e−γx=e−αxe−jβxe^{-\gamma x} = e^{-\alpha x} e^{-j\beta x}
    • 無耗損介質(Lossless Medium):衰減常數 α=0\alpha = 0,γ=jβ\gamma = j\beta,頻域行波因子簡化為:
      e−jβxe^{-j\beta x}
  2. 時域(Time Domain)行波因子推導:
    將頻域相量轉換至時域瞬時表示式,採用相量-時域轉換公式:
    E(x,t)=Re{E~(x)ejωt}\mathbf{E}(x, t) = \text{Re}\left\{ \mathbf{\tilde{E}}(x) e^{j\omega t} \right\}
    將頻域正向行波相量 E~(x)=a^yE0e−αxe−jβx\mathbf{\tilde{E}}(x) = \hat{a}_y E_0 e^{-\alpha x} e^{-j\beta x} 代入:
    E(x,t)=Re{a^yE0e−αxe−jβxejωt}=a^yE0e−αxcos⁡(ωt−βx)\mathbf{E}(x, t) = \text{Re}\left\{ \hat{a}_y E_0 e^{-\alpha x} e^{-j\beta x} e^{j\omega t} \right\} = \hat{a}_y E_0 e^{-\alpha x} \cos(\omega t - \beta x)

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第 4 題5 分

  1. (5%) Can a negative elliptically polarized wave be a TEM wave at the same time? Please explain your idea in detail.

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核心觀念

  1. 橫電磁波(TEM Wave)的定義:波動在傳播過程中,電場向量 E⃗\vec{E} 與磁場向量 H⃗\vec{H} 皆完全垂直於波的傳播方向 a^k\hat{a}_k。若波動沿 +z+z 方向傳播,則電場與磁場之縱向分量(Longitudinal Components)恆為零,即 Ez=0E_z = 0 且 Hz=0H_z = 0。
  2. 極化(Polarization)的定義:極化用於描述電場向量端點隨時間在與傳播方向垂直之「橫截面」(Transverse Plane,即 xyxy 平面)上描繪出的軌跡形態。
  3. 負橢圓極化(Negative Elliptically Polarized Wave):當橫向電場分量 ExE_x 與 EyE_y 的振幅與相位滿足橢圓軌跡條件,且電場向量端點在橫截面上隨時間旋轉的方向符合負向(Negative Sense of Rotation)規定時,即稱為負橢圓極化波。

解題方法
以下透過均勻平面波(Uniform Plane Wave)之場方程式進行嚴謹推導與說明:

步驟一:建立沿 +z+z 方向傳播之平面波場相量
設一平面波於均勻、無損耗介質中沿 +z+z 方向傳播,其電場相量(Phasor)一般式表示為:
E⃗(z)=(a^xEx+a^yEy)e−jkz=(a^xE0xejθx+a^yE0yejθy)e−jkz\vec{E}(z) = (\hat{a}_x E_x + \hat{a}_y E_y) e^{-j k z} = (\hat{a}_x E_{0x} e^{j\theta_x} + \hat{a}_y E_{0y} e^{j\theta_y}) e^{-j k z}
其中 E0x,E0y>0E_{0x}, E_{0y} > 0 為兩正交橫向分量之振幅,θx,θy\theta_x, \theta_y 為其初始相位,kk 為波數。

對應之磁場相量由麥克斯威爾方程式推得:
H⃗(z)=1ηa^z×E⃗(z)=(−a^xE0yηejθy+a^yE0xηejθx)e−jkz\vec{H}(z) = \frac{1}{\eta} \hat{a}_z \times \vec{E}(z) = \left( -\hat{a}_x \frac{E_{0y}}{\eta} e^{j\theta_y} + \hat{a}_y \frac{E_{0x}}{\eta} e^{j\theta_x} \right) e^{-j k z}
其中 η\eta 為介質之本徵阻抗(Intrinsic Impedance)。

步驟二:驗證 TEM 波的充要條件
觀察上述電場與磁場之分量:
Ez=0E_z = 0
Hz=0H_z = 0
電場與磁場向量完全限制於 xyxy 橫截面內,無任何縱向場分量,完全滿足 TEM 波的定義。

步驟三:驗證負橢圓極化條件
取固定位置 z=0z = 0,將相量轉換為時域(Time-Domain)實數表達式:
Ex(t)=E0xcos⁡(ωt+θx)E_x(t) = E_{0x} \cos(\omega t + \theta_x)
Ey(t)=E0ycos⁡(ωt+θy)E_y(t) = E_{0y} \cos(\omega t + \theta_y)

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第 5 題10 分

  1. (10%) As shown in Fig. 2, for a coaxial line operated in TEM mode, find electric field intensity, magnetic field intensity, and surface current density on the two conductors.
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核心觀念

同軸線以 TEM 模態傳播時:

  • 電場只有徑向分量 E=Era^r\mathbf{E}=E_r\hat{\mathbf a}_r;
  • 磁場只有方位角分量 H=Hϕa^ϕ\mathbf{H}=H_\phi\hat{\mathbf a}_\phi;
  • 內導體半徑為 aa,外導體內半徑為 bb;
  • 介質參數為 μ,ϵ,σ\mu,\epsilon,\sigma;
  • 兩導體間電壓取為 V0t(z)V_0^t(z),其對應的傳輸電流為 I0t(z)I_0^t(z)。

由高斯定律與安培定律,可分別求得徑向電場與方位角磁場。

解題方法

1. 電場強度

在 a<r<ba<r<b 的介質區域內,TEM 電場沿徑向:

E(r,z)=Er(r,z)a^r\mathbf{E}(r,z)=E_r(r,z)\hat{\mathbf a}_r

由於同軸結構具有圓柱對稱性,電位只與 rr 有關,且滿足

V0t(z)=∫abE⋅dl=∫abEr(r,z) drV_0^t(z)=\int_a^b \mathbf{E}\cdot d\mathbf l =\int_a^b E_r(r,z)\,dr

又因為圓柱形電極的電場必與 1/r1/r 成正比,因此

Er(r,z)=C(z)rE_r(r,z)=\frac{C(z)}{r}

代入電壓關係:

V0t(z)=C(z)∫abdrr=C(z)ln⁡(ba)V_0^t(z)=C(z)\int_a^b\frac{dr}{r} =C(z)\ln\left(\frac{b}{a}\right)

故

E(r,z)=V0t(z)rln⁡(b/a)a^r(a<r<b)\boxed{ \mathbf{E}(r,z)= \frac{V_0^t(z)} {r\ln(b/a)} \hat{\mathbf a}_r } \qquad (a<r<b)

若波沿 +z+z 方向傳播,則

V0t(z)=V0t(0)e−γzV_0^t(z)=V_0^t(0)e^{-\gamma z}

其中傳播常數為

γ=jωμ(σ+jωϵ)\gamma=\sqrt{j\omega\mu(\sigma+j\omega\epsilon)}

因此也可寫成

E(r,z)=V0t(0)e−γzrln⁡(b/a)a^r\boxed{ \mathbf{E}(r,z)= \frac{V_0^t(0)e^{-\gamma z}} {r\ln(b/a)} \hat{\mathbf a}_r }

2. 磁場強度

取半徑為 rr 的圓形安培迴路,根據安培定律:

∮H⋅dl=I0t(z)\oint \mathbf{H}\cdot d\mathbf l=I_0^t(z)

由圓柱對稱性,HϕH_\phi 在迴路上為定值,因此

Hϕ(r,z)(2πr)=I0t(z)H_\phi(r,z)(2\pi r)=I_0^t(z)

得到

H(r,z)=I0t(z)2πra^ϕ\boxed{ \mathbf{H}(r,z)= \frac{I_0^t(z)}{2\pi r} \hat{\mathbf a}_\phi }

在均勻介質中,電磁波的場阻抗為

η=jωμσ+jωϵ\eta=\sqrt{\frac{j\omega\mu}{\sigma+j\omega\epsilon}}

且 TEM 波滿足

E=ηH×a^z\mathbf{E}=\eta\mathbf{H}\times\hat{\mathbf a}_z

所以

Hϕ(r,z)=Er(r,z)ηH_\phi(r,z)=\frac{E_r(r,z)}{\eta}

因此

H(r,z)=V0t(z)η rln⁡(b/a)a^ϕ\boxed{ \mathbf{H}(r,z)= \frac{V_0^t(z)} {\eta\,r\ln(b/a)} \hat{\mathbf a}_\phi }

相對應的傳輸電流為

I0t(z)=2πV0t(z)ηln⁡(b/a)\boxed{ I_0^t(z)= \frac{2\pi V_0^t(z)} {\eta\ln(b/a)} }

同軸線的特性阻抗為

Z0=V0t(z)I0t(z)=η2πln⁡(ba)\boxed{ Z_0=\frac{V_0^t(z)}{I_0^t(z)} =\frac{\eta}{2\pi}\ln\left(\frac{b}{a}\right) }

3. 兩導體表面電流密度

表面電流密度由磁場的邊界條件決定:

Js=a^n×H\mathbf{J}_s=\hat{\mathbf a}_n\times\mathbf{H}
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第 6 題15 分

  1. (15%) Please refer to Fig. 3, a uniform plane wave of an angular frequency @ is incident from air on a dielectric at an angle of incidence θ₁ with parallel polarization. Prove
    1+Γ=τcos⁡θtcos⁡θi1 + \Gamma = \tau \frac{\cos \theta_t}{\cos \theta_i}
    where Γ and τ are respectively the reflection coefficient and transmission coefficient.
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核心觀念

本題考平行極化(TM 極化)平面波在介面上的電場邊界條件。介面切向電場連續;而平行極化的電場位於入射面內,其沿介面方向的分量為電場振幅乘上入射角或折射角的餘弦。

令入射、反射、透射電場振幅分別為 EiE_i、ErE_r、EtE_t,並定義振幅反射係數與透射係數為

Γ=ErEi,τ=EtEi.\Gamma=\frac{E_r}{E_i}, \qquad \tau=\frac{E_t}{E_i}.

解題方法

在介面處,入射波與反射波的切向電場分量相加,須等於透射波的切向電場分量。由圖中角度是相對於介面法線量測,平行極化電場沿介面的分量分別為 Eicos⁡θiE_i\cos\theta_i、Ercos⁡θiE_r\cos\theta_i 與 Etcos⁡θtE_t\cos\theta_t。因此:

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第 7 題15 分

  1. (15%) The circuit which contains transmission lines and resistors is shown in Fig. 4. Find Zin and voltage ratio of V2/V1.
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核心觀念

圖 4 為對稱的 Wilkinson 功率分配器。輸入端激勵時,兩條支路具有相同電壓,因此

V2=V3V_2=V_3

兩輸出端之間的隔離電阻兩端電壓為零,不流過電流。每條支路可視為特性阻抗 2Z0\sqrt{2}Z_0、電氣長度 θ=π/2\theta=\pi/2 的四分之一波長變壓器,負載為 Z0Z_0。

輸入阻抗 ZinZ_{\mathrm{in}}

四分之一波長傳輸線的阻抗轉換公式為

Zarm=Zc2ZLZ_{\mathrm{arm}}=\frac{Z_c^2}{Z_L}

其中

Zc=2Z0,ZL=Z0Z_c=\sqrt{2}Z_0,\qquad Z_L=Z_0

所以每一條支路在分岔點看入的阻抗為

Zarm=(2Z0)2Z0=2Z0Z_{\mathrm{arm}} =\frac{(\sqrt{2}Z_0)^2}{Z_0} =2Z_0

兩條相同支路並聯,因此

Zin=2Z0∥2Z0=(2Z0)(2Z0)2Z0+2Z0=Z0Z_{\mathrm{in}} =2Z_0\parallel 2Z_0 =\frac{(2Z_0)(2Z_0)}{2Z_0+2Z_0} =Z_0

因此輸入端與標示為 Z0Z_0 的輸入線匹配。

電壓比 V2/V1V_2/V_1

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