109 年 國立臺灣大學工程科學及海洋工程學系碩士班丙組《電子學(A)》

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第 1 題70 分

  1. (70%) For the following circuit, please
    (a) (10%) identify the non-inverting input node (V1 or V2),
    (b) (10%) find VBN1V_{BN1} and VBP1V_{BP1} such that ID5=200μAI_{D5}=200 \mu \text{A} and ID4=ID3=250μAI_{D4}=I_{D3}=250 \mu \text{A},
    (c) (10%) find the static power consumption,
    (d) (10%) find the input common mode range of the amplifier (ICMR+^+ and ICMR−^-),
    (e) (10%) find VBP2V_{BP2} and VBN2V_{BN2} such that the output voltage range can be maximized,
    (f) (10%) find the differential-mode gain (Avd=vov1−v2∣v1=v2=0A_{vd}=\frac{v_o}{v_1-v_2}|_{v_1=v_2=0}), and
    (g) (10%) plot the Bode plot (both gain and phase).

Given: VDD=+5VV_{DD}=+5\text{V}, VSS=−5VV_{SS}=-5\text{V}, μnCox=100μA/V2\mu_n C_{ox}=100 \mu \text{A/V}^2, μpCox=50μA/V2\mu_p C_{ox}=50 \mu \text{A/V}^2, Vtn=−Vtp=0.5VV_{tn}=-V_{tp}=0.5\text{V}, and λ=0.05\lambda=0.05. Please assume all transistors are biased correctly in the saturation region and all have ratios of 16/1.

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
[Circuit Diagram showing M1-M11 transistors, V1, V2, VDD, VSS, VBP1, VBP2, VBN1, VBN2, Vo, and a 10pF capacitor.]

🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 1 頁

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核心觀念

本題是典型的 NMOS 差動輸入對+PMOS 疊接負載+NMOS 疊接電流源,考查:

  • 差動輸入對的同相端判斷
  • MOSFET 飽和區平方律
  • 電流鏡與偏壓電壓
  • 輸入共模範圍
  • 疊接電流源的輸出擺幅
  • 小訊號跨導 gmg_m、輸出電阻 ror_o
  • 疊接式放大器增益與主極點

採用

ID=12μCoxWLVOV 2,gm=2μCoxWLID,ro=1λID.I_D=\frac{1}{2}\mu C_{\mathrm{ox}}\frac WL V_{OV}^{\,2}, \qquad g_m=\sqrt{2\mu C_{\mathrm{ox}}\frac WL I_D}, \qquad r_o=\frac{1}{\lambda I_D}.

所有電晶體皆有

WL=16.\frac WL=16.

(a) 判斷非反相輸入端

當 V1V_1 上升時,M1 電流增加;經由 PMOS 電流鏡負載後,輸出端注入的電流增加,因此 VoV_o 上升。

因此:

V1 為非反相輸入端\boxed{V_1\text{ 為非反相輸入端}}

而 V2V_2 為反相輸入端。


(b) 求 VBN1V_{BN1} 與 VBP1V_{BP1}

1. 求 VBN1V_{BN1}

M3 的電流為

ID3=250 μA.I_{D3}=250\,\mu\text{A}.

其過驅電壓為

VOV3=2ID3μnCox(W/L)=2(250)100(16).V_{OV3} = \sqrt{\frac{2I_{D3}} {\mu_n C_{\mathrm{ox}}(W/L)}} = \sqrt{\frac{2(250)} {100(16)}}.

因此

VOV3=0.559 V.V_{OV3}=0.559\text{ V}.

NMOS 的閘極電壓為

VBN1=VSS+Vtn+VOV3.V_{BN1}=V_{SS}+V_{tn}+V_{OV3}.

代入 VSS=−5 VV_{SS}=-5\text{ V}、Vtn=0.5 VV_{tn}=0.5\text{ V}:

VBN1=−5+0.5+0.559=−3.94 V.V_{BN1} = -5+0.5+0.559 = \boxed{-3.94\text{ V}}.

2. 求 VBP1V_{BP1}

以 M5 的指定電流

ID5=200 μAI_{D5}=200\,\mu\text{A}

求其過驅電壓:

VOV5=2ID5μpCox(W/L)=2(200)50(16).V_{OV5} = \sqrt{\frac{2I_{D5}} {\mu_p C_{\mathrm{ox}}(W/L)}} = \sqrt{\frac{2(200)} {50(16)}}.

所以

VOV5=0.707 V.V_{OV5}=0.707\text{ V}.

PMOS 的閘極電壓為

VBP1=VDD−∣Vtp∣−VOV5.V_{BP1} = V_{DD}-|V_{tp}|-V_{OV5}.

因此

VBP1=5−0.5−0.707=3.79 V.V_{BP1} = 5-0.5-0.707 = \boxed{3.79\text{ V}}.

(c) 靜態功率消耗

由圖中上下電源支路:

  • VDDV_{DD} 端供應 M4、M5 電流
  • VSSV_{SS} 端承受 M3、M10、M11 電流

因此

IDD=ID4+ID5=250+200=450 μA.I_{DD}=I_{D4}+I_{D5} =250+200 =450\,\mu\text{A}.

下方電源電流為

ISS=ID3+ID10+ID11=250+250+200=700 μA.I_{SS}=I_{D3}+I_{D10}+I_{D11} =250+250+200 =700\,\mu\text{A}.

電源總電壓為

VDD−VSS=5−(−5)=10 V.V_{DD}-V_{SS}=5-(-5)=10\text{ V}.

故靜態功率為

Pstatic=10(450+700) μW.P_{\mathrm{static}} = 10(450+700)\,\mu\text{W}.

所以

Pstatic=11.5 mW.\boxed{P_{\mathrm{static}}=11.5\text{ mW}}.

(d) 輸入共模範圍

平衡操作時,尾電流平均分配:

ID1=ID2=ID32=125 μA.I_{D1}=I_{D2}=\frac{I_{D3}}2 =125\,\mu\text{A}.

M1、M2 的過驅電壓為

VOV1=2(125)100(16)=0.395 V.V_{OV1} = \sqrt{\frac{2(125)} {100(16)}} = 0.395\text{ V}.

1. 下限 ICMR−ICMR^-

M3 必須保持飽和,因此輸入對的共源節點最低為

VSmin⁡=VSS+VOV3.V_S^{\min}=V_{SS}+V_{OV3}.

輸入電壓為

VCM,min⁡=VSmin⁡+VGS1=VSS+VOV3+Vtn+VOV1.V_{CM,\min} = V_S^{\min}+V_{GS1} = V_{SS}+V_{OV3}+V_{tn}+V_{OV1}.

代入數值:

VCM,min⁡=−5+0.559+0.5+0.395.V_{CM,\min} = -5+0.559+0.5+0.395.

因此

ICMR−=−3.55 V.\boxed{ICMR^-=-3.55\text{ V}}.

2. 上限 ICMR+ICMR^+

輸入 NMOS 的汲極由上方兩個 PMOS 疊接電晶體限制。上方節點最高電壓為

VDmax⁡=VDD−∣Vtp∣−VOV4−VOV6.V_D^{\max} = V_{DD}-|V_{tp}|-V_{OV4}-V_{OV6}.

對 250 μA250\,\mu\text{A} 的 PMOS,

VOV4=VOV6=2(250)50(16)=0.791 V.V_{OV4}=V_{OV6} = \sqrt{\frac{2(250)}{50(16)}} = 0.791\text{ V}.

又輸入 NMOS 飽和條件為

VD≥VS+VOV1.V_D\ge V_S+V_{OV1}.

因此

VCM,max⁡=VDmax⁡+Vtn.V_{CM,\max} = V_D^{\max}+V_{tn}.

代入:

VCM,max⁡=5−0.5−0.791−0.791+0.5.V_{CM,\max} = 5-0.5-0.791-0.791+0.5.

所以

ICMR+=3.42 V.\boxed{ICMR^+=3.42\text{ V}}.

故輸入共模範圍為

−3.55 V≤VCM≤3.42 V.\boxed{-3.55\text{ V}\le V_{CM}\le 3.42\text{ V}}.

(e) 使輸出範圍最大的 VBP2V_{BP2} 與 VBN2V_{BN2}

1. 上方 PMOS 疊接偏壓

輸出上限為

Vo,max⁡=VDD−VOV5−VOV7.V_{o,\max} = V_{DD}-V_{OV5}-V_{OV7}.

M5、M7 皆承受約 200 μA200\,\mu\text{A},因此

VOV5=VOV7=0.707 V.V_{OV5}=V_{OV7}=0.707\text{ V}.

PMOS 疊接管的偏壓為

VBP2=VDD−VOV5−∣Vtp∣−VOV7.V_{BP2} = V_{DD}-V_{OV5}-|V_{tp}|-V_{OV7}.

因此

VBP2=5−0.707−0.5−0.707=3.09 V.V_{BP2} = 5-0.707-0.5-0.707 = \boxed{3.09\text{ V}}.

相應的輸出上限為

Vo,max⁡=5−0.707−0.707=3.59 V.V_{o,\max} = 5-0.707-0.707 = \boxed{3.59\text{ V}}.

2. 下方 NMOS 疊接偏壓

下方輸出支路電流約為 200 μA200\,\mu\text{A},其過驅電壓為

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第 2 題30 分

  1. (30%) An amplifier has a low-frequency gain of 80 dB and three poles at 1 kHz, 1 MHz, and 100 MHz, respectively.
    (a) (10%) Please plot the Bode plot of the amplifier (both gain and phase),
    (b) (10%) find the phase margin of the open-loop amplifier, and
    (c) (10%) find β\beta such that the amplifier has a phase margin of 45 degrees when configured as a closed-loop amplifier.

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核心觀念

放大器具有三個極點,其開迴路傳遞函數可寫成

A(s)=A0(1+sωp1)(1+sωp2)(1+sωp3)A(s)=\frac{A_0}{\left(1+\frac{s}{\omega_{p1}}\right) \left(1+\frac{s}{\omega_{p2}}\right) \left(1+\frac{s}{\omega_{p3}}\right)}

低頻增益為

A0=1080/20=104A_0=10^{80/20}=10^4

三個極點頻率為

fp1=1 kHz,fp2=1 MHz,fp3=100 MHzf_{p1}=1\text{ kHz},\qquad f_{p2}=1\text{ MHz},\qquad f_{p3}=100\text{ MHz}

幅值與相位分別為

∣A(f)∣=104[1+(f1 kHz)2][1+(f1 MHz)2][1+(f100 MHz)2]|A(f)|= \frac{10^4} {\sqrt{ \left[1+\left(\frac{f}{1\text{ kHz}}\right)^2\right] \left[1+\left(\frac{f}{1\text{ MHz}}\right)^2\right] \left[1+\left(\frac{f}{100\text{ MHz}}\right)^2\right] }} ∠A(f)=−tan⁡−1(f1 kHz)−tan⁡−1(f1 MHz)−tan⁡−1(f100 MHz)\angle A(f)= -\tan^{-1}\left(\frac{f}{1\text{ kHz}}\right) -\tan^{-1}\left(\frac{f}{1\text{ MHz}}\right) -\tan^{-1}\left(\frac{f}{100\text{ MHz}}\right)

相位裕度定義為

PM=180∘+∠A(fgc)\mathrm{PM}=180^\circ+\angle A(f_{gc})

其中 fgcf_{gc} 是增益交越頻率,也就是 ∣A(fgc)∣=1|A(f_{gc})|=1 的頻率。


(a) Bode plot

增益圖

低頻時增益為 8080 dB。每遇到一個極點,斜率增加 −20-20 dB/decade。

頻率範圍增益斜率近似增益
f<1f<1 kHz00 dB/decade8080 dB
11 kHz 至 11 MHz−20-20 dB/decade80−20log⁡10(f/1 kHz)80-20\log_{10}(f/1\text{ kHz})
11 MHz 至 100100 MHz−40-40 dB/decade約由 2020 dB 下降至 −60-60 dB
f>100f>100 MHz−60-60 dB/decade持續下降

以漸近線估算:

  • 11 kHz:增益約 8080 dB
  • 11 MHz:經過三個 decade,下降 6060 dB,因此約為 2020 dB
  • 100100 MHz:再下降 8080 dB,因此約為 −60-60 dB

增益曲線可用下列方式繪製:

  1. 從 11 kHz 前的 8080 dB 水平線開始。
  2. 11 kHz 後以 −20-20 dB/decade 下降。
  3. 11 MHz 後改為 −40-40 dB/decade。
  4. 100100 MHz 後改為 −60-60 dB/decade。
  5. 增益穿越 00 dB 的位置即為增益交越頻率。

利用精確幅值計算,令 ff 以 MHz 為單位:

1=104[1+(1000f)2](1+f2)[1+(0.01f)2]1= \frac{10^4} {\sqrt{ \left[1+(1000f)^2\right] (1+f^2) \left[1+(0.01f)^2\right] }}

解得

fgc≈3.08 MHzf_{gc}\approx 3.08\text{ MHz}

因此,實際增益交越頻率約為 3.083.08 MHz。Bode 漸近線估算通常會得到約 3.163.16 MHz,兩者相當接近。

相位圖

每個一階極點的相位由 0∘0^\circ 逐漸變化至 −90∘-90^\circ,主要變化範圍約為極點頻率的 0.10.1 倍至 1010 倍。

三個極點的相位貢獻為:

ϕ1=−tan⁡−1(f1 kHz)\phi_1=-\tan^{-1}\left(\frac{f}{1\text{ kHz}}\right) ϕ2=−tan⁡−1(f1 MHz)\phi_2=-\tan^{-1}\left(\frac{f}{1\text{ MHz}}\right) ϕ3=−tan⁡−1(f100 MHz)\phi_3=-\tan^{-1}\left(\frac{f}{100\text{ MHz}}\right)

總相位為三者相加。重要頻率附近的相位約如下:

頻率總相位
11 kHz−50.7∘-50.7^\circ
1010 kHz−84.9∘-84.9^\circ
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