108 年 國立臺灣大學生物機電系碩士班丙組《電子學(B)》

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第 1 題20 分

Please design a common-emitter BJT Amplifier with an emitter bypass capacitor, based on the following three constraints:

  • Swing voltage of the output voltage must be between 22V and 24V (peak to peak)
  • Voltage gain must be equal to 20.
  • Power dissipation by resistors must be under 0.2 Watt

Your design must include the amplifier circuit, along with the bias circuit, as well as the values of all the resistors and capacitors, the DC power supplies, and the parameter (β\beta) of the BJT.

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核心觀念

本題要求設計一個具有射極旁路電容的共射極 BJT 放大器,必須同時滿足:

  1. 輸出電壓約為 23 Vp−p23\text{ V}_{p-p}。
  2. 電壓增益大小為 2020。
  3. 所有電阻的功率消耗低於 0.2 W0.2\text{ W}。

題目未指定工作頻率、負載及 BJT 型號,因此採用下列合理設計條件:

  • 工作頻率:f=1 kHzf=1\text{ kHz}
  • 輸出接高阻抗示波器,負載視為 RL≥1 MΩR_L\geq 1\text{ M}\Omega
  • BJT 參數:β=100\beta=100
  • VBE=0.7 VV_{BE}=0.7\text{ V}
  • 熱電壓:VT=25 mVV_T=25\text{ mV}

射極旁路電容並非在所有頻率都能完全短路射極電阻,因此本設計將旁路電容的阻抗納入增益計算。


解題方法

選擇靜態集極電流約為 1 mA1\text{ mA},並令集極靜態電壓接近電源電壓的一半,使輸出具有足夠的上下擺幅。

取:

VCC=30 VV_{CC}=30\text{ V} ICQ≈1 mAI_{CQ}\approx 1\text{ mA}

令射極直流電壓約為:

VEQ=2.2 VV_{EQ}=2.2\text{ V}

因此射極電阻取:

RE=VEQIE≈2.2 V1 mA=2.2 kΩR_E=\frac{V_{EQ}}{I_E} \approx \frac{2.2\text{ V}}{1\text{ mA}} =2.2\text{ k}\Omega

集極電阻取:

RC=15.1 kΩR_C=15.1\text{ k}\Omega

則集極靜態電壓約為:

VCQ=VCC−ICRCV_{CQ}=V_{CC}-I_C R_C VCQ≈30−(0.992 mA)(15.1 kΩ)≈15.0 VV_{CQ}\approx 30-(0.992\text{ mA})(15.1\text{ k}\Omega) \approx 15.0\text{ V}

因此集極電壓可由約 15 V15\text{ V} 向上擺至接近 30 V30\text{ V},向下擺至約 3.5 V3.5\text{ V},足以產生 23 Vp−p23\text{ V}_{p-p} 輸出。


偏壓電路設計

基極電壓應為:

VB=VE+VBE≈2.2+0.7=2.9 VV_B=V_E+V_{BE} \approx 2.2+0.7 =2.9\text{ V}

取基極分壓電流約為 100 μA100\ \mu\text{A}。因為:

IB=ICβ=1 mA100=10 μAI_B=\frac{I_C}{\beta} =\frac{1\text{ mA}}{100} =10\ \mu\text{A}

上方分壓電阻中的電流約為:

IR1=100 μA+10 μA=110 μAI_{R1}=100\ \mu\text{A}+10\ \mu\text{A} =110\ \mu\text{A}

因此:

R2=VB100 μA=2.9100 μA≈29 kΩR_2=\frac{V_B}{100\ \mu\text{A}} =\frac{2.9}{100\ \mu\text{A}} \approx 29\text{ k}\Omega R1=VCC−VB110 μA=30−2.9110 μA≈246 kΩR_1=\frac{V_{CC}-V_B}{110\ \mu\text{A}} =\frac{30-2.9}{110\ \mu\text{A}} \approx 246\text{ k}\Omega

採用:

R1=246 kΩ,R2=29 kΩR_1=246\text{ k}\Omega,\qquad R_2=29\text{ k}\Omega

考慮基極電流後,分壓器的戴維寧等效電壓為:

VTH=3029246+29≈3.164 VV_{TH}=30\frac{29}{246+29} \approx 3.164\text{ V}

戴維寧等效電阻為:

RTH=246 kΩ∥29 kΩ≈25.9 kΩR_{TH}=246\text{ k}\Omega\parallel29\text{ k}\Omega \approx25.9\text{ k}\Omega

實際基極電壓:

VB=VTH−IBRTHV_B=V_{TH}-I_B R_{TH} VB≈3.164−(10 μA)(25.9 kΩ)≈2.905 VV_B\approx3.164-(10\ \mu\text{A})(25.9\text{ k}\Omega) \approx2.905\text{ V}

所以:

VE≈2.905−0.7=2.205 VV_E\approx2.905-0.7=2.205\text{ V} IE=2.2052.2 kΩ≈1.002 mAI_E=\frac{2.205}{2.2\text{ k}\Omega} \approx1.002\text{ mA} IC=ββ+1IE≈0.992 mAI_C=\frac{\beta}{\beta+1}I_E \approx0.992\text{ mA}

此結果符合 IC≈1 mAI_C\approx1\text{ mA} 的設計目標。


電壓增益設計

小訊號射極內電阻為:

re≈VTIE=25 mV1.002 mA≈25Ωr_e\approx\frac{V_T}{I_E} =\frac{25\text{ mV}}{1.002\text{ mA}} \approx25\Omega

在 1 kHz1\text{ kHz} 下,射極電阻與旁路電容的等效阻抗為:

ZE=RE∥1jωCEZ_E=R_E\parallel\frac{1}{j\omega C_E}

選擇:

CE=0.20 μFC_E=0.20\ \mu\text{F}

其中:

ω=2πf=2π(1000)\omega=2\pi f=2\pi(1000) XCE=12πfCE≈796ΩX_{C_E}=\frac{1}{2\pi f C_E} \approx796\Omega

因此:

ZE=2.2 kΩ∥(−j796Ω)≈254−j704ΩZ_E =2.2\text{ k}\Omega\parallel(-j796\Omega) \approx254-j704\Omega

共射極放大器的電壓增益近似為:

Av≈−RCre+ZEA_v\approx-\frac{R_C}{r_e+Z_E}

其增益大小為:

∣Av∣≈15.1 kΩ∣25+(254−j704)∣|A_v| \approx\frac{15.1\text{ k}\Omega} {|25+(254-j704)|} ∣Av∣≈15100757≈19.95≈20|A_v| \approx\frac{15100}{757} \approx19.95 \approx20

因此在 1 kHz1\text{ kHz} 下,選用 CE=0.20 μFC_E=0.20\ \mu\text{F} 可使電壓增益符合題目要求。


輸出擺幅驗證

要求輸出為:

Vo(p−p)=23 VV_{o(p-p)}=23\text{ V}

因此輸出峰值為:

Vo(p)=11.5 VV_{o(p)}=11.5\text{ V}

靜態集極電壓約為 15.0 V15.0\text{ V},向上擺動後:

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第 2 題20 分

Please provide a circuit design of current mirror using only MOSFET and DC power supplies. The output current of your current mirror circuit must be 1 mA. Please specify the parameters of your MOSFET.

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採用兩顆相同的 NMOS(M1,M2M_1,M_2)構成基本電流鏡:

  • M1M_1 採二極體接法,即閘極與汲極相接。
  • M1,M2M_1,M_2 的閘極相接,源極均接地。
  • 以直流電源 VDD=5 VV_{DD}=5\text{ V} 經電阻 RR 接至 M1M_1 的閘汲極。
  • M2M_2 的汲極為輸出端。

假設兩顆 NMOS 工作於飽和區,忽略通道長度調變:

ID=12kn′WL(VGS−VTH)2I_D=\frac{1}{2}k_n'\frac{W}{L}(V_{GS}-V_{TH})^2

選用參數:

VTH=1 V,kn′=200 μA/V2,WL=10V_{TH}=1\text{ V},\qquad k_n'=200\,\mu\text{A}/\text{V}^2,\qquad \frac WL=10

令 ID=1 mAI_D=1\text{ mA},則

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第 3 題20 分

Two amplifiers (each can be modeled as the following figure) were cascaded in the order A-B.
🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
(a) (8%) Find the input impedance (RiR_i), output impedance (RoR_o), and open-circuit voltage gain of the cascade.
(b) (8%) Repeat (a) when the order is B-A.
(c) (4%) Which order is better? Why?

The figure shows a generic amplifier model with input impedance RiR_i, output impedance RoR_o, and open-circuit voltage gain AvocA_{voc}.
The parameters for Amplifier A and B are given in the table:

AmplifierAvoc=Vo/ViA_{voc} = V_o/V_iRiR_i (Ohm)RoR_o (Ohm)
A1001k100
B5001M1k
🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 1 頁

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核心觀念

本題考查兩級電壓放大器串接時的負載效應。每級放大器以以下三個參數表示:

  • 輸入阻抗:RiR_i
  • 輸出阻抗:RoR_o
  • 開路電壓增益:AvocA_{voc}

前級輸出端會受到後級輸入阻抗的負載,因此兩級間的實際電壓傳遞增益為

Av,loading=AvocRi,nextRo,previous+Ri,nextA_{v,\text{loading}} = A_{voc} \frac{R_{i,\text{next}}} {R_{o,\text{previous}}+R_{i,\text{next}}}

級聯放大器的總開路電壓增益為各級開路增益乘上級間負載因子。

已知:

AvocRiRoA1001 kΩ100 ΩB5001 MΩ1 kΩ\begin{array}{c|c|c|c} & A_{voc} & R_i & R_o\\ \hline A & 100 & 1\,\text{k}\Omega & 100\,\Omega\\ B & 500 & 1\,\text{M}\Omega & 1\,\text{k}\Omega \end{array}

解題方法

對於兩級串接:

  1. 級聯輸入阻抗等於第一級輸入阻抗。
  2. 級聯輸出阻抗等於第二級輸出阻抗。
  3. 總開路電壓增益必須考慮前級輸出阻抗與後級輸入阻抗造成的分壓。

(a) 串接順序為 A-B

輸入阻抗

第一級為 A,因此

Ri,AB=RiA=1 kΩR_{i,\text{AB}}=R_{iA}=1\,\text{k}\Omega

輸出阻抗

第二級為 B,因此

Ro,AB=RoB=1 kΩR_{o,\text{AB}}=R_{oB}=1\,\text{k}\Omega

開路電壓增益

A 級輸出受到 B 級輸入阻抗負載,級間負載因子為

RiBRoA+RiB=1 MΩ100 Ω+1 MΩ\frac{R_{iB}}{R_{oA}+R_{iB}} = \frac{1\,\text{M}\Omega} {100\,\Omega+1\,\text{M}\Omega}

因此

Avoc,AB=AvocARiBRoA+RiBAvocBA_{voc,\text{AB}} = A_{vocA} \frac{R_{iB}}{R_{oA}+R_{iB}} A_{vocB}

代入數值:

Avoc,AB=100(1 000 0001 000 000+100)500A_{voc,\text{AB}} = 100 \left( \frac{1\,000\,000}{1\,000\,000+100} \right) 500 Avoc,AB≈49 995A_{voc,\text{AB}} \approx 49\,995

可近似為

Avoc,AB≈5.0×104\boxed{A_{voc,\text{AB}}\approx 5.0\times 10^4}

(b) 串接順序為 B-A

輸入阻抗

第一級為 B,因此

Ri,BA=RiB=1 MΩR_{i,\text{BA}}=R_{iB}=1\,\text{M}\Omega

輸出阻抗

第二級為 A,因此

Ro,BA=RoA=100 ΩR_{o,\text{BA}}=R_{oA}=100\,\Omega

開路電壓增益

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第 4 題16 分

A Zener voltage regulator is shown below. The VSV_S varies from 7 to 10 V, and the iLi_L varies from 50 to 120 mA. Assume the Zener diode is ideal.
🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
(a) (10%) Determine the largest RSR_S for constant VLV_L.
(b) (6%) Following (a), determine the maximum power dissipation in RSR_S.

The circuit shows a Zener diode regulator with a series resistor RSR_S connected to an input voltage source VSV_S. The Zener diode is in parallel with a load resistor RLR_L. The current through the load is iLi_L and the voltage across the load is VLV_L. The Zener voltage is given as 5V.

🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 2 頁

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核心觀念

此題考查齊納二極體並聯穩壓器的工作條件。

理想齊納二極體導通時,負載電壓固定為齊納電壓:

VL=VZ=5 VV_L=V_Z=5\text{ V}

串聯電阻 RSR_S 的電流由電流定律得到:

iS=iL+iZi_S=i_L+i_Z

而串聯電阻上的電壓為:

VS−VZ=iSRSV_S-V_Z=i_SR_S

因此:

iZ=VS−VZRS−iLi_Z=\frac{V_S-V_Z}{R_S}-i_L

要維持穩壓,齊納二極體必須至少處於臨界導通狀態,即:

iZ≥0i_Z\geq 0

解題方法

(a) 求能維持定值 VLV_L 的最大 RSR_S

RSR_S 越大,串聯電流越小,越容易在負載電流過大或輸入電壓過低時失去穩壓。因此最嚴苛的情況是:

  • VSV_S 最小:7 V7\text{ V}
  • iLi_L 最大:120 mA120\text{ mA}
  • 齊納電流恰好為零:iZ=0i_Z=0

此時:

iS=iL=120 mAi_S=i_L=120\text{ mA}

套用串聯電阻公式:

RS=VS−VZiSR_S=\frac{V_S-V_Z}{i_S} RS=7−5120×10−3=20.12=16.67 ΩR_S=\frac{7-5}{120\times 10^{-3}} =\frac{2}{0.12} =16.67\ \Omega

因此,RSR_S 的最大值為:

RS=16.67 Ω\boxed{R_S=16.67\ \Omega}

(b) 求 RSR_S 的最大功率耗散

串聯電阻的功率為:

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第 5 題24 分

An instrumentation amplifier is shown below.
🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
(a) (6%) What is the part with U1, R1, and RG? What is the purpose of this part?
(b) (6%) What is the part with U3, R2, R3, R5, and R6? What is the purpose of this part?
(c) (12%) What is the mathematic relationship between VIN, 1, VIN, 2 and VOUT?

The diagram shows an instrumentation amplifier circuit with three operational amplifiers U1, U2, and U3. U1 and U2 are configured as non-inverting amplifiers with gain determined by RG and R1, R4 respectively. U3 is configured as a difference amplifier. VIN, 1 and VIN, 2 are the differential inputs. VOUT is the output.

🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
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核心觀念

本題考查三運算放大器型儀表放大器(instrumentation amplifier)的結構與增益推導,分成兩級:

  1. 第一級:U1、U2 與 R1、RG、R4R_1、R_G、R_4

    • 提供高輸入阻抗。
    • 先放大兩個輸入電壓的差值。
    • 增益由 RGR_G 調整。
  2. 第二級:U3 與 R2、R3、R5、R6R_2、R_3、R_5、R_6

    • 為差動放大器(difference amplifier)。
    • 將第一級兩個輸出相減,並抑制共模訊號。

理想運算放大器使用:

V+=V−V_+=V_-

以及輸入端電流為零:

i+=i−=0i_+=i_-=0

(a) U1、R1R_1 與 RGR_G 的部分

電路名稱與功能

U1、R1R_1 與 RGR_G 所屬的部分,是儀表放大器第一級的其中一半,通常稱為:

輸入緩衝/增益級(input buffer and gain stage)

完整第一級還包含對稱的 U2、R4R_4 與 RGR_G。

其功能為:

  • 讓輸入端具有很高的輸入阻抗,避免負載訊號源。
  • 放大輸入差值 VIN,2−VIN,1V_{IN,2}-V_{IN,1}。
  • 透過調整 RGR_G 改變增益。
  • 保留良好的共模抑制能力。

由於 RGR_G 越小,差動增益越大,因此可用單一電阻調整整體增益。


(b) U3、R2、R3、R5、R6R_2、R_3、R_5、R_6 的部分

電路名稱與功能

U3 及四個電阻所構成的是:

差動放大器(difference amplifier)

其功能為:

  • 將第一級兩個輸出電壓相減。
  • 放大差動訊號。
  • 抑制同時出現在兩個輸入端的共模訊號。
  • 將差動訊號送至輸出端 VOUTV_{OUT}。

為了使差動放大器具有良好的共模抑制,電阻比必須匹配:

R3R2=R6R5\frac{R_3}{R_2}=\frac{R_6}{R_5}

若進一步有 R2=R5R_2=R_5 且 R3=R6R_3=R_6,則電路具有對稱的差動放大特性。


(c) VIN,1V_{IN,1}、VIN,2V_{IN,2} 與 VOUTV_{OUT} 的關係

第一步:求第一級兩個輸出

令 U1、U2 的輸出分別為 VO1V_{O1} 與 VO2V_{O2}。

由於運算放大器工作在線性區,且輸入電流為零,U1 反相端電壓等於 VIN,1V_{IN,1},U2 反相端電壓等於 VIN,2V_{IN,2}。

對 U1 反相端套用 KCL:

VIN,1−VO1R1+VIN,1−VIN,2RG=0\frac{V_{IN,1}-V_{O1}}{R_1} + \frac{V_{IN,1}-V_{IN,2}}{R_G}=0

因此:

VO1=VIN,1+R1RG(VIN,1−VIN,2)V_{O1} = V_{IN,1} + \frac{R_1}{R_G} \left(V_{IN,1}-V_{IN,2}\right)

對 U2 反相端套用 KCL:

VIN,2−VO2R4+VIN,2−VIN,1RG=0\frac{V_{IN,2}-V_{O2}}{R_4} + \frac{V_{IN,2}-V_{IN,1}}{R_G}=0

因此:

VO2=VIN,2+R4RG(VIN,2−VIN,1)V_{O2} = V_{IN,2} + \frac{R_4}{R_G} \left(V_{IN,2}-V_{IN,1}\right)

兩輸出相減:

VO2−VO1=[1+R1+R4RG](VIN,2−VIN,1)V_{O2}-V_{O1} = \left[ 1+\frac{R_1+R_4}{R_G} \right] \left(V_{IN,2}-V_{IN,1}\right)
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