112 年 國立成功大學化學研究所《物理化學》

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第 1 題

  1. (a) For a real gas following the P=RT/(Vm−b)−a/Vm2P = RT/(V_m - b) - a/V_m^2 equation, please calculate the critical compression factor ZcZ_c value of the gas. (6%)
    (b) Derive internal pressure πT\pi_T of the real gas πT=T(∂P/∂T)Vm−P\pi_T = T (\partial P/\partial T)_{V_m} - P. (3%)
    (c) Please calculate πT\pi_T of the real gas. (3%)

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核心觀念

  • 范德瓦爾斯方程:
    P=RTVm−b−aVm2P=\frac{RT}{V_m-b}-\frac{a}{V_m^{2}}
    其中 aa、bb 為分子間作用與分子排斥參數。
  • 臨界點條件:在臨界點上,等溫等壓曲線的第一、二階導數皆為零:
(∂P∂Vm)Tc=0,(∂2P∂Vm2)Tc=0\left(\frac{\partial P}{\partial V_m}\right)_{T_c}=0,\qquad \left(\frac{\partial^{2}P}{\partial V_m^{2}}\right)_{T_c}=0
  • 壓縮因子:
    Zc≡PcVm,cRTcZ_c\equiv\frac{P_cV_{m,c}}{RT_c}
  • 內壓(internal pressure)定義:
    πT≡T(∂P∂T)Vm−P\pi_T \equiv T\left(\frac{\partial P}{\partial T}\right)_{V_m}-P

(a) 計算臨界壓縮因子 ZcZ_c

1. 先求臨界常數
對范德瓦爾斯方程取對 VmV_m 的一階、二階導數,並在 T=TcT=T_c、Vm=Vm,cV_m=V_{m,c} 使其同時為零:

∂P∂Vm=−RT(Vm−b)2+2aVm3=0\frac{\partial P}{\partial V_m} = -\frac{RT}{(V_m-b)^2}+\frac{2a}{V_m^{3}}=0 ∂2P∂Vm2=2RT(Vm−b)3−6aVm4=0\frac{\partial^{2}P}{\partial V_m^{2}} = \frac{2RT}{(V_m-b)^{3}}-\frac{6a}{V_m^{4}}=0

解聯立方程式得到

Vm,c=3b,Pc=a27b2,Tc=8a27Rb.V_{m,c}=3b,\qquad P_c=\frac{a}{27b^{2}},\qquad T_c=\frac{8a}{27Rb}.

2. 套入壓縮因子定義

Zc=PcVm,cRTc=a27b2  (3b)R8a27Rb=a9b  /  8a27b=2772=38=0.375.Z_c=\frac{P_cV_{m,c}}{RT_c} =\frac{\displaystyle\frac{a}{27b^{2}}\;(3b)} {R\displaystyle\frac{8a}{27Rb}} =\frac{a}{9b}\;\Big/\;\frac{8a}{27b} =\frac{27}{72} =\frac{3}{8}=0.375.

結果

Zc=38=0.375\boxed{Z_c=\dfrac{3}{8}=0.375}


(b) 內壓 πT\pi_T 的推導

由定義

πT=T(∂P∂T)Vm−P.\pi_T = T\left(\frac{\partial P}{\partial T}\right)_{V_m}-P.

把范德瓦爾斯方程寫成 P(T,Vm)P(T,V_m):

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第 2 題

  1. (a) If a spontaneous change occurs with a decrease in entropy of the system, why ∣work∣<∣ΔU∣| work | < | \Delta U |? (4%)
    (b) Please use the chemical reaction of 2A+3B⟶C+2D2A + 3B \longrightarrow C + 2D to derive the equation of ΔG=ΔG∘+RTln⁡Q\Delta G = \Delta G^\circ + RT \ln Q. (6%)

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核心觀念

  • 熱力學第一與第二定律
    • 第一律:ΔU=q+w\Delta U = q + w(系統內能變化等於熱傳與功的總和)。
    • 第二律:自發過程必須使宇宙熵增,即 ΔSuniv=ΔSsys+ΔSsurr>0 \Delta S_{\text{univ}} = \Delta S_{\text{sys}} + \Delta S_{\text{surr}} > 0。
  • 吉布斯自由能
    • G=H−TSG = H - TS,對於恆壓恆溫系統,自發變化的判準為 ΔG<0\Delta G < 0。
    • ΔG=ΔH−TΔS=ΔU+pΔV−TΔS\Delta G = \Delta H - T\Delta S = \Delta U + p\Delta V - T\Delta S。
  • 反應商與標準狀態
    • Q=[C][D]2[A]2[B]3Q = \dfrac{[C][D]^2}{[A]^2[B]^3} 為即時反應商。
    • 標準吉布斯自由能變化 ΔG∘\Delta G^\circ 於所有物質皆在標準態 (1 atm, 1 M)。

(a) 為何在系統熵減、仍為自發過程時 ∣w∣<∣ΔU∣|w|<|\Delta U|?

解題步驟

  1. 寫出熱力學第二律的條件

ΔSuniv=ΔSsys+ΔSsurr>0\Delta S_{\text{univ}} = \Delta S_{\text{sys}} + \Delta S_{\text{surr}} > 0

  1. 將環境熵變寫成熱傳的函數(恆溫環境 TsurrT_{\text{surr}})

ΔSsurr=−qTsurr\Delta S_{\text{surr}} = -\frac{q}{T_{\text{surr}}}

(熱流入系統 q>0q>0,環境失熱 −q-q,熵變為負)。
3. 代入不等式

ΔSsys−qT>0⟹q<TΔSsys\Delta S_{\text{sys}} - \frac{q}{T} > 0\quad\Longrightarrow\quad q < T\Delta S_{\text{sys}}

因為題設 ΔSsys<0\Delta S_{\text{sys}}<0,右端為負值,故 qq 必為負(系統放熱)。
4. 利用第一律 ΔU=q+w\Delta U = q + w:

w=ΔU−qw = \Delta U - q

  1. 把 qq 的不等式代入

w=ΔU−q>ΔU−TΔSsysw = \Delta U - q > \Delta U - T\Delta S_{\text{sys}}

觀察到 TΔSsysT\Delta S_{\text{sys}} 為負值,故

w>ΔU(若以正值表示功的輸出)w > \Delta U \quad\text{(若以正值表示功的輸出)}

取絕對值:

∣w∣<∣ΔU∣|w| < |\Delta U|

因為 ΔU\Delta U 為負(放熱),而 ww 為正(系統對外作功)時,絕對值大小相反。

核心結論

  • 系統熵減表示環境必須吸收足夠熱量才能維持 ΔSuniv>0 \Delta S_{\text{univ}} >0,因此放熱量 ∣q∣|q| 必大於作功 ∣w∣|w|。
  • 依第一律 ∣ΔU∣=∣q∣+∣w∣|\Delta U| = |q| + |w|,故 ∣w∣<∣ΔU∣|w| < |\Delta U|。

(b) 以反應 2A+3B→C+2D2A + 3B \rightarrow C + 2D 推導 ΔG=ΔG∘+RTln⁡Q\displaystyle \Delta G = \Delta G^{\circ} + RT\ln Q

解題步驟

  1. 寫出化學勢(化學位)
    在任意狀態下,單質 ii 的化學勢

μi=μi∘+RTln⁡ai\mu_i = \mu_i^{\circ} + RT\ln a_i

其中 aia_i 為活度(在理想稀溶液中 ai≈[i]a_i\approx [i])。

  1. 系統總吉布斯自由能變化(以反應進度 ξ\xi 表示)

ΔG=∑iνiμi\Delta G = \sum_i \nu_i \mu_i

νi\nu_i 為生成係數(產物正、反應物負)。對本反應

ΔG=(+1)μC+(+2)μD−(2)μA−(3)μB\Delta G = (+1)\mu_C + (+2)\mu_D - (2)\mu_A - (3)\mu_B

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第 3 題

  1. (a) What is the thermodynamic criterion for the equilibrium between phase A and phase B? (3%)
    (b) In a phase diagram (pressure vs. temperature) of a CO2, please derive the slope of the liquid-solid boundary. (4%)
    (c) Is the slope of gas-solid boundary of a CO2 negative, positive? Why? (3 %)

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本題考驗相平衡的熱力學準則以及相圖的斜率推導。

(a) 在熱力學中,系統處於平衡狀態的準則是其自由能達到最小。
對於一個在定溫定壓下的系統(這是相平衡最常見的條件),系統的吉布斯自由能 GG 必須最小。
因此,相 A 與相 B 之間的熱力學平衡準則為:
GA=GBG_A = G_B
在定溫定壓下,若系統從一種狀態轉變到另一種狀態,且此轉變是可逆的(即處於平衡狀態),則吉布斯自由能的變化量 ΔG=0\Delta G = 0。
所以,相 A 與相 B 之間的熱力學平衡準則為:
GA=GBG_A = G_B 且 ΔGA→B=0\Delta G_{A \rightarrow B} = 0。
更精確地說,在定溫定壓下,若系統存在兩個或多個相,則系統處於平衡狀態的條件是,各相的化學勢(或摩爾吉布斯自由能)相等。
μA=μB\mu_A = \mu_B
其中 μi=(∂G/∂ni)T,P,nj≠i\mu_i = (\partial G / \partial n_i)_{T, P, n_{j \neq i}}。
對於均勻的相,這等同於摩爾吉布斯自由能相等:
GˉA=GˉB\bar{G}_A = \bar{G}_B
其中 Gˉ=G/n\bar{G} = G/n。

【答案】(a) 在定溫定壓下,系統處於相平衡的熱力學準則為各相的化學勢相等,即 μA=μB\mu_A = \mu_B。若考慮摩爾量,則為摩爾吉布斯自由能相等,GˉA=GˉB\bar{G}_A = \bar{G}_B。

(b) 在相圖中,液體-固體邊界代表液相與固相共存的平衡線。這條線上的點滿足液相和固相的化學勢相等。
令液相為 L,固相為 S。在平衡線上,μL=μS\mu_L = \mu_S。
我們知道化學勢與吉布斯自由能的關係為 μi=(∂G/∂ni)T,P\mu_i = (\partial G / \partial n_i)_{T, P}。
若我們考慮單位摩爾量,則 μˉi=(∂Gˉ/∂n/n)T,P=(∂Gˉ/∂n)T,P\bar{\mu}_i = (\partial \bar{G} / \partial n / n)_{T, P} = (\partial \bar{G} / \partial n)_{T, P} 這裡的 nn 指的是摩爾數,所以 μˉi=Gˉi\bar{\mu}_i = \bar{G}_i。
因此,平衡條件為 GˉL=GˉS\bar{G}_L = \bar{G}_S。
在平衡線上,壓力 PP 和溫度 TT 是變量。我們需要推導 dPdT\frac{dP}{dT}。
對平衡條件 GˉL(T,P)=GˉS(T,P)\bar{G}_L(T, P) = \bar{G}_S(T, P) 進行全微分:
dGˉL=dGˉSd\bar{G}_L = d\bar{G}_S
我們知道 dGˉ=−SmdT+VmdPd\bar{G} = -S_m dT + V_m dP,其中 SmS_m 是摩爾熵,VmV_m 是摩爾體積。
所以,−Sm,LdT+Vm,LdP=−Sm,SdT+Vm,SdP-S_{m,L} dT + V_{m,L} dP = -S_{m,S} dT + V_{m,S} dP
重新整理,將 dTdT 和 dPdP 的項分開:
(Vm,L−Vm,S)dP=(Sm,L−Sm,S)dT(V_{m,L} - V_{m,S}) dP = (S_{m,L} - S_{m,S}) dT
dPdT=Sm,L−Sm,SVm,L−Vm,S\frac{dP}{dT} = \frac{S_{m,L} - S_{m,S}}{V_{m,L} - V_{m,S}}

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第 4 題

  1. (a) For a regular solution of A and B, please derive the Margules equations: ln⁡γA=βxB2\ln \gamma_A = \beta x_B^2 and ln⁡γB=βxA2\ln \gamma_B = \beta x_A^2. (
    β\beta is a dimensionless parameter to measure the energy AB interactions related to that of the AA and BB interactions.) (5%)
    (b) Based on the following result, please derive the Henry's law constant K=pA∗exp⁡βK = p_A^* \exp \beta (3%)

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核心觀念

規則溶液的過量莫耳吉布斯自由能以組成乘積表示:

gE=RTβxAxBg^{E}=RT\beta x_Ax_B

其中 RR 為氣體常數、TT 為絕對溫度,且 xA+xB=1x_A+x_B=1。活度係數由過量吉布斯自由能的偏莫耳量決定:

ln⁡γi=G‾iERT\ln\gamma_i=\frac{\overline{G}_i^{E}}{RT}

本題先由 gEg^E 求出兩成分的活度係數,再取 AA 在無限稀釋時的極限求亨利定律常數。

解題方法

(a) 推導 Margules 方程

總過量吉布斯自由能為

GE=ngE=nRTβxAxBG^{E}=n g^{E}=nRT\beta x_Ax_B

利用 xA=nA/nx_A=n_A/n、xB=nB/nx_B=n_B/n,可改寫為

GE=RTβnAnBnA+nBG^{E}=RT\beta\frac{n_An_B}{n_A+n_B}

固定 T,P,nBT,P,n_B,對 nAn_A 微分,得到 AA 的偏莫耳過量吉布斯自由能:

G‾AE=(∂GE∂nA)T,P,nB=RTβnB2(nA+nB)2=RTβxB2\overline{G}_A^{E} = \left(\frac{\partial G^{E}}{\partial n_A}\right)_{T,P,n_B} = RT\beta\frac{n_B^2}{(n_A+n_B)^2} = RT\beta x_B^2

因此

ln⁡γA=βxB2\boxed{\ln\gamma_A=\beta x_B^2}

同理,固定 T,P,nAT,P,n_A,對 nBn_B 微分:

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第 5 題

  1. (a) Draw a wavefunction diagram to describe the tunneling effect of particle in a one-dimension box with energy barriers of VV and energy wall thickness of LL. (4%)
    (b) Draw a representative wavefunction of a particle in a potential decreasing toward the right (as right figure). (4%)
    🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 2 頁原卷第 3 頁

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本題考驗量子力學中粒子穿隧效應以及波函數的繪製。

(a) 粒子穿隧效應是指粒子有一定機率穿過一個比其動能還高的位能障礙。這個效應是量子力學獨有的現象,在經典力學中是不可能發生的。
考慮一個粒子在一維箱子中的穿隧效應。假設粒子具有能量 EE,而位能障礙的高度為 V>EV > E,寬度為 LL。
在位能障礙區域(通常是 0<x<L0 < x < L),粒子的薛丁格方程式為:
−ℏ22md2ψ(x)dx2+Vψ(x)=Eψ(x)-\frac{\hbar^2}{2m} \frac{d^2\psi(x)}{dx^2} + V \psi(x) = E \psi(x)
d2ψ(x)dx2=2m(V−E)ℏ2ψ(x)\frac{d^2\psi(x)}{dx^2} = \frac{2m(V-E)}{\hbar^2} \psi(x)
令 κ2=2m(V−E)ℏ2\kappa^2 = \frac{2m(V-E)}{\hbar^2}。由於 V>EV>E,κ\kappa 是實數。
則 d2ψ(x)dx2=κ2ψ(x)\frac{d^2\psi(x)}{dx^2} = \kappa^2 \psi(x)。
此微分方程式的解為 ψ(x)=Aeκx+Be−κx\psi(x) = A e^{\kappa x} + B e^{-\kappa x}。
在穿隧效應中,粒子從左側(例如 x<0x<0)的區域入射,穿過位能障礙(0<x<L0 < x < L),並有一定機率出現在右側(例如 x>Lx>L)的區域。
在位能障礙區域,波函數 ψ(x)\psi(x) 呈現指數衰減的趨勢,即 Be−κxB e^{-\kappa x} 項佔主導地位,而 AeκxA e^{\kappa x} 項通常很小(除非粒子從右側入射)。
波函數圖示應包含以下幾個區域:

  1. 入射區域 (x < 0):粒子從左側入射,波函數為平面波的疊加,包含入射波和反射波。其振幅不為零。
  2. 位能障礙區域 (0 < x < L):波函數 ψ(x)\psi(x) 在此區域內指數衰減。從左邊進入的波函數振幅逐漸減小。
  3. 透射區域 (x > L):粒子穿隧到右側區域。雖然振幅較小,但波函數仍然存在,表明粒子有一定機率出現在此區域。

繪製波函數圖時:

  • 應標示出能量 EE 和位能 VV 的相對位置。
  • 在 x<0x<0 區域,畫出一個具有一定振幅的波(可以表示為平面波的疊加,或簡化為一個振幅)。
  • 在 0<x<L0 < x < L 區域,波函數振幅從左側的入射波幅度開始,隨著 xx 的增加而指數級衰減。
  • 在 x>Lx>L 區域,波函數振幅會比左側區域小很多,但仍然不為零,表示透射波的存在。

波函數圖的示意:
想像一個圖,橫軸是位置 xx,縱軸是波函數 ψ(x)\psi(x) 的振幅。

  • 在 x<0x<0 區域,畫出一個振幅為 AincA_{inc} 的波。
  • 在 x=0x=0 處,波函數連續,且其斜率也連續(這是因為位能是有限的)。
  • 在 0<x<L0 < x < L 區域,波函數振幅從 AincA_{inc} 開始,逐漸減小到 AtransA_{trans}。這個衰減是指數型的。
  • 在 x>Lx>L 區域,波函數振幅為 AtransA_{trans},且 Atrans≪AincA_{trans} \ll A_{inc}。

【答案】(a) 繪製的波函數圖應顯示:粒子在位能障礙(高度 V>EV > E,寬度 LL)左側有非零的波函數振幅,在位能障礙區域內波函數振幅呈指數衰減,在位能障礙右側區域仍存在一個較小的非零波函數振幅,代表穿隧的粒子。

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第 6 題

  1. (a) Derive the Beer-Lambert law: A=ϵ[J]lA = \epsilon[J]l, ll: length of the cell (4%)
    (b) Why does the [Co(H2O)6]2+[Co(H_2O)_6]^{2+} complex ion have low ϵ\epsilon value for the d-d transition in the visible-light region? (4%)
    (c) Why does the [Os(bipy)3]2+[Os(bipy)_3]^{2+} complex ion have long-life exited state and large ϵ\epsilon value widely used as photocatalysts. (4%)

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核心觀念

  • Beer‑Lambert 法則:吸光度 AA 與光程 ll、樣品濃度 [J][J](摩爾濃度)以及摩爾吸光係數 ϵ\epsilon 成正比。
  • 摩爾吸光係數 ϵ\epsilon(單位 L·mol⁻¹·cm⁻¹)描述單位濃度的化學種對光的吸收強度,受電偶極躍遷機率與對稱性影響。
  • 配位化合物 d‑d 遷移:屬於自旋允許但電偶極不允許的“Laporte 禁止”躍遷,強度受配位場對稱性、自旋軌道耦合等因素調節。
  • 光致變化與壽命:激發態壽命取決於非瀑布失活途徑(內部轉換、振動鬆弛)與自旋禁阻、**金屬‑配體電荷轉移(MLCT)**的競爭關係。

(a) Beer‑Lambert 法則推導

  1. 光在均勻介質中衰減
    假設光束在微小厚度 dxdx 內的強度減少 dIdI 與當前強度 II 成正比,比例常數為單體吸收截面 σ\sigma 與粒子數密度 NN:
    dIdx=−σNI(1)\frac{dI}{dx} = -\sigma N I \quad (1)

  2. 將粒子密度換算為摩爾濃度
    N=NA[J]N = N_\mathrm{A}[J],其中 NAN_\mathrm{A} 為阿伏加德羅常數,[J][J] 為摩爾濃度(mol·L⁻¹)。
    把 (1) 改寫為
    dII=−σNA[J] dx(2)\frac{dI}{I} = -\sigma N_\mathrm{A}[J]\,dx \quad (2)

  3. 定義摩爾吸光係數 ϵ\epsilon
    實驗上使用的單位是 L·mol⁻¹·cm⁻¹,故定義

ϵ=σNAln⁡10(L⋅mol⁻¹⋅cm⁻¹)(3)\epsilon = \frac{\sigma N_\mathrm{A}}{\ln 10}\quad\text{(L·mol⁻¹·cm⁻¹)} \tag{3}

其中 ln⁡10\ln 10 把自然對數轉為常用對數(因吸光度 AA 定義為 A=−log⁡10(I/I0)A=-\log_{10}(I/I_0))。

  1. 積分求得整段光程 ll
    從 x=0x=0 到 x=lx=l 積分 (2):
    ∫I0IdI′I′=−σNA[J]∫0ldx′\int_{I_0}^{I} \frac{dI'}{I'} = -\sigma N_\mathrm{A}[J]\int_{0}^{l}dx'
    得到
    ln⁡II0=−σNA[J]l\ln\frac{I}{I_0}= -\sigma N_\mathrm{A}[J]l
    兩端取以 1010 為底的對數,得到吸光度
    A=−log⁡10II0=σNAln⁡10[J]l=ϵ[J]l■A=-\log_{10}\frac{I}{I_0}= \frac{\sigma N_\mathrm{A}}{\ln 10}[J]l=\epsilon[J]l\quad\blacksquare

(b) 為何 [Co(H2O)6]2+[Co(H_2O)_6]^{2+} 的 d‑d 遷移在可見光區 ϵ\epsilon 低

影響因素具體說明
Laporte 禁止[Co(H2O)6]2+[Co(H_2O)_6]^{2+} 為八面體 (O<sub>h</sub>) 配位,中心金屬的 d 軌道屬於 gg 對稱,光電偶極躍遷必須滿足 g→ug\to u 的規則。d→d 均屬於 g→gg\to g,被 Laporte 禁止,導致振子強度極低,ϵ\epsilon 常在 1010–100 L⋅mol−1cm−1100\ \text{L·mol}^{-1}\text{cm}^{-1} 範圍。
自旋禁阻Co2+Co^{2+}(d⁷)高自旋 (t2g5eg2)(t_{2g}^5e_g^2),基態 4T1g^4T_{1g} 與激發態 4T2g^4T_{2g} 仍為四重態,躍遷自旋允許,但仍受電偶極禁阻影響。
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第 7 題

  1. (a) Draw a representative figure to estimate the value of the overlap integral between ψ2s(A)\psi_{2s}(A) and ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) in the A-B molecule? (Hint: zz is the molecular axis.) (3%)
    (b). Use the following Hückel approximation matrix to estimate the delocalization energy of the π\pi molecular orbitals and draw the HOMO and LUMO shapes of the molecular orbitals in butadiene. (7%) (Hint: The energies of π\pi orbital in ethene are α+β\alpha + \beta and α−β\alpha - \beta)
    E =
(α+1.62β0000α+0.62β0000α−0.62β0000α−1.62β)\begin{pmatrix} \alpha+1.62\beta & 0 & 0 & 0 \\ 0 & \alpha+0.62\beta & 0 & 0 \\ 0 & 0 & \alpha-0.62\beta & 0 \\ 0 & 0 & 0 & \alpha-1.62\beta \end{pmatrix}

C =

(0.3720.6020.602−0.3720.6020.372−0.3720.6020.602−0.3720.3720.602−0.3720.602−0.6020.372)\begin{pmatrix} 0.372 & 0.602 & 0.602 & -0.372 \\ 0.602 & 0.372 & -0.372 & 0.602 \\ 0.602 & -0.372 & 0.372 & 0.602 \\ -0.372 & 0.602 & -0.602 & 0.372 \end{pmatrix}

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本題考驗分子軌域理論中的重疊積分以及 Hückel 近似法的應用。

(a) 在分子軌域理論中,重疊積分 (Overlap Integral) SABS_{AB} 用來描述兩個原子軌域在空間上的重疊程度。它定義為:
SAB=∫ψA∗ψBdVS_{AB} = \int \psi_A^* \psi_B dV
其中 ψA\psi_A 和 ψB\psi_B 分別是原子 A 和原子 B 的原子軌域。

題目要求繪製 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 和 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的重疊積分圖。

  • ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 是原子 A 的 2s 原子軌域。2s 軌域是球對稱的,其波函數在原子核處最大,並向外衰減。它沒有節面。
  • ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 是原子 B 的 2pz 原子軌域。2pz 軌域沿著 z 軸方向伸展,具有兩個瓣,分別在 z 軸的正負方向。z 軸被定義為分子軸。在 z 軸上,2pz 軌域的波函數有節面(在原子核處的平面)。

當兩個原子 A 和 B 形成分子時,它們的原子軌域會發生重疊。

  • 如果兩個軌域的波函數在重疊區域具有相同的符號(同相),則它們會形成鍵結軌域,重疊積分為正,且重疊程度越大,鍵結越強。
  • 如果兩個軌域的波函數在重疊區域具有相反的符號(反相),則它們會形成反鍵結軌域,重疊積分為負,且反鍵結程度越大,能量越高。

對於 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 和 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B):

  • ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 是球對稱的,它在所有方向上都有相同的符號(通常是正值,或者在某個半徑處有一個節面)。
  • ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 在 z 軸方向上,一個瓣是正的,另一個瓣是負的。

假設分子軸是 z 軸。

  1. ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸方向重疊:

    • 如果 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的符號在原子 A 周圍是正的,而 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正方向的瓣是正的,負方向的瓣是負的。
    • 當原子 A 和 B 靠近時,ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的球形波函數會與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正方向的瓣(正號)和 z 軸負方向的瓣(負號)發生重疊。
    • 與 z 軸正方向瓣的重疊部分,兩個軌域的符號相同(都是正號),這部分積分值為正。
    • 與 z 軸負方向瓣的重疊部分,兩個軌域的符號相反(一個是正號,一個是負號),這部分積分值為負。
    • 由於 ψ2s\psi_{2s} 是球對稱的,它在所有方向上都有相同的符號。如果原子 A 和 B 靠得很近,並且 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的符號與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正瓣符號相同,那麼在 z 軸正方向的重疊積分會是正的,而在 z 軸負方向的重疊積分會是負的。
    • 如果 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的球形波函數“填滿”了 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的兩個瓣,並且在 z 軸方向上的積分效果是正負抵消,那麼總的重疊積分可能接近於零。
    • 然而,通常情況下,2s 軌域的電子雲分佈更集中在原子核附近,而 2pz 軌域在 z 軸方向上伸展。如果 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的符號與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正瓣符號相同,則在 z 軸正方向會有正的重疊。
    • ** sigma 鍵形成**: 2s 軌域與 2pz 軌域沿著分子軸(z 軸)的重疊,會形成一個 sigma (\sigma) 型的分子軌域。這種重疊是軸向的。
    • 繪圖:
      • 畫出原子 A,其周圍有一個球形的 2s 軌域。假設球形軌域在所有方向上都是正的。
      • 畫出原子 B,其沿 z 軸有一個正瓣(在 z>0 方向)和一個負瓣(在 z<0 方向)。
      • 當 A 和 B 靠近時,ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的球形軌域會與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正瓣(正號)和 z 軸負瓣(負號)發生重疊。
      • 在 z 軸正方向,ψ2s(A)\psi_{2s}(A)(正)和 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B)(正)同相重疊,貢獻一個正的積分值。
      • 在 z 軸負方向,ψ2s(A)\psi_{2s}(A)(正)和 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B)(負)異相重疊,貢獻一個負的積分值。
      • 由於 2s 軌域的電子雲分佈是球形的,它在所有方向上都有相同的符號。如果 A 和 B 沿 z 軸方向相互靠近,則 2s 軌域會與 2pz 軌域的兩個瓣都發生重疊。
      • 情況一: 如果 A 和 B 沿 z 軸方向靠近,並且 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的符號與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正瓣符號相同(例如都為正)。那麼在 z 軸正方向,會有同相重疊,積分為正。在 z 軸負方向,ψ2s(A)\psi_{2s}(A)(正)和 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B)(負)異相重疊,積分為負。由於 2s 軌域的球形分佈,它在所有方向上都有相同的符號。如果原子 A 和 B 沿 z 軸對齊,則 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的球形分佈會與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正瓣(同號)和 z 軸負瓣(異號)分別重疊。
      • 示意圖: 畫出原子 A 和 B 沿 z 軸排列。原子 A 周圍是球形的 2s 軌域。原子 B 周圍是沿 z 軸方向的 2pz 軌域(z>0 為正瓣,z<0 為負瓣)。
      • 在 z 軸正方向,ψ2s(A)\psi_{2s}(A)(正)與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B)(正)同相重疊,積分值為正。
      • 在 z 軸負方向,ψ2s(A)\psi_{2s}(A)(正)與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B)(負)異相重疊,積分值為負。
      • 由於 2s 軌域的對稱性,它在所有方向上都有相同的符號。如果 A 和 B 沿 z 軸靠近,2s 軌域會同時與 2pz 軌域的兩個瓣重疊。
      • 最終重疊積分: 由於正方向的同相重疊和負方向的異相重疊,它們的積分值會相互抵消一部分。然而,由於 ψ2s\psi_{2s} 的球形分佈,它在所有方向上都有貢獻。如果 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的符號與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正瓣相同,則在 z 軸正方向的同相重疊積分值會大於 z 軸負方向的異相重疊積分值(因為 2pz 軌域的瓣大小在 z 軸方向上可能不完全對稱,或者 2s 軌域的電子雲分佈在 z 軸正方向的重疊區域可能比負方向更大)。
      • 簡化理解: 2s 軌域是球對稱的,它具有相同的符號。2pz 軌域在 z 軸方向上,一個瓣是正的,另一個瓣是負的。當它們沿 z 軸重疊時,2s 軌域會與 2pz 的正瓣同相重疊(貢獻正值),並與 2pz 的負瓣異相重疊(貢獻負值)。如果 A 和 B 靠得足夠近,並且 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的符號與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正瓣符號相同,那麼總的重疊積分將是正值,因為同相重疊的部分會大於異相重疊的部分(或者說,2s 軌域的球形分佈使得它在 z 軸正方向的重疊區域的積分值大於在 z 軸負方向的重疊區域的積分值)。
      • 圖示: 畫出原子 A 和 B 沿 z 軸排列。原子 A 周圍是球形的 2s 軌域(假設符號為正)。原子 B 周圍是沿 z 軸的 2pz 軌域(z>0 為正瓣,z<0 為負瓣)。在 z 軸正方向,2s 和 2pz 的正瓣有同相重疊。在 z 軸負方向,2s(正)和 2pz 的負瓣有異相重疊。由於 2s 的球形分佈,它在所有方向都有貢獻。如果 A 和 B 靠得足夠近,則總體上會有一個非零的、通常是正的重疊積分。
      • 結論: ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 和 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 沿 z 軸的重疊會形成一個 σ\sigma 型分子軌域。由於 2s 軌域的球形分佈和 2pz 軌域在 z 軸上的符號變化,它們的重疊積分是存在的,並且通常為正值,表示形成鍵結軌域。
  2. ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的非 z 軸方向重疊:

    • 如果考慮分子在 xy 平面上的重疊,例如 A 和 B 沿 z 軸排列,但我們考慮 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 在 xy 平面上的“側向”重疊。
    • ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 在所有方向上都是正的。
    • ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 在 z 軸方向上有正負瓣,在 xy 平面上,它沿 z 軸的波函數值為零(節面)。
    • 因此,在 xy 平面上,ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的重疊積分為零。
    • 圖示: 畫出原子 A 和 B 沿 z 軸排列。原子 A 周圍是球形的 2s 軌域。原子 B 周圍是沿 z 軸的 2pz 軌域。在 xy 平面上,ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的波函數值不為零,但 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 在 xy 平面上的波函數值為零。因此,重疊積分為零。

題目要求繪製圖示估計值。通常,重疊積分 SABS_{AB} 的值介於 0 和 1 之間。
對於 σ\sigma 鍵形成,重疊積分是正的。
對於 π\pi 鍵形成,重疊積分是負的。
對於反鍵結軌域,重疊積分是負的。
由於 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 和 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 沿 z 軸的重疊形成 σ\sigma 型軌域,且符號上存在同相和異相重疊,總的積分值會是正的。
估計值:重疊積分 SS 的值通常在 0.1 到 0.6 之間,取決於軌域的能量、大小和間距。對於 2s 和 2p 軌域的 σ\sigma 重疊,值可能在 0.2 到 0.4 左右。

繪製圖示:

  1. 畫出兩個原子 A 和 B,沿 z 軸相距一段距離。
  2. 在原子 A 周圍畫一個球形(代表 2s 軌域),假設符號為正。
  3. 在原子 B 周圍畫一個沿 z 軸方向的 2pz 軌域,z>0 方向為正瓣,z<0 方向為負瓣。
  4. 展示 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的球形軌域與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正瓣(同相重疊)和 z 軸負瓣(異相重疊)之間的空間重疊。
  5. 在 z 軸正方向,展示兩個軌域的同相重疊區域(例如用相同的顏色或陰影表示)。
  6. 在 z 軸負方向,展示兩個軌域的異相重疊區域(例如用不同的顏色或陰影表示)。
  7. 由於 2s 軌域的球形分佈,它在所有方向上都有貢獻。如果 A 和 B 沿 z 軸靠近,並且 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的符號與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正瓣相同,則總的重疊積分會是正值。

【答案】(a)
重疊積分 SAB=∫ψA∗ψBdVS_{AB} = \int \psi_A^* \psi_B dV 衡量兩個原子軌域在空間上的重疊程度。對於 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 和 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B),假設 zz 軸是分子軸。

  • ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 是球對稱的,在原子 A 周圍具有相同的符號(例如,全為正)。
  • ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 在 z 軸方向上具有兩個相反符號的瓣,例如,z>0 方向為正,z<0 方向為負。

當原子 A 和 B 沿 z 軸靠近時,ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的球形軌域會與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正瓣(同相重疊)和 z 軸負瓣(異相重疊)發生重疊。

  • 在 z 軸正方向,ψ2s(A)\psi_{2s}(A)(正)與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B)(正)同相重疊,貢獻一個正的積分值。
  • 在 z 軸負方向,ψ2s(A)\psi_{2s}(A)(正)與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B)(負)異相重疊,貢獻一個負的積分值。
    由於 2s 軌域的球形分佈,它在所有方向上都有波函數值。如果原子 A 和 B 靠得足夠近,並且 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的符號與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正瓣符號相同,則總的重疊積分將是正值,表示形成鍵結軌域。
    圖示: 畫出原子 A 和 B 沿 z 軸排列。在原子 A 周圍畫一個球形(代表 2s 軌域,符號為正)。在原子 B 周圍畫一個沿 z 軸方向的 2pz 軌域(z>0 為正瓣,z<0 為負瓣)。展示 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的球形軌域與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正瓣(同相重疊)和 z 軸負瓣(異相重疊)之間的空間重疊。估計的重疊積分值為一個小的正值(例如 0.2∼0.40.2 \sim 0.4)。
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第 8 題

  1. (a) Derive the rate law of the relaxation method for determination the rate constants k and k'.
    A ⇌kk′\underset{k'}{\stackrel{k}{\rightleftharpoons}} B (forward: k; reverse: k') (6%)
    (b) Please give the phenomenological equation and define the coefficients for
    (1) diffusion; (2) the flux of x-momentum in the z-direction. (4%)

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本題考驗化學反應動力學中的弛豫法以及傳輸現象的現象學定律。

(a) 弛豫法 (Relaxation Method) 是一種用於測量快速化學反應速率的方法。其基本原理是通過一個外部參數(例如溫度、壓力或電場)的突然變化,使系統偏離平衡狀態,然後觀測系統恢復到新的平衡狀態的過程,這個恢復過程稱為弛豫。弛豫時間與反應速率常數有關。

考慮一個可逆一級反應:A⇌kk′BA \underset{k'}{\stackrel{k}{\rightleftharpoons}} B
在平衡時,反應物 A 和產物 B 的濃度分別為 [A]eq[A]_{eq} 和 [B]eq[B]_{eq},且 k[A]eq=k′[B]eqk[A]_{eq} = k'[B]_{eq}。
當外部參數(例如溫度)突然改變時,平衡常數 K=k/k′K = k/k' 發生變化。
設新的平衡濃度為 [A]eq′[A]_{eq}' 和 [B]eq′[B]_{eq}'。
在弛豫過程中,A 和 B 的濃度隨時間 tt 變化。設在 t=0t=0 時,系統剛好偏離平衡,此時 A 和 B 的濃度為 [A]0[A]_0 和 [B]0[B]_0。
反應進程的變化量可以表示為:
d[A]/dt=−k[A]+k′[B]d[A]/dt = -k[A] + k'[B]
d[B]/dt=k[A]−k′[B]d[B]/dt = k[A] - k'[B]

為了簡化,我們考慮偏離平衡的濃度變化。設 xx 為反應進程的變化量,即在時間 tt 時,A 的濃度為 [A]0−x[A]_0 - x,B 的濃度為 [B]0+x[B]_0 + x。
則 d[A]/dt=−dx/dtd[A]/dt = -dx/dt 且 d[B]/dt=dx/dtd[B]/dt = dx/dt。
dxdt=k([A]0−x)−k′([B]0+x)\frac{dx}{dt} = k([A]_0 - x) - k'([B]_0 + x)
dxdt=k[A]0−kx−k′[B]0−k′x\frac{dx}{dt} = k[A]_0 - kx - k'[B]_0 - k'x
dxdt=(k[A]0−k′[B]0)−(k+k′)x\frac{dx}{dt} = (k[A]_0 - k'[B]_0) - (k+k')x

在 t=0t=0 時,系統偏離平衡,但我們假設此時的濃度 [A]0[A]_0 和 [B]0[B]_0 仍然滿足反應速率方程。
然而,更常見的做法是考慮平衡點的微小擾動。
設在平衡點,A 和 B 的濃度為 [A]eq[A]_{eq} 和 [B]eq[B]_{eq}。
當系統偏離平衡時,設 A 的濃度為 [A]eq+Δ[A][A]_{eq} + \Delta[A],B 的濃度為 [B]eq+Δ[B][B]_{eq} + \Delta[B]。
由於反應前後總摩爾數不變(或假設為零),則 Δ[A]=−Δ[B]\Delta[A] = -\Delta[B]。
我們定義一個反應進程變量 ξ=[A]eq−[A]=[B]−[B]eq\xi = [A]_{eq} - [A] = [B] - [B]_{eq}。
那麼 [A]=[A]eq−ξ[A] = [A]_{eq} - \xi 且 [B]=[B]eq+ξ[B] = [B]_{eq} + \xi。
d[A]dt=−dξdt\frac{d[A]}{dt} = -\frac{d\xi}{dt}
d[B]dt=dξdt\frac{d[B]}{dt} = \frac{d\xi}{dt}

將其代入速率方程:
dξdt=k[A]−k′[B]\frac{d\xi}{dt} = k[A] - k'[B]
dξdt=k([A]eq−ξ)−k′([B]eq+ξ)\frac{d\xi}{dt} = k([A]_{eq} - \xi) - k'([B]_{eq} + \xi)
dξdt=k[A]eq−kξ−k′[B]eq−k′ξ\frac{d\xi}{dt} = k[A]_{eq} - k\xi - k'[B]_{eq} - k'\xi
由於在平衡時 k[A]eq=k′[B]eqk[A]_{eq} = k'[B]_{eq},所以:
dξdt=−kξ−k′ξ=−(k+k′)ξ\frac{d\xi}{dt} = -k\xi - k'\xi = -(k+k')\xi

這是一個一階微分方程,其解為:
ξ(t)=ξ0e−(k+k′)t\xi(t) = \xi_0 e^{-(k+k')t}
其中 ξ0\xi_0 是初始的偏離平衡的程度。

弛豫時間 τ\tau 被定義為:
τ=1k+k′\tau = \frac{1}{k+k'}
因此,通過測量弛豫時間 τ\tau,我們可以得到 k+k′k+k' 的值。
要確定單獨的 kk 和 k′k',我們還需要知道平衡常數 K=k/k′K = k/k'。
或者,如果我們知道不同條件下(例如不同溫度)的 τ\tau 值,也可以推導出 kk 和 k′k'。

現象學方程 (Phenomenological Equation):
弛豫法的現象學方程是:
dξdt=−1τξ\frac{d\xi}{dt} = - \frac{1}{\tau} \xi
其中 τ=1k+k′\tau = \frac{1}{k+k'} 是弛豫時間。

【答案】(a)
對於反應 A⇌kk′BA \underset{k'}{\stackrel{k}{\rightleftharpoons}} B,設 ξ\xi 為反應進程的偏離平衡的量,即 [A]=[A]eq−ξ[A] = [A]_{eq} - \xi 和 [B]=[B]eq+ξ[B] = [B]_{eq} + \xi。

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第 9 題

  1. (a) It is well known that the Michaelis-Menten mechanism is widely used to explain the Kinetics of the enzyme reactions. Please derive an equation to prove the right-hand plot. (6%)
    (b) Please calculate the kcatk_{cat} and catalytic efficiency (ϵ\epsilon) of enzyme reaction at initial concentration of enzyme = [E]0[E]_0 (4%)
    (Hint: explain in the a, b and [E]0[E]_0)
    🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
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本題考驗酶動力學中的 Michaelis-Menten 機制以及相關參數的計算。

(a) Michaelis-Menten 機制是酶催化反應的經典模型,其反應步驟如下:
E+S⇌k1k−1ES⟶k2E+PE + S \underset{k_{-1}}{\stackrel{k_1}{\rightleftharpoons}} ES \stackrel{k_2}{\longrightarrow} E + P
其中:

  • EE 是酶 (Enzyme)。
  • SS 是底物 (Substrate)。
  • ESES 是酶-底物複合物 (Enzyme-Substrate complex)。
  • PP 是產物 (Product)。
  • k1,k−1,k2k_1, k_{-1}, k_2 是反應速率常數。

根據穩態近似 (Steady-State Approximation),酶-底物複合物 ESES 的濃度在反應過程中保持相對恆定,即其生成速率等於其分解速率:
d[ES]dt=k1[E][S]−k−1[ES]−k2[ES]=0\frac{d[ES]}{dt} = k_1[E][S] - k_{-1}[ES] - k_2[ES] = 0
k1[E][S]=(k−1+k2)[ES]k_1[E][S] = (k_{-1} + k_2)[ES]
[ES]=k1[E][S]k−1+k2[ES] = \frac{k_1[E][S]}{k_{-1} + k_2}

反應速率 vv 由產物生成速率給出:
v=d[P]dt=k2[ES]v = \frac{d[P]}{dt} = k_2[ES]
將 [ES][ES] 的表達式代入速率方程:
v=k2k1[E][S]k−1+k2v = k_2 \frac{k_1[E][S]}{k_{-1} + k_2}
v=k1k2[E][S]k−1+k2v = \frac{k_1 k_2 [E][S]}{k_{-1} + k_2}

定義 Michaelis 常數 Km=k−1+k2k1K_m = \frac{k_{-1} + k_2}{k_1}。
定義最大反應速率 vmax=k2[E]0v_{max} = k_2 [E]_0,其中 [E]0[E]_0 是酶的總濃度。
在穩態近似下,通常假設底物濃度遠大於酶濃度 [S]≫[E]0[S] \gg [E]_0,並且酶-底物複合物中的酶總是以結合或未結合的狀態存在,所以 [E][E] 在這裡可以近似為未結合的酶濃度,而 [E]0=[E]+[ES][E]_0 = [E] + [ES]。
然而,在推導 vmaxv_{max} 時,我們通常假設底物濃度足夠高,使得所有的酶分子都與底物結合形成 ESES 複合物,即 [ES]≈[E]0[ES] \approx [E]_0。
所以, vmax=k2[E]0v_{max} = k_2 [E]_0。

將 KmK_m 和 vmaxv_{max} 代入速率方程:
v=k1k2[E][S]k1Kmv = \frac{k_1 k_2 [E][S]}{k_1 K_m}
v=k2[E][S]Kmv = \frac{k_2 [E][S]}{K_m}
這裡的 [E][E] 是未結合的酶濃度。

為了得到 Michaelis-Menten 方程,我們通常使用 [E]0[E]_0。
v=k2[ES]v = k_2 [ES]
從 k1[E][S]=(k−1+k2)[ES]k_1[E][S] = (k_{-1} + k_2)[ES]
k1([E]0−[ES])[S]=(k−1+k2)[ES]k_1([E]_0 - [ES])[S] = (k_{-1} + k_2)[ES]
k1[E]0[S]−k1[ES][S]=(k−1+k2)[ES]k_1[E]_0[S] - k_1[ES][S] = (k_{-1} + k_2)[ES]
k1[E]0[S]=(k−1+k2+k1[S])[ES]k_1[E]_0[S] = (k_{-1} + k_2 + k_1[S])[ES]
[ES]=k1[E]0[S]k−1+k2+k1[S][ES] = \frac{k_1[E]_0[S]}{k_{-1} + k_2 + k_1[S]}
v=k2[ES]=k2k1[E]0[S]k−1+k2+k1[S]v = k_2 [ES] = \frac{k_2 k_1 [E]_0 [S]}{k_{-1} + k_2 + k_1[S]}
分子分母同除以 k1k_1:
v=k2[E]0[S]k−1+k2k1+[S]v = \frac{k_2 [E]_0 [S]}{\frac{k_{-1} + k_2}{k_1} + [S]}
v=k2[E]0[S]Km+[S]v = \frac{k_2 [E]_0 [S]}{K_m + [S]}
令 vmax=k2[E]0v_{max} = k_2 [E]_0,則得到 Michaelis-Menten 方程:
v=vmax[S]Km+[S]v = \frac{v_{max}[S]}{K_m + [S]}

證明右手法則圖 (Right-hand plot):
右手法則圖通常是指 Lineweaver-Burk 圖,它是 1/v1/v 對 1/[S]1/[S] 的線性作圖。
將 Michaelis-Menten 方程取倒數:
1v=Km+[S]vmax[S]\frac{1}{v} = \frac{K_m + [S]}{v_{max}[S]}
1v=Kmvmax[S]+[S]vmax[S]\frac{1}{v} = \frac{K_m}{v_{max}[S]} + \frac{[S]}{v_{max}[S]}
1v=Kmvmax1[S]+1vmax\frac{1}{v} = \frac{K_m}{v_{max}} \frac{1}{[S]} + \frac{1}{v_{max}}
這是一個直線方程 y=mx+cy = mx + c 的形式,其中:

  • y=1/vy = 1/v
  • x=1/[S]x = 1/[S]
  • 斜率 m=Km/vmaxm = K_m/v_{max}
  • y 軸截距 c=1/vmaxc = 1/v_{max}
  • x 軸截距(當 1/v=01/v = 0 時,1/[S]=−1/Km1/[S] = -1/K_m)

圖中顯示的圖是 1/v1/v 對 1/[S]1/[S] 的關係圖,這正是 Lineweaver-Burk 圖。
圖中的 "Slope = b" 對應於 Km/vmaxK_m/v_{max}。
圖中的 "Intercept = a" 對應於 1/vmax1/v_{max}。

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第 10 題

  1. (a) Using the right-hand figure, to justify σ(ϵ)=(1−ϵa/ϵ)σ\sigma(\epsilon) = (1 - \epsilon_a/\epsilon) \sigma. (5%)
    (b) Calculate σ(ϵ)=?\sigma(\epsilon) = ? at ϵ=0.6ϵa\epsilon = 0.6 \epsilon_a (2%)
    (c) Based on the σ(ϵ)\sigma(\epsilon), please write a simple integral equation to explain the rate constant k. (3%)
    🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
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本題考驗化學反應動力學中的傳輸現象,特別是關於擴散控制的反應速率。圖示顯示了一個球體 A,其半徑為 aa,另一個球體 B,其半徑為 bb,它們之間存在一個距離 dd。兩者之間存在一個相互作用勢 VrelV_{rel},並且有相對速度 VrelV_{rel}。

(a) 題目要求利用圖示來證明 σ(ϵ)=(1−ϵa/ϵ)σ\sigma(\epsilon) = (1 - \epsilon_a/\epsilon) \sigma。這裡的 σ\sigma 和 ϵ\epsilon 很可能與碰撞截面積和能量有關。
圖示中的 A 和 B 可以看作是反應物分子,它們相互作用並可能發生反應。VrelV_{rel} 是相對速度,dd 是它們之間的距離。ϵ\epsilon 是相對能量,ϵa\epsilon_a 可能是一個與反應勢壘或有效反應所需的能量相關的參數。σ\sigma 可能代表碰撞截面積。
這個公式 σ(ϵ)=(1−ϵa/ϵ)σ\sigma(\epsilon) = (1 - \epsilon_a/\epsilon) \sigma 表明,有效碰撞截面積 σ(ϵ)\sigma(\epsilon) 隨相對能量 ϵ\epsilon 的變化而變化。當 ϵ\epsilon 很高時,ϵa/ϵ\epsilon_a/\epsilon 趨於零,σ(ϵ)≈σ\sigma(\epsilon) \approx \sigma。當 ϵ\epsilon 接近 ϵa\epsilon_a 時,σ(ϵ)\sigma(\epsilon) 趨於零。
這個公式的形式與碰撞理論中考慮反應勢壘的有效截面積有關。
假設 σ\sigma 是反應所需的最小相對能量 ϵa\epsilon_a 發生反應的碰撞截面積。
當粒子的相對能量 ϵ>ϵa\epsilon > \epsilon_a 時,反應才有可能發生。
公式 σ(ϵ)=(1−ϵa/ϵ)σ\sigma(\epsilon) = (1 - \epsilon_a/\epsilon) \sigma 可以寫成 σ(ϵ)=σ−σϵaϵ\sigma(\epsilon) = \sigma - \sigma \frac{\epsilon_a}{\epsilon}。
這表明,只有當粒子的能量 ϵ\epsilon 大於或等於 ϵa\epsilon_a 時,才存在非零的有效碰撞截面積。
這可以理解為,對於能量小於 ϵa\epsilon_a 的碰撞,它們的有效截面積為零。
對於能量大於 ϵa\epsilon_a 的碰撞,有效截面積為 σ(1−ϵa/ϵ)\sigma(1 - \epsilon_a/\epsilon)。
這意味著,即使能量高於勢壘,碰撞截面積也不是常數,而是隨著能量的增加而增加,但增加的幅度越來越小。
圖示中的 A 和 B 之間可能存在一個相互作用勢 VrelV_{rel}。如果反應發生需要克服這個勢壘,那麼 ϵa\epsilon_a 可能代表這個勢壘的高度。
當相對能量 ϵ\epsilon 大於勢壘 ϵa\epsilon_a 時,反應才能發生。
公式 σ(ϵ)=σ(1−ϵa/ϵ)\sigma(\epsilon) = \sigma (1 - \epsilon_a/\epsilon) 可以解釋為:

  • σ\sigma 是某個參考的碰撞截面積(可能與分子大小有關)。
  • (1−ϵa/ϵ)(1 - \epsilon_a/\epsilon) 是能量 ϵ\epsilon 下的反應概率因子或有效截面積的比例因子。
  • 當 ϵ≫ϵa\epsilon \gg \epsilon_a,因子接近 1,σ(ϵ)≈σ\sigma(\epsilon) \approx \sigma。
  • 當 ϵ=ϵa\epsilon = \epsilon_a,因子為 0,σ(ϵ)=0\sigma(\epsilon) = 0。
  • 當 ϵ<ϵa\epsilon < \epsilon_a,此公式可能不適用,或者表示截面積為 0。

證明這個公式通常需要從更基礎的量子力學散射理論或統計力學中推導出來,這可能涉及到散射截面的計算,其中能量依賴性是關鍵。
在簡化的模型中,可以將其解釋為:只有能量超過反應勢壘 ϵa\epsilon_a 的碰撞才有機會發生反應,而能量越高,反應的“容易度”(以截面積表示)也越高,但增加的幅度會減緩。

【答案】(a)
公式 σ(ϵ)=(1−ϵa/ϵ)σ\sigma(\epsilon) = (1 - \epsilon_a/\epsilon) \sigma 表明,發生反應的有效碰撞截面積 σ(ϵ)\sigma(\epsilon) 取決於粒子的相對能量 ϵ\epsilon。

  • σ\sigma 可能代表一個與分子大小相關的參考碰撞截面積。
  • ϵa\epsilon_a 代表反應所需的最小能量(或反應勢壘)。
  • 當粒子的相對能量 ϵ\epsilon 小於或等於反應勢壘 ϵa\epsilon_a 時,反應無法發生,有效截面積為零。
  • 當粒子的相對能量 ϵ\epsilon 大於反應勢壘 ϵa\epsilon_a 時,反應可以發生。因子 (1−ϵa/ϵ)(1 - \epsilon_a/\epsilon) 表示能量 ϵ\epsilon 下的反應概率或有效截面積的比例。
  • 隨著能量 ϵ\epsilon 的增加,因子 (1−ϵa/ϵ)(1 - \epsilon_a/\epsilon) 的值從 0 趨近於 1。這意味著,當能量遠高於勢壘時,有效截面積接近於參考截面積 σ\sigma。
  • 這種能量依賴性在碰撞理論中很常見,用於描述具有反應勢壘的反應。圖示中的 A 和 B 粒子之間的相互作用勢 VrelV_{rel} 可能與 ϵa\epsilon_a 有關,而相對速度 VrelV_{rel} 和距離 dd 則與碰撞的幾何學和能量有關。

(b) 計算 σ(ϵ)=?\sigma(\epsilon) = ? at ϵ=0.6ϵa\epsilon = 0.6 \epsilon_a。
將 ϵ=0.6ϵa\epsilon = 0.6 \epsilon_a 代入公式 σ(ϵ)=(1−ϵa/ϵ)σ\sigma(\epsilon) = (1 - \epsilon_a/\epsilon) \sigma:
σ(0.6ϵa)=(1−ϵa0.6ϵa)σ\sigma(0.6 \epsilon_a) = (1 - \frac{\epsilon_a}{0.6 \epsilon_a}) \sigma
σ(0.6ϵa)=(1−10.6)σ\sigma(0.6 \epsilon_a) = (1 - \frac{1}{0.6}) \sigma
σ(0.6ϵa)=(1−106)σ\sigma(0.6 \epsilon_a) = (1 - \frac{10}{6}) \sigma
σ(0.6ϵa)=(1−53)σ\sigma(0.6 \epsilon_a) = (1 - \frac{5}{3}) \sigma
σ(0.6ϵa)=(−23)σ\sigma(0.6 \epsilon_a) = (-\frac{2}{3}) \sigma

這個結果是負的。碰撞截面積不應該是負值。
這表明,當 ϵ<ϵa\epsilon < \epsilon_a 時,該公式可能不適用,或者 σ(ϵ)\sigma(\epsilon) 應該定義為 0。
如果 ϵ=0.6ϵa\epsilon = 0.6 \epsilon_a,則 ϵ<ϵa\epsilon < \epsilon_a。
根據物理意義,如果粒子的能量低於反應所需的最小能量(勢壘),則反應無法發生,有效碰撞截面積應為零。
所以,在此情況下,σ(ϵ)=0\sigma(\epsilon) = 0。
公式 σ(ϵ)=(1−ϵa/ϵ)σ\sigma(\epsilon) = (1 - \epsilon_a/\epsilon) \sigma 僅適用於 ϵ≥ϵa\epsilon \ge \epsilon_a。
如果題目要求在 ϵ=0.6ϵa\epsilon = 0.6 \epsilon_a 時計算,並且假定公式適用,那麼結果是負的。這暗示該公式的適用範圍有限。
通常,碰撞截面積的定義是:
σ(ϵ)=σtotal⋅P(ϵ)\sigma(\epsilon) = \sigma_{total} \cdot P(\epsilon), 其中 P(ϵ)P(\epsilon) 是能量為 ϵ\epsilon 時的反應概率。
如果 P(ϵ)=(1−ϵa/ϵ)P(\epsilon) = (1 - \epsilon_a/\epsilon) 對於 ϵ≥ϵa\epsilon \ge \epsilon_a,且 P(ϵ)=0P(\epsilon) = 0 對於 ϵ<ϵa\epsilon < \epsilon_a。
那麼當 ϵ=0.6ϵa<ϵa\epsilon = 0.6 \epsilon_a < \epsilon_a 時,反應概率 P(ϵ)=0P(\epsilon) = 0。
所以,σ(ϵ)=σtotal⋅0=0\sigma(\epsilon) = \sigma_{total} \cdot 0 = 0。

【答案】(b)
當 ϵ=0.6ϵa\epsilon = 0.6 \epsilon_a 時,粒子的相對能量 ϵ\epsilon 低於反應所需的最小能量(勢壘)ϵa\epsilon_a。
根據公式 σ(ϵ)=(1−ϵa/ϵ)σ\sigma(\epsilon) = (1 - \epsilon_a/\epsilon) \sigma 的物理意義,只有當 ϵ≥ϵa\epsilon \ge \epsilon_a 時,才存在非零的有效碰撞截面積。
因此,當 ϵ=0.6ϵa<ϵa\epsilon = 0.6 \epsilon_a < \epsilon_a 時,反應無法發生,有效碰撞截面積 σ(ϵ)\sigma(\epsilon) 為 0。
σ(0.6ϵa)=0\sigma(0.6 \epsilon_a) = 0.

(c) 根據 σ(ϵ)\sigma(\epsilon),寫出一個簡單的積分方程來解釋速率常數 kk。
對於氣體反應,速率常數 kk 可以通過碰撞理論來估計。
k=ZABPcollisionk = Z_{AB} P_{collision}
其中 ZABZ_{AB} 是碰撞頻率因子,PcollisionP_{collision} 是碰撞發生反應的概率。
在更精確的理論中,速率常數 kk 可以通過對所有可能的相對能量下的有效碰撞截面積進行積分來獲得。
k=∫0∞vrelσ(vrel)f(vrel)dvrelk = \int_0^\infty v_{rel} \sigma(v_{rel}) f(v_{rel}) d v_{rel}

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第 1 題

  1. (a) For a real gas following the P=RT/(Vm−b)−a/Vm2P = RT/(V_m - b) - a/V_m^2 equation, please calculate the critical compression factor ZcZ_c value of the gas. (6%)
    (b) Derive internal pressure πT\pi_T of the real gas πT=T(∂P/∂T)Vm−P\pi_T = T (\partial P/\partial T)_{V_m} - P. (3%)
    (c) Please calculate πT\pi_T of the real gas. (3%)

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核心觀念

  • 范德瓦爾斯方程:
    P=RTVm−b−aVm2P=\frac{RT}{V_m-b}-\frac{a}{V_m^{2}}
    其中 aa、bb 為分子間作用與分子排斥參數。
  • 臨界點條件:在臨界點上,等溫等壓曲線的第一、二階導數皆為零:
(∂P∂Vm)Tc=0,(∂2P∂Vm2)Tc=0\left(\frac{\partial P}{\partial V_m}\right)_{T_c}=0,\qquad \left(\frac{\partial^{2}P}{\partial V_m^{2}}\right)_{T_c}=0
  • 壓縮因子:
    Zc≡PcVm,cRTcZ_c\equiv\frac{P_cV_{m,c}}{RT_c}
  • 內壓(internal pressure)定義:
    πT≡T(∂P∂T)Vm−P\pi_T \equiv T\left(\frac{\partial P}{\partial T}\right)_{V_m}-P

(a) 計算臨界壓縮因子 ZcZ_c

1. 先求臨界常數
對范德瓦爾斯方程取對 VmV_m 的一階、二階導數,並在 T=TcT=T_c、Vm=Vm,cV_m=V_{m,c} 使其同時為零:

∂P∂Vm=−RT(Vm−b)2+2aVm3=0\frac{\partial P}{\partial V_m} = -\frac{RT}{(V_m-b)^2}+\frac{2a}{V_m^{3}}=0 ∂2P∂Vm2=2RT(Vm−b)3−6aVm4=0\frac{\partial^{2}P}{\partial V_m^{2}} = \frac{2RT}{(V_m-b)^{3}}-\frac{6a}{V_m^{4}}=0

解聯立方程式得到

Vm,c=3b,Pc=a27b2,Tc=8a27Rb.V_{m,c}=3b,\qquad P_c=\frac{a}{27b^{2}},\qquad T_c=\frac{8a}{27Rb}.

2. 套入壓縮因子定義

Zc=PcVm,cRTc=a27b2  (3b)R8a27Rb=a9b  /  8a27b=2772=38=0.375.Z_c=\frac{P_cV_{m,c}}{RT_c} =\frac{\displaystyle\frac{a}{27b^{2}}\;(3b)} {R\displaystyle\frac{8a}{27Rb}} =\frac{a}{9b}\;\Big/\;\frac{8a}{27b} =\frac{27}{72} =\frac{3}{8}=0.375.

結果

Zc=38=0.375\boxed{Z_c=\dfrac{3}{8}=0.375}


(b) 內壓 πT\pi_T 的推導

由定義

πT=T(∂P∂T)Vm−P.\pi_T = T\left(\frac{\partial P}{\partial T}\right)_{V_m}-P.

把范德瓦爾斯方程寫成 P(T,Vm)P(T,V_m):

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第 2 題

  1. (a) If a spontaneous change occurs with a decrease in entropy of the system, why ∣work∣<∣ΔU∣| work | < | \Delta U |? (4%)
    (b) Please use the chemical reaction of 2A+3B⟶C+2D2A + 3B \longrightarrow C + 2D to derive the equation of ΔG=ΔG∘+RTln⁡Q\Delta G = \Delta G^\circ + RT \ln Q. (6%)

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核心觀念

  • 熱力學第一與第二定律
    • 第一律:ΔU=q+w\Delta U = q + w(系統內能變化等於熱傳與功的總和)。
    • 第二律:自發過程必須使宇宙熵增,即 ΔSuniv=ΔSsys+ΔSsurr>0 \Delta S_{\text{univ}} = \Delta S_{\text{sys}} + \Delta S_{\text{surr}} > 0。
  • 吉布斯自由能
    • G=H−TSG = H - TS,對於恆壓恆溫系統,自發變化的判準為 ΔG<0\Delta G < 0。
    • ΔG=ΔH−TΔS=ΔU+pΔV−TΔS\Delta G = \Delta H - T\Delta S = \Delta U + p\Delta V - T\Delta S。
  • 反應商與標準狀態
    • Q=[C][D]2[A]2[B]3Q = \dfrac{[C][D]^2}{[A]^2[B]^3} 為即時反應商。
    • 標準吉布斯自由能變化 ΔG∘\Delta G^\circ 於所有物質皆在標準態 (1 atm, 1 M)。

(a) 為何在系統熵減、仍為自發過程時 ∣w∣<∣ΔU∣|w|<|\Delta U|?

解題步驟

  1. 寫出熱力學第二律的條件

ΔSuniv=ΔSsys+ΔSsurr>0\Delta S_{\text{univ}} = \Delta S_{\text{sys}} + \Delta S_{\text{surr}} > 0

  1. 將環境熵變寫成熱傳的函數(恆溫環境 TsurrT_{\text{surr}})

ΔSsurr=−qTsurr\Delta S_{\text{surr}} = -\frac{q}{T_{\text{surr}}}

(熱流入系統 q>0q>0,環境失熱 −q-q,熵變為負)。
3. 代入不等式

ΔSsys−qT>0⟹q<TΔSsys\Delta S_{\text{sys}} - \frac{q}{T} > 0\quad\Longrightarrow\quad q < T\Delta S_{\text{sys}}

因為題設 ΔSsys<0\Delta S_{\text{sys}}<0,右端為負值,故 qq 必為負(系統放熱)。
4. 利用第一律 ΔU=q+w\Delta U = q + w:

w=ΔU−qw = \Delta U - q

  1. 把 qq 的不等式代入

w=ΔU−q>ΔU−TΔSsysw = \Delta U - q > \Delta U - T\Delta S_{\text{sys}}

觀察到 TΔSsysT\Delta S_{\text{sys}} 為負值,故

w>ΔU(若以正值表示功的輸出)w > \Delta U \quad\text{(若以正值表示功的輸出)}

取絕對值:

∣w∣<∣ΔU∣|w| < |\Delta U|

因為 ΔU\Delta U 為負(放熱),而 ww 為正(系統對外作功)時,絕對值大小相反。

核心結論

  • 系統熵減表示環境必須吸收足夠熱量才能維持 ΔSuniv>0 \Delta S_{\text{univ}} >0,因此放熱量 ∣q∣|q| 必大於作功 ∣w∣|w|。
  • 依第一律 ∣ΔU∣=∣q∣+∣w∣|\Delta U| = |q| + |w|,故 ∣w∣<∣ΔU∣|w| < |\Delta U|。

(b) 以反應 2A+3B→C+2D2A + 3B \rightarrow C + 2D 推導 ΔG=ΔG∘+RTln⁡Q\displaystyle \Delta G = \Delta G^{\circ} + RT\ln Q

解題步驟

  1. 寫出化學勢(化學位)
    在任意狀態下,單質 ii 的化學勢

μi=μi∘+RTln⁡ai\mu_i = \mu_i^{\circ} + RT\ln a_i

其中 aia_i 為活度(在理想稀溶液中 ai≈[i]a_i\approx [i])。

  1. 系統總吉布斯自由能變化(以反應進度 ξ\xi 表示)

ΔG=∑iνiμi\Delta G = \sum_i \nu_i \mu_i

νi\nu_i 為生成係數(產物正、反應物負)。對本反應

ΔG=(+1)μC+(+2)μD−(2)μA−(3)μB\Delta G = (+1)\mu_C + (+2)\mu_D - (2)\mu_A - (3)\mu_B

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第 3 題

  1. (a) What is the thermodynamic criterion for the equilibrium between phase A and phase B? (3%)
    (b) In a phase diagram (pressure vs. temperature) of a CO2, please derive the slope of the liquid-solid boundary. (4%)
    (c) Is the slope of gas-solid boundary of a CO2 negative, positive? Why? (3 %)

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本題考驗相平衡的熱力學準則以及相圖的斜率推導。

(a) 在定溫定壓下,系統處於相平衡的熱力學準則為各相的化學勢相等。
化學勢 μi\mu_i 是摩爾吉布斯自由能對物質的量求偏導。
對於相 A 和相 B,平衡條件為 μA=μB\mu_A = \mu_B。
若考慮摩爾量,則為摩爾吉布斯自由能相等,GˉA=GˉB\bar{G}_A = \bar{G}_B。

【答案】(a) 在定溫定壓下,系統處於相平衡的熱力學準則為各相的化學勢相等,即 μA=μB\mu_A = \mu_B。

(b) 根據 Clapeyron 方程,液體-固體邊界的斜率 dPdT\frac{dP}{dT} 為:
dPdT=ΔHfusT(Vm,L−Vm,S)\frac{dP}{dT} = \frac{\Delta H_{fus}}{T(V_{m,L} - V_{m,S})}
其中 ΔHfus\Delta H_{fus} 是摩爾熔化焓, TT 是絕對溫度, Vm,LV_{m,L} 和 Vm,SV_{m,S} 分別是液體和固體的摩爾體積。
對於 CO2,熔化過程是吸熱的,ΔHfus>0\Delta H_{fus} > 0。
通常情況下,液體的摩爾體積大於固體的摩爾體積,Vm,L>Vm,SV_{m,L} > V_{m,S},所以 Vm,L−Vm,S>0V_{m,L} - V_{m,S} > 0。
因此,dPdT\frac{dP}{dT} 為正值。

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第 4 題

  1. (a) For a regular solution of A and B, please derive the Margules equations: ln⁡γA=βxB2\ln \gamma_A = \beta x_B^2 and ln⁡γB=βxA2\ln \gamma_B = \beta x_A^2. (
    β\beta is a dimensionless parameter to measure the energy AB interactions related to that of the AA and BB interactions.) (5%)
    (b) Based on the following result, please derive the Henry's law constant K=pA∗exp⁡βK = p_A^* \exp \beta (3%)

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核心觀念

規則溶液的過量莫耳吉布斯自由能以組成乘積表示:

gE=RTβxAxBg^{E}=RT\beta x_Ax_B

其中 RR 為氣體常數、TT 為絕對溫度,且 xA+xB=1x_A+x_B=1。活度係數由過量吉布斯自由能的偏莫耳量決定:

ln⁡γi=G‾iERT\ln\gamma_i=\frac{\overline{G}_i^{E}}{RT}

本題先由 gEg^E 求出兩成分的活度係數,再取 AA 在無限稀釋時的極限求亨利定律常數。

解題方法

(a) 推導 Margules 方程

總過量吉布斯自由能為

GE=ngE=nRTβxAxBG^{E}=n g^{E}=nRT\beta x_Ax_B

利用 xA=nA/nx_A=n_A/n、xB=nB/nx_B=n_B/n,可改寫為

GE=RTβnAnBnA+nBG^{E}=RT\beta\frac{n_An_B}{n_A+n_B}

固定 T,P,nBT,P,n_B,對 nAn_A 微分,得到 AA 的偏莫耳過量吉布斯自由能:

G‾AE=(∂GE∂nA)T,P,nB=RTβnB2(nA+nB)2=RTβxB2\overline{G}_A^{E} = \left(\frac{\partial G^{E}}{\partial n_A}\right)_{T,P,n_B} = RT\beta\frac{n_B^2}{(n_A+n_B)^2} = RT\beta x_B^2

因此

ln⁡γA=βxB2\boxed{\ln\gamma_A=\beta x_B^2}

同理,固定 T,P,nAT,P,n_A,對 nBn_B 微分:

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第 5 題

  1. (a) Draw a wavefunction diagram to describe the tunneling effect of particle in a one-dimension box with energy barriers of VV and energy wall thickness of LL. (4%)
    (b) Draw a representative wavefunction of a particle in a potential decreasing toward the right (as right figure). (4%)
    🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 2 頁原卷第 3 頁

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本題考驗量子力學中粒子穿隧效應以及波函數的繪製。

(a) 粒子穿隧效應是指粒子有一定機率穿過一個比其動能還高的位能障礙。
考慮一個粒子在一維位能障礙區域 (0<x<L0 < x < L),其高度為 V>EV > E,其中 EE 是粒子的能量。
在此區域,薛丁格方程式的解為 ψ(x)=Aeκx+Be−κx\psi(x) = A e^{\kappa x} + B e^{-\kappa x},其中 κ=2m(V−E)/ℏ\kappa = \sqrt{2m(V-E)}/\hbar。
波函數圖示應包含:

  • 入射區域 (x < 0):粒子從左側入射,波函數為平面波的疊加(入射波和反射波),振幅不為零。
  • 位能障礙區域 (0 < x < L):波函數 ψ(x)\psi(x) 指數衰減。
  • 透射區域 (x > L):粒子穿隧到右側區域,波函數振幅較小但非零。
    繪製圖示時,應標示出能量 EE 和位能 VV 的相對位置 (V>EV > E)。

【答案】(a) 繪製的波函數圖應顯示:粒子在位能障礙(高度 V>EV > E,寬度 LL)左側有非零的波函數振幅,在位能障礙區域內波函數振幅呈指數衰減,在位能障礙右側區域仍存在一

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第 6 題

  1. (a) Derive the Beer-Lambert law: A=ϵ[J]lA = \epsilon[J]l, ll: length of the cell (4%)
    (b) Why does the [Co(H2O)6]2+[Co(H_2O)_6]^{2+} complex ion have low ϵ\epsilon value for the d-d transition in the visible-light region? (4%)
    (c) Why does the [Os(bipy)3]2+[Os(bipy)_3]^{2+} complex ion have long-life exited state and large ϵ\epsilon value widely used as photocatalysts. (4%)

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核心觀念

  • Beer‑Lambert 法則:吸光度 AA 與光程 ll、樣品濃度 [J][J](摩爾濃度)以及摩爾吸光係數 ϵ\epsilon 成正比。
  • 摩爾吸光係數 ϵ\epsilon(單位 L·mol⁻¹·cm⁻¹)描述單位濃度的化學種對光的吸收強度,受電偶極躍遷機率與對稱性影響。
  • 配位化合物 d‑d 遷移:屬於自旋允許但電偶極不允許的“Laporte 禁止”躍遷,強度受配位場對稱性、自旋軌道耦合等因素調節。
  • 光致變化與壽命:激發態壽命取決於非瀑布失活途徑(內部轉換、振動鬆弛)與自旋禁阻、**金屬‑配體電荷轉移(MLCT)**的競爭關係。

(a) Beer‑Lambert 法則推導

  1. 光在均勻介質中衰減
    假設光束在微小厚度 dxdx 內的強度減少 dIdI 與當前強度 II 成正比,比例常數為單體吸收截面 σ\sigma 與粒子數密度 NN:
    dIdx=−σNI(1)\frac{dI}{dx} = -\sigma N I \quad (1)

  2. 將粒子密度換算為摩爾濃度
    N=NA[J]N = N_\mathrm{A}[J],其中 NAN_\mathrm{A} 為阿伏加德羅常數,[J][J] 為摩爾濃度(mol·L⁻¹)。
    把 (1) 改寫為
    dII=−σNA[J] dx(2)\frac{dI}{I} = -\sigma N_\mathrm{A}[J]\,dx \quad (2)

  3. 定義摩爾吸光係數 ϵ\epsilon
    實驗上使用的單位是 L·mol⁻¹·cm⁻¹,故定義

ϵ=σNAln⁡10(L⋅mol⁻¹⋅cm⁻¹)(3)\epsilon = \frac{\sigma N_\mathrm{A}}{\ln 10}\quad\text{(L·mol⁻¹·cm⁻¹)} \tag{3}

其中 ln⁡10\ln 10 把自然對數轉為常用對數(因吸光度 AA 定義為 A=−log⁡10(I/I0)A=-\log_{10}(I/I_0))。

  1. 積分求得整段光程 ll
    從 x=0x=0 到 x=lx=l 積分 (2):
    ∫I0IdI′I′=−σNA[J]∫0ldx′\int_{I_0}^{I} \frac{dI'}{I'} = -\sigma N_\mathrm{A}[J]\int_{0}^{l}dx'
    得到
    ln⁡II0=−σNA[J]l\ln\frac{I}{I_0}= -\sigma N_\mathrm{A}[J]l
    兩端取以 1010 為底的對數,得到吸光度
    A=−log⁡10II0=σNAln⁡10[J]l=ϵ[J]l■A=-\log_{10}\frac{I}{I_0}= \frac{\sigma N_\mathrm{A}}{\ln 10}[J]l=\epsilon[J]l\quad\blacksquare

(b) 為何 [Co(H2O)6]2+[Co(H_2O)_6]^{2+} 的 d‑d 遷移在可見光區 ϵ\epsilon 低

影響因素具體說明
Laporte 禁止[Co(H2O)6]2+[Co(H_2O)_6]^{2+} 為八面體 (O<sub>h</sub>) 配位,中心金屬的 d 軌道屬於 gg 對稱,光電偶極躍遷必須滿足 g→ug\to u 的規則。d→d 均屬於 g→gg\to g,被 Laporte 禁止,導致振子強度極低,ϵ\epsilon 常在 1010–100 L⋅mol−1cm−1100\ \text{L·mol}^{-1}\text{cm}^{-1} 範圍。
自旋禁阻Co2+Co^{2+}(d⁷)高自旋 (t2g5eg2)(t_{2g}^5e_g^2),基態 4T1g^4T_{1g} 與激發態 4T2g^4T_{2g} 仍為四重態,躍遷自旋允許,但仍受電偶極禁阻影響。
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第 7 題

  1. (a) Draw a representative figure to estimate the value of the overlap integral between ψ2s(A)\psi_{2s}(A) and ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) in the A-B molecule? (Hint: zz is the molecular axis.) (3%)
    (b). Use the following Hückel approximation matrix to estimate the delocalization energy of the π\pi molecular orbitals and draw the HOMO and LUMO shapes of the molecular orbitals in butadiene. (7%) (Hint: The energies of π\pi orbital in ethene are α+β\alpha + \beta and α−β\alpha - \beta)
    E =
(α+1.62β0000α+0.62β0000α−0.62β0000α−1.62β)\begin{pmatrix} \alpha+1.62\beta & 0 & 0 & 0 \\ 0 & \alpha+0.62\beta & 0 & 0 \\ 0 & 0 & \alpha-0.62\beta & 0 \\ 0 & 0 & 0 & \alpha-1.62\beta \end{pmatrix}

C =

(0.3720.6020.602−0.3720.6020.372−0.3720.6020.602−0.3720.3720.602−0.3720.602−0.6020.372)\begin{pmatrix} 0.372 & 0.602 & 0.602 & -0.372 \\ 0.602 & 0.372 & -0.372 & 0.602 \\ 0.602 & -0.372 & 0.372 & 0.602 \\ -0.372 & 0.602 & -0.602 & 0.372 \end{pmatrix}

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本題考驗分子軌域理論中的重疊積分以及 Hückel 近似法的應用。

(a) 重疊積分 SAB=∫ψA∗ψBdVS_{AB} = \int \psi_A^* \psi_B dV 衡量兩個原子軌域的空間重疊程度。對於 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 和 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B),假設 zz 軸是分子軸。ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 是球對稱的,具有相同的符號(例如正)。ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 在 z 軸方向上有兩個相反符號的瓣(例如,z>0 為正,z<0 為負)。當 A 和 B 沿 z 軸靠近時,ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的球形軌域會與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正瓣(同相重疊)和 z 軸負瓣(異相重疊)發生重疊。總的重疊積分是正值,表示形成 σ\sigma 鍵。

【答案】(a) 繪製圖示應顯示原子 A 和 B 沿 z 軸排列,原子 A 周圍是球形的 2s 軌域(符號為正),原子 B 周圍是沿 z 軸的 2pz 軌域(z>0 為正瓣,z<0 為負瓣)。展示 ψ2s(A)\psi_{2s}(A) 的球形軌域與 ψ2pz(B)\psi_{2p_z}(B) 的 z 軸正瓣(同相重疊)和 z 軸負瓣(異相重疊)之間的空間重疊。估計的重疊積分值為一個小的正值。

(b) 丁二烯有 4 個 π\pi 電子。Hückel 近似的能量本徵值為 E1=α+1.62βE_1 = \alpha + 1.62\beta, E2=α+0.62βE_2 = \alpha + 0.62\beta, E3=α−0.62βE_3 = \alpha - 0.62\beta, E4=α−1.62βE_4 = \alpha - 1.62\beta。
最低的兩個軌域 E1E_1 和 E2E_2 被 4 個 π\pi 電子填滿。
總 π\pi 電子能量 Etotal,MO=2E1+2E2=2(α+1.62β)+2(α+0.62β)=4α+4.48βE_{total, MO} = 2 E_1 + 2 E_2 = 2(\alpha + 1.62\beta) + 2(\alpha + 0.62\beta) = 4\alpha + 4.48\beta。

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第 8 題

  1. (a) Derive the rate law of the relaxation method for determination the rate constants k and k'.
    A ⇌kk′\underset{k'}{\stackrel{k}{\rightleftharpoons}} B (forward: k; reverse: k') (6%)
    (b) Please give the phenomenological equation and define the coefficients for
    (1) diffusion; (2) the flux of x-momentum in the z-direction. (4%)

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本題考驗化學反應動力學中的弛豫法以及傳輸現象的現象學定律。

(a) 對於可逆一級反應 A⇌kk′BA \underset{k'}{\stackrel{k}{\rightleftharpoons}} B,弛豫時間 τ=1k+k′\tau = \frac{1}{k+k'}。
此關係是通過考慮系統偏離平衡時的速率方程並進行線性化推導得出的。
設反應進程變量為 ξ=[A]eq−[A]=[B]−[B]eq\xi = [A]_{eq} - [A] = [B] - [B]_{eq}。
則 dξdt=k[A]−k′[B]=k([A]eq−ξ)−k′([B]eq+ξ)=(k[A]eq−k′[B]eq)−(k+k′)ξ\frac{d\xi}{dt} = k[A] - k'[B] = k([A]_{eq} - \xi) - k'([B]_{eq} + \xi) = (k[A]_{eq} - k'[B]_{eq}) - (k+k')\xi。
由於在平衡時 k[A]eq=k′[B]eqk[A]_{eq} = k'[B]_{eq},故 dξdt=−(k+k′)ξ\frac{d\xi}{dt} = -(k+k')\xi。
此微分方程的解為 ξ(t)=ξ0e−(k+k′)t\xi(t) = \xi_0 e^{-(k+k')t}。
弛豫時間 τ=1k+k′\tau = \frac{1}{k+k'}。

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第 9 題

  1. (a) It is well known that the Michaelis-Menten mechanism is widely used to explain the Kinetics of the enzyme reactions. Please derive an equation to prove the right-hand plot. (6%)
    (b) Please calculate the kcatk_{cat} and catalytic efficiency (ϵ\epsilon) of enzyme reaction at initial concentration of enzyme = [E]0[E]_0 (4%)
    (Hint: explain in the a, b and [E]0[E]_0)
    🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 3 頁

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本題考驗酶動力學中的 Michaelis-Menten 機制以及相關參數的計算。

(a) Michaelis-Menten 機制的反應步驟為:E+S⇌k1k−1ES⟶k2E+PE + S \underset{k_{-1}}{\stackrel{k_1}{\rightleftharpoons}} ES \stackrel{k_2}{\longrightarrow} E + P。
根據穩態近似,得到 Michaelis-Menten 方程:v=vmax[S]Km+[S]v = \frac{v_{max}[S]}{K_m + [S]}。
取倒數並整理,得到 Lineweaver-Burk 方程(右手法則圖):1v=Kmvmax1[S]+1vmax\frac{1}{v} = \frac{K_m}{v_{max}} \frac{1}{[S]} + \frac{1}{v_{max}}。
圖中的斜率 b=Km/vmaxb = K_m/v_{max},y 軸截距 a=1/vmaxa = 1/v_{max}。

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第 10 題

  1. (a) Using the right-hand figure, to justify σ(ϵ)=(1−ϵa/ϵ)σ\sigma(\epsilon) = (1 - \epsilon_a/\epsilon) \sigma. (5%)
    (b) Calculate σ(ϵ)=?\sigma(\epsilon) = ? at ϵ=0.6ϵa\epsilon = 0.6 \epsilon_a (2%)
    (c) Based on the σ(ϵ)\sigma(\epsilon), please write a simple integral equation to explain the rate constant k. (3%)
    🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 3 頁

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本題考驗化學反應動力學中的傳輸現象,特別是關於擴散控制的反應速率。

(a) 公式 σ(ϵ)=(1−ϵa/ϵ)σ\sigma(\epsilon) = (1 - \epsilon_a/\epsilon) \sigma 表明,有效碰撞截面積 σ(ϵ)\sigma(\epsilon) 取決於粒子的相對能量 ϵ\epsilon。ϵa\epsilon_a 是反應所需的最小能量(勢壘)。此公式適用於 ϵ≥ϵa\epsilon \ge \epsilon_a。當 ϵ<ϵa\epsilon < \epsilon_a 時,有效截面積為零。

【答案】(a) 公式 σ(ϵ)=(1−ϵa/ϵ)σ\sigma(\epsilon) = (1 - \epsilon_a/\epsilon) \sigma 表明,有效碰撞截面積 σ(ϵ)\sigma(\epsilon) 取決於粒子的相對能量 ϵ\epsilon。ϵa\epsilon_a 代表反應所需的最小能量(勢壘)。只有當粒子的相對能量 ϵ\epsilon 大於或等於 ϵa\epsilon_a 時,反應才可能發生,此時有效截面積為 σ(1−ϵa/ϵ)\sigma(1 - \epsilon_a/\epsilon)。

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第 1 題

  1. (a) For a real gas following the P=RT/(Vm−b)−a/Vm2P = RT/(V_m - b) - a/V_m^2 equation, please calculate the critical compression factor ZcZ_c value of the gas. (6%)
    (b) Derive internal pressure πT\pi_T of the real gas πT=T(∂P/∂T)Vm−P\pi_T = T (\partial P/\partial T)_{V_m} - P. (3%)
    (c) Please calculate πT\pi_T of the real gas. (3%)

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核心觀念

  • 范德瓦爾斯方程:
    P=RTVm−b−aVm2P=\frac{RT}{V_m-b}-\frac{a}{V_m^{2}}
    其中 aa、bb 為分子間作用與分子排斥參數。
  • 臨界點條件:在臨界點上,等溫等壓曲線的第一、二階導數皆為零:
(∂P∂Vm)Tc=0,(∂2P∂Vm2)Tc=0\left(\frac{\partial P}{\partial V_m}\right)_{T_c}=0,\qquad \left(\frac{\partial^{2}P}{\partial V_m^{2}}\right)_{T_c}=0
  • 壓縮因子:
    Zc≡PcVm,cRTcZ_c\equiv\frac{P_cV_{m,c}}{RT_c}
  • 內壓(internal pressure)定義:
    πT≡T(∂P∂T)Vm−P\pi_T \equiv T\left(\frac{\partial P}{\partial T}\right)_{V_m}-P

(a) 計算臨界壓縮因子 ZcZ_c

1. 先求臨界常數
對范德瓦爾斯方程取對 VmV_m 的一階、二階導數,並在 T=TcT=T_c、Vm=Vm,cV_m=V_{m,c} 使其同時為零:

∂P∂Vm=−RT(Vm−b)2+2aVm3=0\frac{\partial P}{\partial V_m} = -\frac{RT}{(V_m-b)^2}+\frac{2a}{V_m^{3}}=0 ∂2P∂Vm2=2RT(Vm−b)3−6aVm4=0\frac{\partial^{2}P}{\partial V_m^{2}} = \frac{2RT}{(V_m-b)^{3}}-\frac{6a}{V_m^{4}}=0

解聯立方程式得到

Vm,c=3b,Pc=a27b2,Tc=8a27Rb.V_{m,c}=3b,\qquad P_c=\frac{a}{27b^{2}},\qquad T_c=\frac{8a}{27Rb}.

2. 套入壓縮因子定義

Zc=PcVm,cRTc=a27b2  (3b)R8a27Rb=a9b  /  8a27b=2772=38=0.375.Z_c=\frac{P_cV_{m,c}}{RT_c} =\frac{\displaystyle\frac{a}{27b^{2}}\;(3b)} {R\displaystyle\frac{8a}{27Rb}} =\frac{a}{9b}\;\Big/\;\frac{8a}{27b} =\frac{27}{72} =\frac{3}{8}=0.375.

結果

Zc=38=0.375\boxed{Z_c=\dfrac{3}{8}=0.375}


(b) 內壓 πT\pi_T 的推導

由定義

πT=T(∂P∂T)Vm−P.\pi_T = T\left(\frac{\partial P}{\partial T}\right)_{V_m}-P.

把范德瓦爾斯方程寫成 P(T,Vm)P(T,V_m):

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