113 年 國立中正大學機械工程學系光機電整合工程碩士班《電子學》

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第 1 題20 分

For circuit below, where voltage gain Av = 10, find input resistance Ri.

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核心觀念

本題考查具有有限電壓增益 AvA_v 的反相運算放大器,以及輸入電阻定義:

Ri=ViIiR_i=\frac{V_i}{I_i}

由於題目給定放大器電壓增益為 Av=10A_v=10,不能直接使用理想運算放大器的虛短路條件 v−=v+=0v_-=v_+=0。

設反相端電壓為 vxv_x。正相端接地,因此

v+=0v_+=0

運算放大器輸出為

vo=Av(v+−vx)=−10vxv_o=A_v(v_+-v_x)=-10v_x

解題方法

在節點 vxv_x 寫 KCL。運算放大器輸入端不取電流,因此:

vx−Vi1 kΩ+vx2 kΩ+vx−vo20 kΩ=0\frac{v_x-V_i}{1\,\text{k}\Omega} +\frac{v_x}{2\,\text{k}\Omega} +\frac{v_x-v_o}{20\,\text{k}\Omega}=0

代入 vo=−10vxv_o=-10v_x:

vx−Vi1 kΩ+vx2 kΩ+11vx20 kΩ=0\frac{v_x-V_i}{1\,\text{k}\Omega} +\frac{v_x}{2\,\text{k}\Omega} +\frac{11v_x}{20\,\text{k}\Omega}=0

全部乘以 20 kΩ20\,\text{k}\Omega:

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第 2 題20 分

For circuit below, where transistor's current gain βBQ1=βQ2=100\beta_{BQ1} = \beta_{Q2} = 100, voltage across the base-emitter junction ∣VBE,on∣=0.7 V|V_{BE, on}| = 0.7 \text{ V}, voltage across the emitter-collector junction ∣VCE,sat∣=0.2 V|V_{CE, sat}| = 0.2 \text{ V}, input voltage V1=−10 VV_1 = -10 \text{ V}, find output voltage VoV_o.

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核心觀念

本題考查互補式推挽輸出級中,電晶體的導通判斷與飽和狀態分析。

當 Vi=−10 VV_i=-10\text{ V} 時,下方的 Q2Q_2(PNP)導通,上方的 Q1Q_1 截止。若 Q2Q_2 進入飽和,則:

VEC2,sat≈0.2 VV_{EC2,\text{sat}} \approx 0.2\text{ V}

由於 Q2Q_2 的集極接在 −5 V-5\text{ V},其射極接輸出端,因此飽和時輸出電壓接近負電源,但高出 0.2 V0.2\text{ V}。

解題方法

Q2Q_2 為 PNP 電晶體,其集極接於 −5 V-5\text{ V},射極接於輸出端 VoV_o。

若 Q2Q_2 飽和,則射極電壓比集極高約 0.2 V0.2\text{ V}:

Vo=VE2=VC2+VEC,satV_o=V_{E2}=V_{C2}+V_{EC,\text{sat}} Vo=−5+0.2=−4.8 VV_o=-5+0.2=-4.8\text{ V}

接著驗證 Q2Q_2 確實有足夠的基極驅動電流。

因為 PNP 電晶體導通時:

VB2=VE2−0.7=−4.8−0.7=−5.5 VV_{B2}=V_{E2}-0.7=-4.8-0.7=-5.5\text{ V}

由輸入端經過 10 kΩ10\text{ k}\Omega 電阻流入基極的電流為:

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第 3 題20 分

For circuit below, where MOSFETs are in Saturation, all of NMOS transconductance gm=2 mA/Vg_m = 2 \text{ mA/V}, find output resistance RoutR_{out}.

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核心觀念

要求輸出電阻 RoutR_{out} 時,將獨立輸入電壓源設為零,因此 vi=0v_i=0,上方 NMOS 的閘極為交流接地。設輸出端測試電壓為 vov_o,並在輸出端注入測試電流 ixi_x。

忽略 MOSFET 的 ror_o(題目未提供,視為無限大),MOSFET 小訊號跨導關係為

id=gmvgsi_d=g_m v_{gs}

已知

gm=2 mA/V=2×10−3 S,RD=3 kΩg_m=2\ \text{mA/V}=2\times 10^{-3}\ \text{S},\qquad R_D=3\ \text{k}\Omega

解題方法

令上方 NMOS 的汲極與下方 NMOS 的閘極連接節點為 vxv_x。

由於上方 NMOS 的閘極接交流地:

vgs1=0−vo=−vov_{gs1}=0-v_o=-v_o

上方 NMOS 的小訊號電流方向由汲極流向源極,因此其電流為

id1=gm(−vo)=−gmvoi_{d1}=g_m(-v_o)=-g_m v_o

在節點 vxv_x 寫 KCL。3 kΩ3\text{ k}\Omega 電阻接交流地,而上方 NMOS 提供由輸出端流向 vxv_x 的電流,因此

vx3 kΩ−gmvo=0\frac{v_x}{3\text{ k}\Omega}-g_m v_o=0

得到

vx=gm(3 kΩ)vov_x=g_m(3\text{ k}\Omega)v_o

代入數值:

vx=(2 mA/V)(3 kΩ)vo=6vov_x=(2\text{ mA/V})(3\text{ k}\Omega)v_o=6v_o
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第 4 題20 分

For circuit below, where resistance R1=50 kΩR_1 = 50 \text{ k}\Omega, R1f=200 kΩR_{1f} = 200 \text{ k}\Omega, R2=20 kΩR_2 = 20 \text{ k}\Omega, R2f=40 kΩR_{2f} = 40 \text{ k}\Omega, find output voltage VoV_o.

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核心觀念

本題使用理想運算放大器的兩項特性:

  1. 輸入端電流為零:
    i+=i−=0i_+=i_-=0

  2. 負回授下具虛短路:
    V−=V+V_-=V_+

其中,R1fR_{1f} 為反相端的回授電阻,R2fR_{2f} 則連接非反相端節點與接地。

解題方法

先求非反相端電壓 V+V_+。由於運算放大器輸入端不取電流,在非反相端節點套用 KCL:

V+−2R2+V+−(−2)R2+V+R2f=0\frac{V_+-2}{R_2} +\frac{V_+-(-2)}{R_2} +\frac{V_+}{R_{2f}}=0

代入 R2=20 kΩR_2=20\,\text{k}\Omega、R2f=40 kΩR_{2f}=40\,\text{k}\Omega:

V+−220 kΩ+V++220 kΩ+V+40 kΩ=0\frac{V_+-2}{20\,\text{k}\Omega} +\frac{V_++2}{20\,\text{k}\Omega} +\frac{V_+}{40\,\text{k}\Omega}=0

前兩項的輸入電壓互相抵消:

2V+20 kΩ+V+40 kΩ=0\frac{2V_+}{20\,\text{k}\Omega} +\frac{V_+}{40\,\text{k}\Omega}=0

因此:

V+=0V_+=0

利用虛短路:

V−=V+=0V_-=V_+=0

接著在反相端節點套用 KCL。兩個 1 V1\text{ V} 電壓源皆經由 R1R_1 接至反相端:

V−−1R1+V−−1R1+V−−VoR1f=0\frac{V_--1}{R_1} +\frac{V_--1}{R_1} +\frac{V_--V_o}{R_{1f}}=0
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第 5 題20 分

For circuit below, where transconductance gm=2 mA/Vg_m = 2 \text{ mA/V}, output impedance ro=20 kΩr_o = 20 \text{ k}\Omega, find voltage gain Av=Vout/VinA_v = V_{out}/V_{in}.

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核心觀念

本題為 NMOS 電流鏡負載之共源級放大器,需使用:

  • MOS 小訊號跨導:gmg_m
  • MOS 輸出電導:go=1rog_o=\dfrac{1}{r_o}
  • 小訊號節點分析
  • 電流鏡的轉換與輸出電阻效應

M1M_1 的閘極接輸入 vinv_{in},M2M_2 的閘極接固定偏壓 VBV_B,因此在交流小訊號下,M2M_2 的閘極為接地。

解題方法

設左側二極體接法 PMOS 的閘極、汲極節點為 vxv_x,輸出端為 voutv_{out}。

已知

gm=2 mA/V=2 mSg_m=2\text{ mA/V}=2\text{ mS} ro=20 kΩr_o=20\text{ k}\Omega

因此

go=1ro=120 kΩ=50 μSg_o=\frac{1}{r_o} =\frac{1}{20\text{ k}\Omega} =50\ \mu\text{S}

1. 求電流鏡控制節點 vxv_x

在節點 vxv_x,M1M_1 的小訊號汲極電流為

gmvin+govxg_m v_{in}+g_o v_x

左側二極體接法 PMOS 對地提供的小訊號電流為

(gm+go)vx(g_m+g_o)v_x

套用 KCL:

gmvin+govx+(gm+go)vx=0g_m v_{in}+g_o v_x+(g_m+g_o)v_x=0

整理得

vx=−gmgm+2govinv_x =-\frac{g_m}{g_m+2g_o}v_{in}

若依照圖中元件匹配,並將二極體接法 PMOS 的跨導效應納入,節點增益可寫成

vxvin=−gm2(gm+go)\frac{v_x}{v_{in}} =-\frac{g_m}{2(g_m+g_o)}

2. 求輸出端增益

輸出端由右側 PMOS 與 M2M_2 的輸出電阻並聯,因此

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