113 年 國立成功大學地球科學研究所乙組《普通物理學》

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第 1 題25 分

如圖1。一個長寬高分別為 WW、LL、tt 的平行電板系統,板間充滿介電常數為 K1K_1 與 K2K_2 的線性介電質。假設 WW、L≫tL \gg t, 忽略邊緣效應。求此系統的電容。

Hint: 線性介電質中的平行板電容 C=Kϵ0AdC = \frac{K\epsilon_0 A}{d}。其中 AA 是平行板面積, dd 是平行板間距, KK 是介電常數。
Hint: 電容並聯公式 Ceq=∑i=1NCiC_{eq} = \sum_{i=1}^N C_i。電容串聯公式 1Ceq=∑i=1N1Ci\frac{1}{C_{eq}} = \sum_{i=1}^N \frac{1}{C_i}。
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核心觀念

本題考查「介電質分層的平行板電容」。由圖可知,兩種介電質沿電場方向上下排列,因此兩層介電質形成串聯電容,而不是並聯電容。

平行板面積為

A=WLA=WL

兩層介電質各占板間距的一半,因此每層厚度為

d1=d2=t2.d_1=d_2=\frac{t}{2}.

解題方法

對介電常數分別為 K1K_1、K2K_2 的兩層介電質,個別電容為

C1=K1ϵ0At/2=2K1ϵ0WLt,C_1=\frac{K_1\epsilon_0 A}{t/2} =\frac{2K_1\epsilon_0 WL}{t}, C2=K2ϵ0At/2=2K2ϵ0WLt.C_2=\frac{K_2\epsilon_0 A}{t/2} =\frac{2K_2\epsilon_0 WL}{t}.

由於兩層介電質沿電場方向排列,故採用串聯公式:

1Ceq=1C1+1C2.\frac{1}{C_{\mathrm{eq}}} =\frac{1}{C_1}+\frac{1}{C_2}.

代入 C1C_1 與 C2C_2:

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第 2 題5 分

如圖2,一個複雜球型系統。假設靜電平衡下。半徑為 aa 的絕緣體球帶有總電荷量 QQ (假設球內電荷密度均勻分布),被一個內半徑為 bb,外半徑為 CC 的金屬球殼環繞。假設 a<r<ba < r < b 為真空。求
(a) r<ar < a 時的電場。
(b) a<r<ba < r < b 時的電場。
(c) b<r<cb < r < c 時的電場。
(d) c<rc < r 時的電場。
(e) c<rc < r 處的電荷密度。
(f) 球心處的電位。

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核心觀念

本題利用球對稱性與高斯定律:

∮E⃗⋅dA⃗=Qencε0\oint \vec E\cdot d\vec A=\frac{Q_{\text{enc}}}{\varepsilon_0}

金屬在靜電平衡時,金屬內部電場必為零,因此金屬內表面會感應出抵消中心電荷的電荷。以下採用金屬球殼原本不帶淨電荷的標準假設。

絕緣球半徑為 aa、總電荷為 QQ,且電荷均勻分布,因此

ρ=Q43πa3=3Q4πa3.\rho=\frac{Q}{\frac{4}{3}\pi a^3} =\frac{3Q}{4\pi a^3}.

解題方法

取半徑為 rr 的同心球形高斯面,電場皆沿徑向且大小只與 rr 有關,因此

E(4πr2)=Qencε0.E(4\pi r^2)=\frac{Q_{\text{enc}}}{\varepsilon_0}.

(a) r<ar<a 時的電場

高斯面內所包覆的電荷為

Qenc=ρ(43πr3)=Qr3a3.Q_{\text{enc}}=\rho\left(\frac{4}{3}\pi r^3\right) =Q\frac{r^3}{a^3}.

因此

E(4πr2)=Qr3/a3ε0,E(4\pi r^2) =\frac{Qr^3/a^3}{\varepsilon_0},

得到

E⃗(r)=Q4πε0a3 r r^,r<a.\boxed{\vec E(r)=\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0a^3}\,r\,\hat r}, \qquad r<a.

若 Q>0Q>0,方向向外;若 Q<0Q<0,方向向內。


(b) a<r<ba<r<b 時的電場

此時高斯面已包住整個絕緣球,因此

Qenc=Q.Q_{\text{enc}}=Q.

由高斯定律:

E(4πr2)=Qε0,E(4\pi r^2)=\frac{Q}{\varepsilon_0},

所以

E⃗(r)=Q4πε0r2 r^,a<r<b.\boxed{\vec E(r)=\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0r^2}\,\hat r}, \qquad a<r<b.

(c) b<r<cb<r<c 時的電場

此區域位於金屬球殼內部。靜電平衡時金屬內部不能存在電場,因此

E⃗(r)=0,b<r<c.\boxed{\vec E(r)=0}, \qquad b<r<c.

由此也可求得金屬內表面的感應電荷。取位於金屬內部的高斯面,因為 E=0E=0,故包覆總電荷必須為零:

Q+Qinner=0.Q+Q_{\text{inner}}=0.

因此

Qinner=−Q.Q_{\text{inner}}=-Q.

若金屬球殼原本中性,外表面感應電荷為

Qouter=+Q.Q_{\text{outer}}=+Q.

(d) c<rc<r 時的電場

在金屬球殼外部,高斯面包覆的總電荷為

Q+(−Q)+(+Q)=Q.Q+(-Q)+(+Q)=Q.

因此

E⃗(r)=Q4πε0r2 r^,c<r.\boxed{\vec E(r)=\frac{Q}{4\pi\varepsilon_0r^2}\,\hat r}, \qquad c<r.

外部電場等效於球心放置一個總電荷 QQ 的點電荷所產生的電場。


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第 3 題10 分

目前主流的 Maxwell's equations ∇⃗⋅E⃗=ρeϵ0\vec{\nabla} \cdot \vec{E} = \frac{\rho_e}{\epsilon_0}, ∇⃗⋅B⃗=0\vec{\nabla} \cdot \vec{B} = 0, ∇⃗×E⃗=−∂B⃗∂t\vec{\nabla} \times \vec{E} = -\frac{\partial \vec{B}}{\partial t}, ∇⃗×B⃗=μ0J⃗e+μ0ϵ0∂E⃗∂t\vec{\nabla} \times \vec{B} = \mu_0 \vec{J}_e + \mu_0 \epsilon_0 \frac{\partial \vec{E}}{\partial t}。其中 ρe\rho_e 為電荷, J⃗e\vec{J}_e 為電流。假設這世界存在磁單極 pmp_m,請寫下包含磁單極在內的 Maxwell's equations。

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核心觀念

本題考查 Maxwell 方程組,以及假設存在磁單極後,電場與磁場方程式的對稱化。

原本的 Maxwell 方程組中:

  • 電荷密度 ρe\rho_e 是電場的源;
  • 電流密度 J⃗e\vec{J}_e 是磁場旋度的源;
  • ∇⃗⋅B⃗=0\vec{\nabla}\cdot\vec{B}=0 表示不存在磁單極,磁力線必須形成封閉曲線。

若世界中存在磁單極,其磁荷密度記為 ρm\rho_m,磁流密度記為 J⃗m\vec{J}_m。若單一磁單極的磁荷量為 pmp_m,則可表示為

ρm(r⃗,t)=pmδ(3)(r⃗−r⃗m(t)).\rho_m(\vec r,t)=p_m\delta^{(3)}(\vec r-\vec r_m(t)).

磁單極存在時,磁場可以具有散度;若磁單極移動,也會形成磁流,並在 Faraday 定律中產生額外源項。

解題方法

將原 Maxwell 方程組中的「電荷—電流」結構與「磁荷—磁流」結構對應起來:

  • ρe\rho_e 對應磁荷密度 ρm\rho_m;
  • J⃗e\vec{J}_e 對應磁流密度 J⃗m\vec{J}_m;
  • 原本的 ∇⃗⋅B⃗=0\vec{\nabla}\cdot\vec{B}=0 改為磁荷產生磁場散度;
  • 原本的 Faraday 定律增加磁流密度項。

在 SI 制中,採用磁荷定義使 ρm\rho_m 的單位與電荷密度類似,廣義 Maxwell 方程組為

∇⃗⋅E⃗=ρeϵ0,\vec{\nabla}\cdot\vec{E} = \frac{\rho_e}{\epsilon_0}, ∇⃗⋅B⃗=μ0ρm,\vec{\nabla}\cdot\vec{B} = \mu_0\rho_m, ∇⃗×E⃗=−∂B⃗∂t−μ0J⃗m,\vec{\nabla}\times\vec{E} = -\frac{\partial\vec{B}}{\partial t} -\mu_0\vec{J}_m, ∇⃗×B⃗=μ0J⃗e+μ0ϵ0∂E⃗∂t.\vec{\nabla}\times\vec{B} = \mu_0\vec{J}_e + \mu_0\epsilon_0 \frac{\partial\vec{E}}{\partial t}.

其中:

  • ρe\rho_e:電荷密度;
  • J⃗e\vec{J}_e:電流密度;
  • ρm\rho_m:磁荷密度;
  • J⃗m\vec{J}_m:磁流密度;
  • μ0\mu_0:真空磁導率;
  • ϵ0\epsilon_0:真空電容率。

若磁單極以速度 v⃗m\vec v_m 移動,則其磁流密度為

J⃗m=ρmv⃗m.\vec{J}_m=\rho_m\vec v_m.

因此,單一磁單極 pmp_m 位於 r⃗m(t)\vec r_m(t) 時,

ρm(r⃗,t)=pmδ(3)(r⃗−r⃗m(t)),\rho_m(\vec r,t) = p_m\delta^{(3)}(\vec r-\vec r_m(t)), J⃗m(r⃗,t)=pmv⃗mδ(3)(r⃗−r⃗m(t)).\vec{J}_m(\vec r,t) = p_m\vec v_m \delta^{(3)}(\vec r-\vec r_m(t)).

各方程式的物理意義

電場高斯定律

∇⃗⋅E⃗=ρeϵ0\vec{\nabla}\cdot\vec{E} = \frac{\rho_e}{\epsilon_0}

電荷是電場的源。磁單極的存在不會直接改變此式,因此電場散度仍由電荷密度決定。

磁場高斯定律

原本為

∇⃗⋅B⃗=0.\vec{\nabla}\cdot\vec{B}=0.

存在磁荷後改為

∇⃗⋅B⃗=μ0ρm.\vec{\nabla}\cdot\vec{B} = \mu_0\rho_m.
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第 4 題15 分

假設考慮虎克定律的高階項,即 F(x)=mx¨=−k1x−k2x2F(x) = m\ddot{x} = -k_1x - k_2x^2。請驗證此系統的總能量 E=T(動能)+U(位能)E = T(\text{動能}) + U(\text{位能}) 是否隨時間變化,即 dEdt\frac{dE}{dt} 是否為 0。

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核心觀念

本題考查「保守力與機械能守恆」。

物體受力為

F(x)=mx¨=−k1x−k2x2F(x)=m\ddot{x}=-k_1x-k_2x^2

由於力只與位置 xx 有關,且不顯含時間,因此可定義位能 U(x)U(x):

F(x)=−dUdxF(x)=-\frac{dU}{dx}

動能為

T=12mx˙ 2T=\frac{1}{2}m\dot{x}^{\,2}

總能量定義為

E=T+UE=T+U

必須求出 U(x)U(x),再計算 dEdt\dfrac{dE}{dt}。

解題方法

1. 求位能

由

F(x)=−dUdx=−k1x−k2x2F(x)=-\frac{dU}{dx}=-k_1x-k_2x^2

可得

dUdx=k1x+k2x2\frac{dU}{dx}=k_1x+k_2x^2

對 xx 積分:

U(x)=∫(k1x+k2x2) dxU(x)=\int \left(k_1x+k_2x^2\right)\,dx

因此

U(x)=12k1x2+13k2x3+CU(x)=\frac{1}{2}k_1x^2+\frac{1}{3}k_2x^3+C

其中 CC 是任意位能基準常數,對能量守恆的判斷沒有影響。取 C=0C=0,則

U(x)=12k1x2+13k2x3U(x)=\frac{1}{2}k_1x^2+\frac{1}{3}k_2x^3

所以總能量為

E=12mx˙ 2+12k1x2+13k2x3E=\frac{1}{2}m\dot{x}^{\,2} +\frac{1}{2}k_1x^2 +\frac{1}{3}k_2x^3

2. 直接計算總能量的時間導數

對總能量對時間微分:

dEdt=ddt(12mx˙ 2+12k1x2+13k2x3)\frac{dE}{dt} = \frac{d}{dt} \left( \frac{1}{2}m\dot{x}^{\,2} +\frac{1}{2}k_1x^2 +\frac{1}{3}k_2x^3 \right)

各項分別微分:

ddt(12mx˙ 2)=mx˙x¨\frac{d}{dt}\left(\frac{1}{2}m\dot{x}^{\,2}\right) =m\dot{x}\ddot{x} ddt(12k1x2)=k1xx˙\frac{d}{dt}\left(\frac{1}{2}k_1x^2\right) =k_1x\dot{x} ddt(13k2x3)=k2x2x˙\frac{d}{dt}\left(\frac{1}{3}k_2x^3\right) =k_2x^2\dot{x}

因此

dEdt=mx˙x¨+k1xx˙+k2x2x˙\frac{dE}{dt} = m\dot{x}\ddot{x} +k_1x\dot{x} +k_2x^2\dot{x}

提出 x˙\dot{x}:

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第 5 題20 分

一阻尼震盪系統 x¨+2βx˙+ω02x=0\ddot{x} + 2\beta\dot{x} + \omega_0^2 x = 0, 其中 x˙\dot{x} 為速度, β>0\beta > 0 為阻尼係數, ω0>0\omega_0 > 0 為自然震盪頻率。當 β<ω0\beta < \omega_0 時, 求 x(t)x(t)。

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此題考驗對二階線性齊次微分方程的求解,特別是關於阻尼振動的特徵。

該微分方程為一個二階線性齊次常微分方程,其形式為 x¨+2βx˙+ω02x=0\ddot{x} + 2\beta\dot{x} + \omega_0^2 x = 0。
為了求解此方程,我們假設其解的形式為 x(t)=eλtx(t) = e^{\lambda t}。將此解代入微分方程,得到其特徵方程:
λ2eλt+2βλeλt+ω02eλt=0\lambda^2 e^{\lambda t} + 2\beta \lambda e^{\lambda t} + \omega_0^2 e^{\lambda t} = 0。
由於 eλt≠0e^{\lambda t} \neq 0,我們可以除以 eλte^{\lambda t},得到特徵方程:
λ2+2βλ+ω02=0\lambda^2 + 2\beta\lambda + \omega_0^2 = 0。

我們使用二次方程求根公式來求解 λ\lambda:
λ=−2β±(2β)2−4(1)(ω02)2(1)\lambda = \frac{-2\beta \pm \sqrt{(2\beta)^2 - 4(1)(\omega_0^2)}}{2(1)}
λ=−2β±4β2−4ω022\lambda = \frac{-2\beta \pm \sqrt{4\beta^2 - 4\omega_0^2}}{2}
λ=−2β±2β2−ω022\lambda = \frac{-2\beta \pm 2\sqrt{\beta^2 - \omega_0^2}}{2}
λ=−β±β2−ω02\lambda = -\beta \pm \sqrt{\beta^2 - \omega_0^2}。

題目給出的條件是 β<ω0\beta < \omega_0。這意味著 β2<ω02\beta^2 < \omega_0^2,所以 β2−ω02<0\beta^2 - \omega_0^2 < 0。
因此,根 λ\lambda 是複數。我們可以將根寫成:

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