108 年 國立中山大學電機工程學系碩士班甲組《電子學》

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第 1 題15 分

(15%) We want to analyze the circuit of Fig. 1 to determine the collector voltage VCV_C, collector current ICI_C, and emitter voltage VEV_E. The minimum value of β\beta is specified to be 30.

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核心觀念

本題考查具有射極電阻與基極電阻的 NPN BJT 偏壓分析。使用:

IE=(β+1)IBI_E=(\beta+1)I_B VBE≈0.7 VV_{BE}\approx 0.7\text{ V}

並分別對基極、射極與集極套用歐姆定律。因題目給定最小 β=30\beta=30,計算時取 β=30\beta=30。


解題方法

由圖可知:

  • 基極經 10 kΩ10\,\text{k}\Omega 電阻接地
  • 射極經 10 kΩ10\,\text{k}\Omega 電阻接至 −5 V-5\text{ V}
  • 集極經 1 kΩ1\,\text{k}\Omega 電阻接至 +5 V+5\text{ V}

令基極電流為 IBI_B。

基極電壓為

VB=−IB(10 kΩ)V_B=-I_B(10\,\text{k}\Omega)

由

VE=VB−VBEV_E=V_B-V_{BE}

得

VE=−10 kΩIB−0.7V_E=-10\,\text{k}\Omega I_B-0.7

射極電阻上的電壓為 VE−(−5)=VE+5V_E-(-5)=V_E+5,因此

IE=VE+510 kΩI_E=\frac{V_E+5}{10\,\text{k}\Omega}

又因為 β=30\beta=30,

IE=(β+1)IB=31IBI_E=(\beta+1)I_B=31I_B

代入:

31IB=−10 kΩIB−0.7+510 kΩ31I_B=\frac{-10\,\text{k}\Omega I_B-0.7+5}{10\,\text{k}\Omega}

整理得

31IB=4.3−10 kΩIB10 kΩ31I_B=\frac{4.3-10\,\text{k}\Omega I_B}{10\,\text{k}\Omega} 41IB=4.310 kΩ41I_B= \frac{4.3}{10\,\text{k}\Omega} IB=104.9 μAI_B=104.9\,\mu\text{A}

因此

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第 2 題25 分

(25%) As shown in Fig. 2, a bipolar differential amplifier utilizes a current source (i.e., a single CE transistor Q5) to supply a bias current 240 µA, and current-source loads formed by pnp transistors (Q3 and Q4). For all transistors, β=100\beta = 100 and early voltage VA=10VV_A = 10V. Find (a) gmg_m of Q1Q_1, (b) differential gain AdA_{d}, (c) input resistance of differential mode RidR_{id} and common mode RicmR_{icm}, (d) CMRR(dB) if the two load transistors exhibit a 1% mismatch in their ror_o. Thermal voltage is 25 mV.

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核心觀念

本題考查 BJT 差動放大器的:

  • 尾端電流源造成的偏壓分流
  • BJT 小訊號參數 gmg_m、rπr_\pi、ror_o
  • 差動增益與共模增益
  • 差動模式、共模模式的輸入電阻
  • 負載晶體管 ror_o 不匹配造成的 CMRR 惡化

已知:

IT=240 μA,β=100,VA=10 V,VT=25 mVI_T=240\,\mu\text{A},\qquad \beta=100,\qquad V_A=10\text{ V},\qquad V_T=25\text{ mV}

由於 Q1Q_1、Q2Q_2 對稱,兩者的射極電流各為

IE=IT2=120 μAI_E=\frac{I_T}{2}=120\,\mu\text{A}

因此集極電流為

IC=ββ+1IE=100101(120 μA)=118.8 μAI_C=\frac{\beta}{\beta+1}I_E =\frac{100}{101}(120\,\mu\text{A}) =118.8\,\mu\text{A}

解題方法

(a) Q1Q_1 的跨導 gmg_m

gm=ICVT=118.8 μA25 mV=4.75 mSg_m=\frac{I_C}{V_T} =\frac{118.8\,\mu\text{A}}{25\,\text{mV}} =4.75\,\text{mS}

所以

gm≈4.75 mS\boxed{g_m\approx 4.75\,\text{mS}}

小訊號輸出電阻

Q1Q_1、Q2Q_2、Q3Q_3、Q4Q_4 的集極電流約為 118.8 μA118.8\,\mu\text{A},故

ro=VAIC=10118.8 μA≈84.2 kΩr_o=\frac{V_A}{I_C} =\frac{10}{118.8\,\mu\text{A}} \approx84.2\,\text{k}\Omega

Q5Q_5 的輸出電阻為

ro5=VAIC5=10240 μA=41.7 kΩr_{o5}=\frac{V_A}{I_{C5}} =\frac{10}{240\,\mu\text{A}} =41.7\,\text{k}\Omega

每一側輸出的等效負載為

RL=ro1∥ro3=84.2 kΩ∥84.2 kΩ=42.1 kΩR_L=r_{o1}\parallel r_{o3} =84.2\,\text{k}\Omega\parallel84.2\,\text{k}\Omega =42.1\,\text{k}\Omega

(b) 差動增益 AdA_d

差動輸入定義為

vid=vi1−vi2v_{id}=v_{i1}-v_{i2}

在純差動操作下,尾端節點為交流虛接地,因此每一側的輸入訊號為 ±vid/2\pm v_{id}/2。

單端輸出增益為

vo1vid=−gmRL2\frac{v_{o1}}{v_{id}} =-\frac{g_mR_L}{2}

若差動輸出定義為

vod=vo1−vo2v_{od}=v_{o1}-v_{o2}

則差動增益為

Ad=vodvid=gmRLA_d=\frac{v_{od}}{v_{id}} =g_mR_L

代入數值:

Ad=(4.75 mS)(42.1 kΩ)≈200A_d=(4.75\,\text{mS})(42.1\,\text{k}\Omega) \approx200

因此

Ad≈200 V/V\boxed{A_d\approx200\ \text{V/V}}

若題目採用單端輸出定義,則單端差動增益為

Ad,single≈−100 V/V\boxed{A_{d,\text{single}}\approx-100\ \text{V/V}}

(c) 差動模式與共模模式輸入電阻

差動模式輸入電阻 RidR_{id}

rπ=βgm=1004.75 mS≈21.0 kΩr_\pi=\frac{\beta}{g_m} =\frac{100}{4.75\,\text{mS}} \approx21.0\,\text{k}\Omega

差動輸入時,兩個 rπr_\pi 串聯,因此

Rid=2rπ=2(21.0 kΩ)≈42.1 kΩR_{id}=2r_\pi =2(21.0\,\text{k}\Omega) \approx42.1\,\text{k}\Omega

所以

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第 3 題30 分

(30%) A MOSFET differential amplifier as shown in Fig. 3 is biased with a current I=1mAI = 1 mA. The transistors Q1Q_1 and Q2Q_2 have W/L=100W/L = 100, μnCox=0.25 mA/V2\mu_n C_{ox} = 0.25 \, mA/V^2, VA=20VV_A = 20 V, Cgs=60fFC_{gs} = 60 fF, Cgd=15fFC_{gd} = 15 fF, and Cdb=15fFC_{db} = 15 fF. The drain resistors RDR_D are 5kΩ5 k\Omega each. Rss=25kΩR_{ss} = 25 k\Omega. Also, there is a 100−fF100-fF capacitive load between each drain and ground. (a) Find the overdrive voltage VovV_{ov} and gmg_m of Q1Q_1. (b) Find the differential gain AdA_d and common mode gain AicmA_{icm} if the drain resistors have 1% mismatch. (c) If the input signal source has a small resistance RsigR_{sig} and thus the frequency response is determined primarily by the output pole, estimate the 3-dB frequency fHf_H. (d) If, in a different situation, the amplifier is fed symmetrically with a signal source of 20kΩ20 k\Omega resistance (i.e., 10kΩ10 k\Omega in series with each gate terminal), use the open-circuit time-constants method to estimate fHf_H.

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核心觀念

本題考查 MOSFET 差動放大器的:

  • 靜態工作點與過驅電壓 VovV_{ov}
  • 跨導 gmg_m 與輸出電阻 ror_o
  • 差動增益與共模增益
  • 汲極電阻失配造成的共模抑制能力下降
  • 由輸出端極點估算高頻截止頻率
  • 開路時間常數法(open-circuit time-constants method)

由尾電流源提供總電流 I=1 mAI=1\,\text{mA},平衡時

ID1=ID2=I2=0.5 mAI_{D1}=I_{D2}=\frac{I}{2}=0.5\,\text{mA}

MOSFET 的有效製程參數為

μnCoxWL=0.25×100=25 mA/V2\mu_n C_{ox}\frac WL = 0.25\times 100 = 25\,\text{mA/V}^2

(a) 求 VovV_{ov} 與 gmg_m

過驅電壓

忽略通道長度調變時,

ID=12μnCoxWLVov2I_D=\frac12\mu_n C_{ox}\frac WL V_{ov}^2

因此

Vov=2IDμnCox(W/L)V_{ov} = \sqrt{\frac{2I_D}{\mu_n C_{ox}(W/L)}}

代入 ID=0.5 mAI_D=0.5\,\text{mA}:

Vov=2(0.5 mA)25 mA/V2=0.04=0.2 VV_{ov} = \sqrt{\frac{2(0.5\,\text{mA})}{25\,\text{mA/V}^2}} = \sqrt{0.04} = 0.2\,\text{V}

跨導

gm=2IDVovg_m=\frac{2I_D}{V_{ov}}

所以

gm=2(0.5 mA)0.2 V=5 mSg_m = \frac{2(0.5\,\text{mA})}{0.2\,\text{V}} = 5\,\text{mS}

另外,後續高頻與增益計算需要使用 Q1Q_1 的輸出電阻:

ro=VAID=20 V0.5 mA=40 kΩr_o=\frac{V_A}{I_D} = \frac{20\,\text{V}}{0.5\,\text{mA}} = 40\,\text{k}\Omega

(b) 求差動增益 AdA_d 與共模增益 AicmA_{icm}

差動增益 AdA_d

差動輸入時,尾端公共源極為交流虛地,因此每一側的輸出電阻為

Rout=RD∥ro=5 kΩ∥40 kΩR_{\text{out}} = R_D\parallel r_o = 5\,\text{k}\Omega\parallel40\,\text{k}\Omega Rout=(5)(40)5+40 kΩ=4.444 kΩR_{\text{out}} = \frac{(5)(40)}{5+40}\,\text{k}\Omega = 4.444\,\text{k}\Omega

若定義

vid=vi1−vi2,vod=vo1−vo2v_{id}=v_{i1}-v_{i2}, \qquad v_{od}=v_{o1}-v_{o2}

則差動增益為

Ad=vodvid=−gm(RD∥ro)A_d=\frac{v_{od}}{v_{id}} = -g_m(R_D\parallel r_o)

因此

Ad=−(5 mS)(4.444 kΩ)≈−22.2 V/VA_d = -(5\,\text{mS})(4.444\,\text{k}\Omega) \approx -22.2\,\text{V/V}

負號表示差動輸入增加時,對應輸出差動電壓反向變化。


共模增益 AicmA_{icm}

兩個汲極電阻有 1%1\% 失配,故其差值取為

ΔRD=0.01RD=0.01(5 kΩ)=50 Ω\Delta R_D=0.01R_D = 0.01(5\,\text{k}\Omega) = 50\,\Omega

共模輸入時,尾端電阻 RssR_{ss} 會造成源極退化。考慮 ror_o 後,每一支 MOSFET 的共模小訊號電流為

id=gmvicm1+RDro+2Rss(gm+1ro)i_d = \frac{g_m v_{icm}} {1+\dfrac{R_D}{r_o} +2R_{ss}\left(g_m+\dfrac1{r_o}\right)}

代入數值:

1+RDro=1+5 kΩ40 kΩ=1.1251+\frac{R_D}{r_o} = 1+\frac{5\,\text{k}\Omega}{40\,\text{k}\Omega} = 1.125 2Rss(gm+1ro)=2(25 kΩ)(5 mS+140 kΩ)=251.252R_{ss}\left(g_m+\frac1{r_o}\right) = 2(25\,\text{k}\Omega) \left( 5\,\text{mS}+\frac1{40\,\text{k}\Omega} \right) = 251.25

所以分母為

D=1.125+251.25=252.375D=1.125+251.25=252.375

由電阻失配所造成的差動輸出為

vod≈−idΔRDv_{od}\approx-i_d\Delta R_D

故

Aicm=−gmΔRDDA_{icm} = -\frac{g_m\Delta R_D}{D} Aicm=−(5 mS)(50 Ω)252.375≈−9.91×10−4 V/VA_{icm} = -\frac{(5\,\text{mS})(50\,\Omega)} {252.375} \approx -9.91\times10^{-4}\,\text{V/V}

因此共模增益的量值約為

∣Aicm∣≈0.001 V/V|A_{icm}|\approx 0.001\,\text{V/V}

(c) 由輸出極點估算 fHf_H

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第 4 題30 分

(30%) Consider a bipolar active-loaded CE amplifier having the load current source implemented with a pnp transistor. Let the circuit be operating at a 1-mA bias current. The transistors are specified as follows: β(npn)=200\beta(npn) = 200, early voltage VAN=150VV_{AN} = 150 V, VAP=100VV_{AP} = 100 V, Cπ=15pFC_{\pi} = 15 pF, Cμ=0.4pFC_{\mu} = 0.4 pF, CL=5pFC_L = 5 pF, and base resistance rx=200Ωr_x = 200 \Omega. The amplifier is fed with a signal source having a resistance of 30kΩ30 k\Omega. Determine (a) midband gain AMA_M, (b) input capacitor CinC_{in} and high-frequency response fHf_H using the Miller effect, (c) fHf_H using open-circuit time constants, (d) the frequency of the transmission zero fzf_z, and (e) the gain-bandwidth product. Thermal voltage is 25 mV.

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核心觀念

本題考查雙極性接面電晶體(BJT)主動負載共射極(CE)放大器的中頻小訊號分析與高頻響應分析。涉及的核心觀念包含:

  1. BJT 小訊號模型與參數計算:

    • 互導:gm=ICVTg_m = \frac{I_C}{V_T}
    • 輸入電阻:rπ=βgmr_\pi = \frac{\beta}{g_m}
    • 輸出電阻:ro=VAICr_o = \frac{V_A}{I_C}
    • 包含基極雜散電阻 rxr_x 的混合 π\pi 模型(Hybrid-π\pi Model)。
  2. 主動負載(Active Load)等效輸出電阻:

    • PNP 主動負載提供電流源偏壓,小訊號等效電阻為 roPr_{oP}。
    • 放大器輸出端總等效電阻為 RL′=roN∥roPR'_L = r_{oN} \parallel r_{oP}。
  3. 中頻電壓增益(Midband Gain, AMA_M):

    • AM=vovsig=(vb′vsig)(vovb′)A_M = \frac{v_o}{v_{sig}} = \left(\frac{v_{b'}}{v_{sig}}\right) \left(\frac{v_o}{v_{b'}}\right),需考量訊號源內阻 RsigR_{sig} 與基極電阻 rxr_x 的分壓效應。
  4. 密勒效應(Miller's Theorem / Miller Effect):

    • 將跨接於內部基極 B′B' 與集極 CC 間的電容 CμC_\mu 等效分解至輸入端:CM=Cμ(1−K)C_M = C_\mu (1 - K),其中 K=vovb′=−gmRL′K = \frac{v_o}{v_{b'}} = -g_m R'_L。
    • 總等效輸入電容為 Cin=Cπ+CMC_{in} = C_\pi + C_M。
    • 輸入主極點決定之高頻截止頻率:fH≈12πRin′Cinf_H \approx \frac{1}{2\pi R_{in}' C_{in}}。
  5. 開路時間常數法(Open-Circuit Time-Constant Method, OCTC):

    • 估算高頻 3-dB 截止頻率:τH=∑τi=CπRπ0+CμRμ0+CLRL0\tau_H = \sum \tau_i = C_\pi R_{\pi 0} + C_\mu R_{\mu 0} + C_L R_{L0},其中 fH=12πτHf_H = \frac{1}{2\pi \tau_H}。
    • 跨接電容之開路電阻公式:Rμ0=Rπ0+RL0+gmRπ0RL0R_{\mu 0} = R_{\pi 0} + R_{L0} + g_m R_{\pi 0} R_{L0}。
  6. 高頻傳輸零點(Transmission Zero):

    • 由 CμC_\mu 前向饋通(Feedforward)路徑所造成的右半平面零點(RHP Zero):sz=+gmCμs_z = +\frac{g_m}{C_\mu},即 fz=gm2πCμf_z = \frac{g_m}{2\pi C_\mu}。
  7. 增益頻寬積(Gain-Bandwidth Product, GBW):

    • GBW=∣AM∣×fH\text{GBW} = |A_M| \times f_H。

解題方法與詳細推導

步驟 0:計算 BJT 小訊號參數

已知偏壓電流 IC=1 mAI_C = 1\text{ mA},VT=25 mVV_T = 25\text{ mV}:

  • 互導:
    gm=ICVT=1 mA25 mV=40 mA/V=0.04 Ω−1g_m = \frac{I_C}{V_T} = \frac{1\text{ mA}}{25\text{ mV}} = 40\text{ mA/V} = 0.04\ \Omega^{-1}
  • 內部輸入電阻:
    rπ=βgm=20040 mA/V=5 kΩr_\pi = \frac{\beta}{g_m} = \frac{200}{40\text{ mA/V}} = 5\text{ k}\Omega
  • NPN 電晶體輸出電阻:
    roN=VANIC=150 V1 mA=150 kΩr_{oN} = \frac{V_{AN}}{I_C} = \frac{150\text{ V}}{1\text{ mA}} = 150\text{ k}\Omega
  • PNP 主動負載電晶體輸出電阻:
    roP=VAPIC=100 V1 mA=100 kΩr_{oP} = \frac{V_{AP}}{I_C} = \frac{100\text{ V}}{1\text{ mA}} = 100\text{ k}\Omega
  • 輸出端小訊號總負載電阻:
    RL′=roN∥roP=150 kΩ∥100 kΩ=150×100150+100 kΩ=60 kΩR'_L = r_{oN} \parallel r_{oP} = 150\text{ k}\Omega \parallel 100\text{ k}\Omega = \frac{150 \times 100}{150 + 100}\text{ k}\Omega = 60\text{ k}\Omega

(a) 中頻增益 AMA_M

定義內部基極節點為 B′B',內部射極為 EE(接地):

  1. 內部基極至輸出端之電壓增益 Av′A_v':
    Av′=vovb′=−gmRL′=−40 mA/V×60 kΩ=−2400 V/VA_v' = \frac{v_o}{v_{b'}} = -g_m R'_L = -40\text{ mA/V} \times 60\text{ k}\Omega = -2400\text{ V/V}

  2. 訊號源 vsigv_{sig} 至內部基極 vb′v_{b'} 的分壓比:
    輸入迴路串聯電阻為 Rsig′=Rsig+rx=30 kΩ+0.2 kΩ=30.2 kΩR'_{sig} = R_{sig} + r_x = 30\text{ k}\Omega + 0.2\text{ k}\Omega = 30.2\text{ k}\Omega。
    vb′vsig=rπRsig+rx+rπ=5 kΩ30.2 kΩ+5 kΩ=535.2≈0.14205\frac{v_{b'}}{v_{sig}} = \frac{r_\pi}{R_{sig} + r_x + r_\pi} = \frac{5\text{ k}\Omega}{30.2\text{ k}\Omega + 5\text{ k}\Omega} = \frac{5}{35.2} \approx 0.14205

  3. 整體中頻電壓增益 AMA_M:
    AM=vovsig=(vb′vsig)×Av′=535.2×(−2400)=−1200035.2≈−340.91 V/VA_M = \frac{v_o}{v_{sig}} = \left(\frac{v_{b'}}{v_{sig}}\right) \times A_v' = \frac{5}{35.2} \times (-2400) = -\frac{12000}{35.2} \approx -340.91\text{ V/V}
    其增益大小 ∣AM∣≈340.91 V/V|A_M| \approx 340.91\text{ V/V}(或約 50.65 dB50.65\text{ dB})。


(b) 利用密勒效應求等效輸入電容 CinC_{in} 及高頻響應 fHf_H

  1. 密勒等效電容 CMC_M:
    跨接在內部基極 B′B' 與輸出端之間的電容為 Cμ=0.4 pFC_\mu = 0.4\text{ pF},其兩端增益為 K=Av′=−2400K = A_v' = -2400。
    CM=Cμ(1−K)=0.4 pF×[1−(−2400)]=0.4 pF×2401=960.4 pFC_M = C_\mu (1 - K) = 0.4\text{ pF} \times [1 - (-2400)] = 0.4\text{ pF} \times 2401 = 960.4\text{ pF}

  2. 總等效輸入電容 CinC_{in}(並聯於 rπr_\pi 兩端):
    Cin=Cπ+CM=15 pF+960.4 pF=975.4 pFC_{in} = C_\pi + C_M = 15\text{ pF} + 960.4\text{ pF} = 975.4\text{ pF}

  3. 輸入迴路等效電阻 Rin′R_{in}':

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