109 年 國立臺灣大學材料科學與工程學系國際應用材料工程碩士班《材料工程學》

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第 1 題

  1. True & False (15%)
    (a) In general, there is no long range ordering in amorphous materials.
    (b) Superalloy needs ultrafine grains to achieve very high strength at high temperature.
    (c) Graphite is conductive but graphene is insulator.
    (d) Eutectoid point has zero degree of free in binary phase diagram at constant pressure.
    (e) It is harder to cross slip for dislocations in materials with lower stacking fault energy.

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這一題的完整詳解

這題考驗對材料科學基本概念的理解,涵蓋非晶質材料、金屬材料強度、碳的同素異形體、相圖以及位錯行為。

(a) True。非晶質材料(Amorphous materials)的原子排列是無長程有序(no long range ordering)的,但可能存在短程有序。
(b) False。Superalloy 在高溫下維持強度的關鍵通常不是依靠極細的晶粒,因為細晶粒在高溫下容易發生晶界滑動(grain boundary sliding),反而降低高溫強度。Superalloy 的高溫強度主要來自固溶強化、沉澱硬化(例如 γ′\gamma' 相)、晶界強化(透過添加硼、鋯等元素)以及晶格畸變等機制。
(c) False。石墨(Graphite)是由 sp2 混成軌域的碳原子組成的層狀結構,層間電子可以自由移動,因此具有導電性。石墨烯(Graphene)也是由 sp2 混成軌域的碳原子組成的單層結構,其導電性比石墨更優異,具有高載子遷移率,是優良的導體,而非絕緣體。
(d) True。在二元相圖(binary phase diagram)中,共析點(eutectoid point)是固相轉變為兩種不同固相的最低溫度點。

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第 2 題20 分

  1. Steels (20%)
    (a) Please plot Fe-Fe3C phase diagram. (8%)
    (b) Please define eutectoid point in the phase diagram. (3%)
    (c) Please define martensitic transformation in the phase diagram. (3%)
    (d) Explain how to produce ferrite-martensite dual-phase steel by using Fe-0.2C (in wt.%) alloy. The phase constituents are about 70 wt.% ferrite and 30 wt. %martensite. (6%)

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這一題的完整詳解

這題主要考驗對鋼鐵(Fe-Fe3C)相圖的理解,包括相區、重要轉變點的定義,以及如何透過熱處理來獲得特定微結構。

(a) Fe-Fe3C 相圖繪製:
Fe-Fe3C 相圖是描述鐵(Fe)與碳(C)在不同溫度和組成下的平衡相。以下是繪製該相圖的關鍵點和區域:

  • 橫軸:碳的重量百分比(wt.% C),範圍約從 0 到 4.3 wt.% C(共晶點)。
  • 縱軸:溫度(°C)。
  • 重要相區:
    • δ\delta-ferrite: 高溫下的體心立方(BCC)結構,存在於約 1394°C 至 1538°C。
    • Austenite (γ\gamma): 面心立方(FCC)結構,在約 727°C 至 1394°C 之間是穩定的,碳溶解度最高。
    • Ferrite (α\alpha): 低溫下的體心立方(BCC)結構,碳溶解度極低。
    • Cementite (Fe3C): 化學計量化合物,約含 6.67 wt.% C,是硬且脆的相。
  • 重要轉變點:
    • A3 線:純鐵熔點 1538°C 以下,δ\delta-ferrite 轉變為 γ\gamma-austenite 的溫度線。
    • A2 線:居里溫度,約 770°C,鐵磁性轉變溫度,不影響相結構。
    • A1 線(共析溫度):727°C,在此溫度下,奧氏體(Austenite)發生共析反應,轉變為肥粒鐵(Ferrite)和雪明碳鐵(Cementite)的混合物,稱為波來鐵(Pearlite)。
    • Acm 線:在共晶點右側,奧氏體與雪明碳鐵平衡的溫度線。
    • 共晶點 (Eutectic point):約 1148°C,4.3 wt.% C,液相(L)轉變為奧氏體(γ\gamma)和雪明碳鐵(Fe3C)。
    • 共析點 (Eutectoid point):727°C,0.76 wt.% C,奧氏體(γ\gamma)轉變為肥粒鐵(α\alpha)和雪明碳鐵(Fe3C)。
    • Peritectic 點:約 1495°C,0.53 wt.% C,液相(L)與 δ\delta-ferrite 反應生成奧氏體(γ\gamma)。

繪製提示:

  1. 標示出溫度和碳含量軸。
  2. 畫出各個相區的輪廓,注意相變溫度和組成。
  3. 標示出重要的水平線(共晶、共析)和傾斜線(A3, Acm)。
  4. 標示出重要的轉變點(共晶點、共析點、過渡點)。
  5. Fe3C 的組成是固定的 6.67 wt.% C。

🖼️【此處有附圖,請對照原卷】(請參閱原卷,此處無法顯示相圖)

(b) Eutectoid point definition:
共析點(Eutectoid point)是二元相圖中的一個特殊點,在此點,一種固相(例如奧氏體 γ\gamma)在特定溫度(共析溫度)下,不經過液相,直接轉變為兩種不同的固相(例如肥粒鐵 α\alpha 和雪明碳鐵 Fe3C)。在 Fe-Fe3C 相圖中,共析點位於 727°C 和 0.76 wt.% C。

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第 3 題10 分

  1. Aluminum Alloys (10%)
    (a) What are three major strengthening mechanism in aluminum alloys? (5%)
    (b) What is Orawan mechanism? (3%)
    (c) What is G-P zone? (2%)

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這題主要考驗對鋁合金強化機制的了解,包括常見的強化方式、特定的強化機制以及沉澱物。

(a) Three major strengthening mechanisms in aluminum alloys:
鋁合金的強化機制主要有以下三種:

  1. 固溶強化 (Solid Solution Strengthening):將其他合金元素(如 Cu, Mg, Si, Zn)溶解到鋁基體中,形成固溶體。這些溶質原子會引起鋁基體晶格的畸變,阻礙位錯的移動,從而提高材料的強度和硬度。
  2. 沉澱硬化 (Precipitation Hardening / Age Hardening):這是鋁合金最重要的強化機制之一。通過熱處理(固溶處理 + 淬火 + 時效處理),在鋁基體中析出細小的、彌散分布的第二相沉澱物(precipitates)。這些沉澱物對位錯的運動產生強烈的阻礙作用,顯著提高材料的強度和硬度。常見的沉澱物包括 Al2Cu (θ\theta 相), Al2Mg3Si3 (S′\text{S}' 相), Mg2Si 等。
  3. 晶粒細化強化 (Grain Refinement Strengthening):雖然鋁合金通常比鋼更容易變形,但在某些情況下,細化晶粒(例如通過鍛造、軋制等加工工藝)可以提高強度。根據 Hall-Petch 關係式 (σy=σ0+kyd−1/2\sigma_y = \sigma_0 + k_y d^{-1/2}),晶粒尺寸 dd 越小,屈服強度 σy\sigma_y 越高。這主要是因為晶界可以作為位錯運動的屏障。

(b) Orawan mechanism:
「Orawan mechanism」並非鋁合金領域中一個廣泛認可或標準的強化機制名稱。在材料科學文獻中,通常沒有直接對應「Orawan mechanism」的術語。這可能是一個特定研究團隊或論文中使用的術語,或者是一個誤稱。

  • 推測的可能性:
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第 4 題10 分

  1. Materials Applications (10%)
    What is Sol-Gel? Please explain the process and its application.

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這題考驗對 Sol-Gel 製程的理解,包括其基本原理、製備過程以及在材料科學中的應用。

Sol-Gel:
Sol-Gel 是一種在溶液中製備無機材料(如氧化物、陶瓷)的化學濕法製程(wet chemical process)。它利用金屬醇鹽(metal alkoxides)或無機鹽類作為前驅物(precursors),在溶液中通過水解(hydrolysis)和縮合(condensation)反應,形成兩種膠體形態:溶膠(sol)和凝膠(gel)。

  • 溶膠 (Sol):指由分散在液體中的奈米級固體顆粒形成的穩定分散體。
  • 凝膠 (Gel):指溶膠中的固體顆粒通過化學鍵或物理吸附連接,形成連續的三維網絡結構,並將溶劑(通常是水或有機溶劑)吸附在網絡孔隙中,呈現出固態或半固態的狀態。

製程 (Process):
Sol-Gel 製程通常包含以下幾個主要步驟:

  1. 水解 (Hydrolysis):前驅物(如金屬醇鹽 M(OR)nM(OR)_n)在水和催化劑(酸或鹼)的存在下發生水解反應,醇鹽中的烷氧基(-OR)被羥基(-OH)取代,形成金屬羥基化物或水合物。
    • 例如:M(OR)n+nH2O→catalystM(OH)n+nROHM(OR)_n + nH_2O \xrightarrow{catalyst} M(OH)_n + nROH
  2. 縮合 (Condensation):水解產生的金屬羥基化物或水合物之間發生縮合反應,形成 M-O-M 鍵(氧化物網絡)並釋放出水分子或醇分子。
    • 例如:M(OH)n+M(OH)n→(HO)n−1M−O−M(OH)n−1+H2OM(OH)_n + M(OH)_n \rightarrow (HO)_{n-1}M-O-M(OH)_{n-1} + H_2O (生成 M-O-M 鍵)
    • 或 M(OH)n+M(OR)n→(HO)n−1M−O−M(OR)n−1+ROHM(OH)_n + M(OR)_n \rightarrow (HO)_{n-1}M-O-M(OR)_{n-1} + ROH (生成 M-O-M 鍵)
      這兩個反應(水解和縮合)會持續進行,使分散的奈米顆粒逐漸連接成網絡結構,最終形成凝膠。
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第 5 題10 分

  1. Functional Materials (10%)
    (a) List the differences between Si-based and GaN-based semiconductors.(6%)
    (b) List the differences between Si-based and GaN-based solar cells. (4%)

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這題考驗對半導體材料(特別是矽和氮化鎵)及其在太陽能電池應用中的比較。

(a) Differences between Si-based and GaN-based semiconductors:
矽(Si)是目前最廣泛使用的半導體材料,而氮化鎵(GaN)是新興的寬能隙半導體材料。它們之間存在顯著差異:

特徵Si-based Semiconductors (矽基半導體)GaN-based Semiconductors (氮化鎵基半導體)
能隙 (Band Gap)窄能隙(直接/間接),約 1.1 eV (間接能隙)寬能隙(直接),約 3.4 eV (Wurtzite 結構)
載子遷移率電子遷移率中等,空穴遷移率較低電子遷移率極高(約為 Si 的數倍)
擊穿電壓較低極高
導熱性中等較差(但比其他 III-V 族化合物半導體好)
工作溫度工作溫度範圍相對較窄,高溫下性能下降明顯可在高溫、高功率、高頻率環境下工作
發光特性間接能隙,發光效率低,不適合高效發光器件直接寬能隙,適合高效發光,是製造藍光、綠光、紫外 LED 和雷射器的關鍵材料
製造工藝成熟的 CMOS 工藝,成本較低,晶圓尺寸大工藝較複雜,高溫高壓製程,成本較高,晶圓尺寸較小(通常使用藍寶石或碳化矽襯底)
應用領域微處理器、記憶體、傳統功率器件、太陽能電池(效率較低)高頻器件、高功率器件、LED(藍光、綠光、紫外)、雷射器、高溫電子學、某些太陽能電池
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第 6 題10 分

  1. Polymer Science (10%)
    The Figure 1 below shows the analysis of differential scanning calorimetry (DSC)
    measured for polylactic acid (PLA).
    (a) Please explain the physical meanings of the following temperature: 57.5 °C,
    118.0 °C, and 153.5/158.8 °C. (5%)
    (b)Moreover, why is there temperature splitting at 153.5/158.8 °C.(5%)
    🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 2 頁

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這一題的完整詳解

這題考驗對差示掃描量熱法(DSC)在聚合物分析中的應用,特別是關於聚乳酸(PLA)的熱行為。

DSC 曲線解釋:
DSC 測量樣品在溫度變化過程中與參考樣品之間的熱流差。對於聚合物,DSC 曲線上的峰值或基線變化通常對應於材料的熱轉變,如玻璃轉變、熔融、結晶等。

(a) Physical meanings of the temperatures:
圖 1 顯示了聚乳酸(PLA)的 DSC 曲線,其中包含數個重要的熱事件:

  • 57.5 °C:此溫度點在 DSC 曲線中表現為一個吸熱峰(熱流向負值)。這通常代表 PLA 的玻璃轉變 (Glass Transition, Tg)。玻璃轉變是無定形聚合物從硬、脆的玻璃態轉變為較軟、有彈性的橡膠態的過程。在這個溫度範圍內,聚合物鏈段開始獲得活動能力,分子運動增強,導致比熱容增加,在 DSC 曲線中表現為基線的移動或一個寬的吸熱峰。 PLA 的玻璃轉變溫度 Tg 通常在 50-65 °C 之間,57.5 °C 是一個典型的 PLA 的 Tg 值。
  • 118.0 °C:此溫度點在 DSC 曲線中表現為一個放熱峰(熱流向正值)。這通常代表 PLA 的結晶 (Crystallization)。PLA 是一種半結晶性聚合物,在玻璃轉變溫度以上,如果給予足夠的時間和溫度,其無定形區域的鏈段可以重新排列,形成有序的晶體結構。這個過程會釋放結晶潛熱,在 DSC 曲線中表現為一個放熱峰。118.0 °C 是 PLA 在此特定實驗條件下觀察到的結晶峰溫度。
  • 153.5/158.8 °C:這兩個溫度點都與一個較大的吸熱峰有關。這個吸熱峰代表 PLA 的熔融 (Melting, Tm)。當聚合物被加熱到其熔點以上時,晶體結構被破壞,聚合物從固態轉變為液態,這個過程需要吸收熔融潛熱,在 DSC 曲線中表現為一個吸熱峰。153.5 °C 和 158.8 °C 是熔融峰的兩個可能溫度,它們的出現和分裂(見 (b))與 PLA 的晶體結構、結晶度、分子量分布以及熱處理歷史有關。

(b) Temperature splitting at 153.5/158.8 °C:
熔融峰在 153.5 °C 和 158.8 °C 出現分裂(或一個寬的、有肩部的峰)是 PLA 熔融行為中一種常見的現象,通常與以下幾個因素有關:

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第 7 題5 分

  1. Energy Materials (5%)
    What is Organic-Inorganic Perovskite? Please explain its crystal structure,
    process, and applications.

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這題考驗對有機-無機鈣鈦礦(Organic-Inorganic Perovskite)材料的理解,包括其結構、製備和應用。

有機-無機鈣鈦礦 (Organic-Inorganic Perovskite):
有機-無機鈣鈦礦是一類具有鈣鈦礦(perovskite)結構的化合物,其化學通式通常為 ABX3ABX_3。在這類材料中,A 位陽離子通常是較大的有機陽離子(如甲基銨 CH3NH3+\text{CH}_3\text{NH}_3^+,簡稱 MA+^+;甲乙銨 CH3CH2NH3+\text{CH}_3\text{CH}_2\text{NH}_3^+,簡稱 EA+^+;或二價陽離子如甲脒銨 HC(NH2)2+\text{HC}(\text{NH}_2)_2^+,簡稱 FA+^+),B 位陽離子是較小的金屬陽離子(如鉛 Pb2+^{2+} 或錫 Sn2+^{2+}),X 位是陰離子(通常是鹵素離子,如碘 I−\text{I}^-,溴 Br−\text{Br}^-,或氯 Cl−\text{Cl}^-)。

晶體結構 (Crystal Structure):
典型的鈣鈦礦結構是立方晶系(或類立方晶系),其中 B 位陽離子(如 Pb2+^{2+})位於立方體的中心,X 位陰離子(如 I−\text{I}^-)位於立方體的六個面上,形成一個八面體籠,而較大的 A 位有機陽離子(如 MA+^+)則位於立方體的頂角。

  • 八面體單元:[BX6][BX_6] 八面體共角連接,形成一個三維網絡。
  • A 位陽離子:填充在八面體網絡形成的空隙中。
  • 理想立方鈣鈦礦結構:空間群 Pm3ˉmPm\bar{3}m。
  • 實際結構:由於有機陽離子的尺寸和形狀,以及 B 位金屬離子和 X 位陰離子的偏轉,實際的結構可能為四方(tetragonal)、斜方(orthorhombic)或三方(rhombohedral)晶系,尤其是在較低溫度下。

製程 (Process):
有機-無機鈣鈦礦材料的製備方法多樣,常見的有:

  1. 溶液法 (Solution Processing):這是最常用且成本最低的方法。
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第 8 題5 分

  1. Characterizations (5%)
    Can one precisely determine the chemical composition of CoCrFeMnNi high-
    entropy alloy by using X-ray energy-dispersive spectrum? Why?

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這題考驗對 X 射線能量分散光譜儀(EDS/EDX)在材料成分分析中的應用和局限性,特別是針對高熵合金。

X 射線能量分散光譜儀 (X-ray Energy-Dispersive Spectrometer, EDS/EDX):
EDS 是一種用於材料表面元素分析的技術。當高能電子束(在掃描電子顯微鏡 SEM 或穿透式電子顯微鏡 TEM 中)轟擊樣品時,會激發樣品中的原子發出特徵性的二次 X 射線。EDS 探測器可以測量這些 X 射線的能量,並將能量與特定的元素相關聯,從而識別樣品中存在的元素。通過分析 X 射線的強度,可以估算出各種元素的含量(即化學成分)。

分析 CoCrFeMnNi 高熵合金的化學成分:
CoCrFeMnNi 高熵合金(也稱為 HEA 或 Cantor alloy)是由五種等原子比(或接近等原子比)的元素(鈷 Co, 鉻 Cr, 鐵 Fe, 錳 Mn, 鎳 Ni)組成的合金。

能否精確測定?
可以,但存在一定的局限性,可能無法達到「極度精確」的程度。

原因分析:

  1. 元素識別:Co, Cr, Fe, Mn, Ni 這五種元素都具有獨特的 X 射線譜峰,它們的能量差異足夠大,EDS 可以清晰地識別出這些元素的存在。
  2. 定量分析的準確性 (Quantification Accuracy):
    • 標準樣品 (Standard Samples):要進行精確的定量分析,通常需要使用具有已知成分的標準樣品進行校準。對於 CoCrFeMnNi 這種特定成分的合金,如果沒有完全相同的標準樣品,則需要使用單元素標準品或具有類似物理性質的標準品進行校準。
    • 峰重疊 (Peak Overlap):雖然這五種元素的譜峰相對分開,但在某些情況下,它們的 Kα 或 Lα 譜線可能會發生一定程度的重疊,特別是當元素含量較高或能量分辨率不足時。這會影響定量計算的準確性。
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第 9 題15 分

  1. Ceramics (15%)
    If we consider two spherical grains that are in contact during a sintering process
    (Figure 2), we see that at the surface of the two grains the radius of curvature is R
    (convex) while at the bridge connection between the two spheres the radius of
    curvature is r (concave). The pressure difference between convex and concave
    surfaces is ΔΡ.
    (a) Please derive AP is proportional to (R+r)/Rr, and (10%)
    (b) Which side in materials can have higher concentration of vacancy, convex or
    concave? Why? (5%)
    🖼️【此處有附圖,請對照原卷】
🖼️ 本題含圖表,以下為原卷對應頁面:
原卷第 3 頁

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這題考驗對陶瓷燒結過程中表面張力、曲率和空位濃度的理解,這與材料的緻密化和燒結動力學密切相關。

(a) Derivation of ΔP∝R+rRr\Delta P \propto \frac{R+r}{Rr}:
這個問題涉及到楊-拉普拉斯方程(Young-Laplace equation),它描述了彎曲表面兩側的壓力差與表面張力及曲率的關係。

楊-拉普拉斯方程:
對於一個具有主曲率 k1k_1 和 k2k_2 的彎曲表面,其兩側的壓力差 ΔP\Delta P 由下式給出:
ΔP=γ(1R1+1R2)\Delta P = \gamma (\frac{1}{R_1} + \frac{1}{R_2})
其中:

  • ΔP\Delta P 是壓力差。
  • γ\gamma 是表面張力(或固體中的表面能,在燒結中更常用表面能 γs\gamma_s)。
  • R1R_1 和 R2R_2 是表面的兩個主曲率半徑。

在燒結過程中,我們考慮兩個接觸的球形顆粒。

  • 凸面 (Convex Surface):顆粒的外部表面是凸的,其曲率半徑為 RR。對於一個球體,兩個主曲率半徑相等,即 R1=R2=RR_1 = R_2 = R。
  • 凹面 (Concave Surface):在兩個顆粒接觸形成的頸部(bridge)區域,表面是凹的,其曲率半徑為 rr。對於一個凹面,其曲率的符號與凸面相反。如果我們定義凸面的曲率半徑為正,則凹面的曲率半徑也應為正,但其壓力貢獻是負的。或者,更常見的處理方式是,對於凹面,其曲率半徑 rr 總是取正值,但其貢獻到壓力差的項取負值。
    • 另一種理解方式是,將頸部視為一個「反向」的球體,其曲率半徑為 rr。

應用到燒結顆粒:
假設顆粒的外部表面(凸面)的表面張力為 γs\gamma_s,頸部的表面張力也為 γs\gamma_s(假設材料均勻)。

  1. 凸面(顆粒外部):壓力差為 ΔPconvex=γs(1R+1R)=2γsR\Delta P_{convex} = \gamma_s (\frac{1}{R} + \frac{1}{R}) = \frac{2\gamma_s}{R}。這個壓力差傾向於使顆粒收縮。
  2. 凹面(頸部):頸部的表面是凹的,其曲率半徑為 rr。根據楊-拉普拉斯方程,頸部表面產生的壓力差是 ΔPconcave=γs(1r1+1r2)\Delta P_{concave} = \gamma_s (\frac{1}{r_1} + \frac{1}{r_2})。在頸部區域,通常假設其曲率是各向同性的,可以簡化為 r1=r2=rr_1 = r_2 = r。然而,重要的是要理解凹曲面會產生一個「負」的壓力貢獻,它會傾向於使表面向外膨脹,或在燒結中,它會對來自凸面的壓力產生抵消作用。
    • 更精確的理解是,從顆粒內部來看,頸部是一個凹面。如果我們將壓力差定義為從高壓區指向低壓區,那麼凸面(外部)內部壓力高於外部,凹面(頸部)內部壓力低於外部。
    • 在燒結的動力學分析中,我們通常關注的是由於曲率差異引起的原子遷移。頸部的高曲率(強凹面)意味著原子傾向於從頸部遷移到凸面。

壓力差(驅動力):
燒結的驅動力來自於表面能的降低。兩個顆粒接觸時,頸部的形成會降低總表面積,從而降低總表面能。頸部區域的原子會受到來自外部凸面的壓力,以及頸部自身曲率引起的壓力。

  • 來自凸面的壓力:頸部區域受到來自顆粒外部凸面的壓力。這個壓力是由凸面的曲率 RR 引起的。
  • 頸部自身的曲率效應:頸部是凹曲面,其曲率半徑為 rr。

綜合壓力差 ΔP\Delta P:
在燒結過程中,由於曲率差異,原子會從曲率大(壓力高)的區域遷移到曲率小(壓力低)的區域。

  • 外部凸面(曲率 1/R1/R)的壓力貢獻是 γsR\frac{\gamma_s}{R} (對於球體,可以看作是 2γsR\frac{2\gamma_s}{R})。
  • 頸部凹面(曲率 1/r1/r)的壓力貢獻是 −γsr-\frac{\gamma_s}{r}。
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